“韩克锋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于人工非线性匹配网络的射频功率放大电路-CN202011299216.4有效
发明人：耿莉;韩克锋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工非线性匹配网络的射频功率放大电路，功放晶体管的输入端经输入匹配网络和相位补偿网络后分别与射频信号输入端口和射频检波单元连接，功放晶体管的输出端经人工非线性匹配网络与射频信号输出端口连接；射频检波单元依次经比较判决单元、交叉耦合逻辑反相器和控制信号产生和缓冲单元后分别与人工非线性匹配网络和相位补偿网络连接，通过功率检测和逻辑控制的射频开关对人工非线性匹配网络中元件的连接进行配置，实现功放晶体管在两个或多个功率点处获得最佳的负载阻抗。本发明可以实现功放晶体管在两个或多个功率点处获得最佳的负载阻抗，为回退效率增强的射频功率放大电路的设计和实现提供了一种单支路、大带宽的方案。
一种基于人工非线性匹配网络射频功率放大电路

[发明专利]一种局域化沟道的场效应晶体管及其制备方法-CN201810144810.2有效
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域化沟道的场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括源极、漏极和源漏极之间的栅极，在栅脚覆盖的沟道区刻蚀形成一定占空比的沟道阱，该沟道阱由介质填充；所述沟道阱沿沟道延伸方向等间距排列，其径向宽度小于栅长；制备方法包括：(1)制备源极和漏极；(2)消除有源区以外的导电性，在沟道区形成沟道阱；(3)在器件表面生长介质，通过刻蚀工艺对栅脚内、沟道阱以外的介质进行刻蚀；(4)制备栅极。本发明可以增大场效应晶体管沟道外的等效导电截面积，减小了场效应管源、漏极电阻、缓解沟道外有限的导电能力对大正向栅偏置下沟道电流的限制；提高了射频放大场效应晶体管的增益和线性度；降低了最小噪声系数。
一种局域沟道场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]晶体管推挽对及具有该推挽对结构的射频放大电路-CN201810377832.3有效
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管推挽对及具有该推挽对结构的射频放大电路，晶体管推挽对包括极性相同的第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管的输入端经一输入端半波长相位延迟传输线后与第一晶体管的输入端连接，第一晶体管的输入信号相位滞后于第二晶体管的输入信号相位180度；所述第二晶体管的输出信号经一输出端半波长相位延迟传输线后与第一晶体管的输出信号合成；推挽对式射频放大电路包括上述晶体管推挽对、功率输入端和功率输出端，所述功率输入端连接第二晶体管的输入端，所述功率输出端连接所述第一晶体管的输出端；本发明对推挽对端口阻抗线性度的改善有利于降低匹配电路设计难度；有利于提高功率放大电路的线性度，提高了器件功率的附加效率。
晶体管具有结构射频放大电路

[发明专利]垂直双栅场效应晶体管及自钳位防击穿射频放大器-CN201710906453.4有效
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直双栅场效应晶体管及自钳位防击穿射频放大器，晶体管包括衬底、沟道层和势垒层，在势垒层的上方设有源极和漏极；垂直双栅包括远栅极和近栅极，近栅极与其覆盖的半导体形成肖特基接触，远栅极覆盖在近栅极上，且两者通过绝缘栅介质隔离；自钳位防击穿的射频放大器采用共源极放大结构，其射频信号输入端与连接远栅极，射频信号输出端连接漏极；晶体管的源极接地，远栅极和漏极的偏置电压由偏置网络提供；本发明较外围冗余电路防护的方法有优势；可有效防止相关晶体管在射频大信号工作时漏极电压过高导致的晶体管击穿、烧毁和失效等问题；在微波射频应用中，可以有效地避免晶体管击穿、烧毁和失效导致的设备、系统故障等问题。
垂直场效应晶体管钳位防击穿射频放大器

[发明专利]一种植物油脂原料粉碎方法-CN201811013764.9有效
发明人： 韩克锋;刘嘉喆;王吟箫 -专利权人：王吟箫
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B02C18/06 文献下载
摘要：一种植物油脂原料粉碎方法，属于油料粉碎技术领域。其特征在于：粉碎筒（1）外同轴套设有外筒（3），每相连的两个定刀（8）之间的粉碎筒（1）上设置有将进料腔与粉碎筒（1）内腔连通的送料口（101），每个送料口（101）外均设置有挡料板（11）；将植物油脂原料和复合表面活性剂按质量比100:0.7~1.9加入到粉碎筒（1）内一同粉碎，复合表面活性剂为八聚甘油棕榈酸酯和六聚甘油单月桂酸酯按质量比17~26:44~53复合而成的复合表面活性剂。本粉碎方法能够直接对粘性较大的植物油脂原料进行粉碎，且粉碎效果好，粉碎后油脂分离简单方便，出油率高。
一种植物油脂原料粉碎方法

