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[发明专利]一种层状Cr2-CN202211320955.6在审
发明人：龚毅;杨琳;吕垚;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法,使用Cr2O3粉末为原料，利用CrCl2作为运输剂，采用化学气象运输制备层状Cr2O3晶体材料。包括以下步骤：(1)称量并研磨原料；(2)使用真空封管机和氢氧机在真空下封管；(3)在双温区管式炉中设定对应温度使其反应，冷却后即可得到层状Cr2O3晶体材料。本发明使用CrCl2作为运输剂，可以重复运输Cr2O3，原料易得，操作简单，品质可控，可重复性高。为层状Cr2O3晶体材料的在作为催化剂在析氢反应和锂离子电池材料阳极应用提供了材料基础。
一种层状 cr base sub

[发明专利]一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物的制备方法-CN202210873630.4在审
发明人：周继宁;杨得鑫;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物的制备方法，本发明使用CaCO3或SrCO3与Re2O7混合、研磨、第一次烧结得到前驱体Ca2ReO5.5或Sr2ReO5.5，再将前驱体与Fe、Fe2O3混合，研磨，压片，第二次真空烧结、退火，再次研磨，压片，第三次真空烧结、退火得到成品。本发明所述的制备方法简单、容易实现，Ca2FeReO6和Sr2FeReO6的居里温度均大于395K，超出了仪器的测量范围，远高于室温。
一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物制备方法

[发明专利]一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法-CN202011517734.9有效
发明人：苏昆朋;张耀华;霍德璇;王海欧;黄帅;杨得鑫 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C22C22/00 文献下载
摘要：本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。
一种稀土 mnalin 永磁合金及其制备方法

[发明专利]近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用-CN202210425821.4在审
发明人：朱毅辉;杨得鑫;霍德璇;洪嘉伟;饶敏;张宇航 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用，本发明近红外低铅卤族钙钛矿光电材料，包括电极、空穴传输层、电子传输层和发光层；其特征在于：所述的发光层材料，其结构为ABX3，A为Cs、EA、FA、MA四种中的一种或多种，其中B为Pb、Sn、Ge、Mn、Zn、Cd、Co、Cu、Ni中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种；本发明通过旋涂方法在ITO玻璃上旋涂了电子传输层ZnO/PEIE、钙钛矿发光层和空穴传输层TFB而后使用热蒸镀的方法蒸镀电极MoO3/Au。在保证电致发光效率的同时，降低了实验制备钙钛矿发光器件的难度，也降低了整个器件重金属铅的含量。
红外卤族钙钛矿光电材料制备方法应用

[发明专利]一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法-CN202011414328.X有效
发明人：杨得鑫;程垚;周继宁;饶敏;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr2、GeBr2以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPb1‑xGexBr3(x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5)钙钛矿薄膜。本发明降低了CsPb1‑xGexBr3钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
一种荧光效率卤族钙钛矿薄膜合成方法

[发明专利]一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金及其制备方法-CN202111126735.5在审
发明人：苏昆朋;商启香;霍德璇;王海欧;黄帅 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金，所述高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金的名义分子式为Mn50+xAl50‑x‑yMy，其中x＝0～3，y＝1～3，M为Zn或W。本发明的高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且价格低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理。本发明还提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金制备方法，通过调控掺杂元素与热处理工艺实现了矫顽力温度系数由负转为正值，工艺简单便捷，生产成本较低，便于实际的生产与推广。
一种矫顽力稀土 mnalm 永磁合金及其制备方法

[发明专利]一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3-CN202110062267.3有效
发明人：饶敏;杨得鑫;朱毅辉;周继宁;程垚;王涵;曹乐乐;金邦伟;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08L71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法，本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜，相比热蒸镀法，降低了CsPb1‑xGexBr3+PEO钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
一种聚合物阳离子增强 cspbbr base sub

[发明专利]钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料及其制备方法-CN201610868690.1有效
发明人：王海欧;霍德璇;苏昆朋;黄帅;王昕 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
钙钛矿结构氧化物磁电材料及其制备方法

[发明专利]一种单双核共晶稀土磁性配合物及其制备方法-CN201811101305.6有效
发明人：葛景园;葛成芳;陈忠研;杜佳;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单双核共晶稀土磁性配合物及其制备方法。合成具有不同拓扑结构的新型稀土单分子磁体具有重要意义。本发明结构简式为：{[Ln(thd)4][Ln2(thd)6(CH3COO)][Tmim]2}，thd为2,2,6,6‑四甲基庚二酮阴离子；Tmim为1,3,4,5‑四甲基咪唑鎓阳离子；Ln为铽或镝；磁性测试表明，本发明的交流磁化率在零场下即呈现出典型的单分子磁体慢弛豫行为，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。本发明使用四甲基咪唑鎓盐向反应体系中引入平衡离子，控制β‑二酮配体thd与稀土离子的自组装方式，得到结构新颖的单双核共晶配合物，制备方法简单、可控性好、纯度高。
一种单双核共晶稀土磁性配合及其制备方法