[发明专利]一种宽带谐波抑制射频功率放大器结构及其设计方法-CN201910761946.2在审
发明人： 韩克锋 -专利权人： 韩克锋
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带谐波抑制射频功率放大器结构及其设计方法；本发明提出的基于多谐波反射短截线组合的宽带谐波抑制结构可以实现对射频功放的谐波发射功率进行有效的宽带抑制；采用本发明提出的基于电容拆解和谐波抑制短截线等效变换的设计方法，可以大大降低多谐波抑制短截线组合的宽带谐波抑制匹配网络的设计难度；对于微波、毫米波放大电路和发射系统等应用，采用本发明提出的结构和方法实现电路及系统的宽带谐波抑制具有积极意义。
宽带谐波抑制短截线射频功率放大器毫米波等效变换发射系统放大电路积极意义宽带抑制匹配网络射频功放谐波发射谐波抑制波抑制电容拆解谐波反射微波电路应用

[发明专利]一种双频带射频功率放大器结构-CN201910836119.5在审
发明人： 韩克锋 -专利权人： 韩克锋
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种双频带射频功率放大器结构。
射频功率放大器双频带

[实用新型]一种防堵塞的粉碎装置-CN201821421739.X有效
发明人：刘嘉喆;王吟箫;韩克锋 -专利权人：王吟箫
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B02C18/08 文献下载
摘要：一种防堵塞的粉碎装置，属于粉碎设备技术领域。包括竖向设置的粉碎筒（1）以及同轴设置在粉碎筒（1）内的转盘（2），环绕粉碎筒（1）的内壁间隔设置有多个定刀（11），环绕转盘（2）的侧部间隔设置有多个动刀（10），转盘（2）连接有电机，其特征在于：所述的粉碎筒（1）的上侧设置有介质入口，粉碎筒（1）的下侧设置有出料筒（3），每相邻的两个定刀（11）之间的筒壁上设置有将粉碎筒（1）内腔与外部连通的输送口（101），出料筒（3）的出料口（301）或输送口（101）连接有抽负压模块（5）。本防堵塞的粉碎装置避免了物料在相邻定刀之间堆积，进而避免了动刀在转动过程中会与定刀空隙内的物料摩擦发热。
粉碎筒粉碎装置防堵塞定刀转盘间隔设置出料筒输送口动刀环绕粉碎设备介质入口摩擦发热竖向设置同轴设置外部连通相邻定刀转动过程抽负压出料口内壁内腔筒壁堆积电机

[发明专利]依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法-CN201510161529.6有效
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法，包括如下步骤：1）通过光刻工艺形成光刻胶对Y型栅金属条的覆盖；2）低温生长SiN介质；3）通过光刻、介质刻蚀工艺对栅金属条两端头进行介质开孔；4）去牺牲层光刻胶形成Y型栅的介质空洞；5）生长SiN介质封堵栅金属条两端头的介质开孔。优点：本方法形成的栅金属下介质空洞更大，栅寄生电容减小更显著，对于毫米波应用的亚微米、深亚微米栅长二代、三代半导体场效应器件，采用本方法以减小器件栅寄生电容具有积极意义。
依靠光刻辅助形成金属介质空洞方法

[发明专利]基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管-CN201710908767.8在审
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管，包括衬底、设于衬底上方的沟道层以及设于沟道层上方的势垒层，在所述势垒层上方两端分别设有源极和漏极；所述源极和漏极之间为绝缘栅介质，所述绝缘栅介质的上方设有远栅极，所述绝缘栅介质和势垒层之间设有近栅极；所述源极和远栅极之间、远栅极和漏极之间，均设有器件钝化介质；本发明具有如下显著优势能够显著减少甚至消除GaN MOSHEMT的电压电流迟滞现象；器件结构紧凑，便于集成；成本低，便于推广应用；能够广泛应用于通信、导航、识别、测控、广播电视、遥感遥测、射电天文、预警探测、精密跟踪、电子对抗、火控制导等领域。
基于结构半导体电子迁移率晶体管

[发明专利]利用拆装式延迟件改善相位均衡的Doherty放大器-CN201710474709.9在审
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明是一种利用拆装式延迟件改善相位均衡的Doherty放大器，其特征是包括输入信号、功率分配器、信号传输微带线、可拆装式延迟件、主放大器、副放大器、Doherty放大器。本发明的优点主、副通道输入端加入可拆装式延迟件来改善主放大器输出信号和副放大器输出信号的相位均衡，同时配合调整主、副放大器的偏置条件使Doherty放大器工作在最佳状态，达到改善Doherty放大电路的线性度和功率附加效率的效果。
利用拆装延迟改善相位均衡 doherty 放大器

[发明专利]射频电路结构及具有该电路结构的射频放大器件-CN201710552476.X在审
发明人： 韩克锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频电路结构及具有该电路结构的射频放大器件，所述射频电路结构包括三极管，在三极管的输入端增加反向二极管的并联结构，所述二极管具有非线性结电容，二极管的结方向与三极管输入端的结方向相反；构建具有上述任一射频电路结构的射频放大器件；本发明的优点为相对于经典的效率提升方法，本发明具有技术简单，结构简洁，易于单芯片集成和占用芯片面积小的优势；显著提高了相关应用中射频放大器件或电路的功率附加效率，广泛适用于微波、毫米波放大器件和电路等应用。
射频电路结构具有射频放大器

1
共 12 条