[发明专利]一种低温合成近室温铁磁体的制备方法-CN201910031831.8在审
发明人：杨得鑫;霍德璇;赵鹏;杨晨 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温合成近室温铁磁体的制备方法，本发明先将高纯度氧化物原料按照摩尔比称量，放入玛瑙研钵中，研磨混合；再将混合均匀的氧化物粉体按照一定的摩尔比例与KCl粉体混合，氧化铝坩埚中，放入马弗炉中，煅烧后的粉体，放入玛瑙研钵中研磨，获得均匀的粉体；将获得粉体放入加热后的蒸馏水中，通过过滤装置过滤，获得含有一定水分的坯体；最后再干燥箱烘干获得不含水分的坯体，最后研磨获得黑色粉体。本发明方法通过熔盐KCl粉体的加入，降低了La₂NiMnO₆双钙钛矿粉体的合成温度，并且减短了合成时间。
粉体放入低温合成玛瑙研钵研磨铁磁体坯体制备蒸馏水合成氧化铝坩埚氧化物粉体氧化物原料粉体混合过滤装置黑色粉体双钙钛矿研磨混合干燥箱高纯度马弗炉摩尔比烘干称量熔盐煅烧加热过滤

[发明专利]一种无稀土MnAlCuC永磁合金及其制备方法-CN201710141002.6有效
发明人：苏昆朋;陈星星;王海欧;霍德璇;柳菁菁;黄帅 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种无稀土MnAlCuC永磁合金及其制备方法。本发明按原子百分比配置成理论成分为Mn_50+zAl_50‑x‑zCu_xC_y，采用非自耗真空电弧炉，将配比好的母合金原料放入通有循环冷却水的铜坩埚中，将合金反复熔炼3‑4遍，得到成分均匀的MnAlCuC合金铸锭；将上述MnAlCuC合金进行真空热处理，得到τ相的MnAlCuC合金；将上述τ相的MnAlCuC合金进行球磨处理，获得τ相MnAlCuC合金粉末，即高矫顽力无稀土MnAlCuC各向异性永磁合金。与现有的技术相比，本发明成本低，Mn含量低，制作工艺简单，制得的MnAlCuC永磁合金永磁性能好、矫顽力高，饱和磁化强度高。
一种稀土 mnalcuc 永磁合金及其制备方法

[发明专利]基于酞菁的Ni-Ln异双核磁性配合物及其制备方法-CN201810617003.8在审
发明人：葛景园;潘颖;陈忠研;黄帅;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于酞菁的Ni(II)‑Ln(III)中性异双核配合物及其制备方法。本发明所述配合物的化学式为[(NiL)Ln(Pc)(CH₃OH)]，其中Ln为稀土离子Dy(III)或者Tb(III)；L为1,1,1‑三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷的三价阴离子；Pc为酞菁分子的二价阴离子。配合物采用分步合成、室温溶剂扩散方法制备，本方法简单易行、可控性高、重复性强。所制备的配合物中有较强的铁磁相互作用，其交流磁化率在外加磁场存在时呈现出明显的频率依赖现象，具有单分子磁体的慢弛豫特征，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。
制备配合物酞菁分子基磁性材料高密度信息存储氨基磁化乙烷单分子磁体二价阴离子三价阴离子双核配合物磁性配合频率依赖设备使用室温溶剂外加磁场稀土离子亚水杨基可控性弛豫双核铁磁合成扩散交流

[发明专利]一种Er基非晶低温磁制冷材料及其制备方法-CN201710111095.8有效
发明人：李领伟;袁冶;周生强;霍德璇 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种Er基非晶低温磁制冷材料及其制备方法；所述材料化学通式：Er_aT_bAl_c，其中，T为Fe、Co、Ni或Cu中的一种，a为56～63，b为18～33，c为16～28，且a+b+c＝100；方法：1)备料，Er稍过量；2)惰性气体条件下电弧熔炼至完全融化，保温后自然冷却，反复熔炼，得成分均匀合金铸锭；3)表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；4)采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在惰性气体条件下完全熔化，保温后甩带，得Er基非晶低温磁制冷材料；本发明材料，宽2～2.8mm，厚度35～42m；在0～7T磁场变化下，磁转变温度8～18K，最大磁熵变12.6～22.5J/kgK，磁制冷能力480～620J/kg；玻璃转变温度550～640K，晶化温度640～700K，冷液相区宽度33～65K。
一种 er 基非晶低温制冷材料及其制备方法

[实用新型]一种全陶瓷高温超导线圈-CN201721197806.X有效
发明人： 霍德璇;封林;陈玉青;赵春叶;苏昆朋;王海欧 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种全陶瓷高温超导线圈。本实用新型中的全陶瓷高温超导线圈，至少有一匝绝缘陶瓷材料包覆的高温超导线圈；超导线用的高温超导材料、匝间的绝缘材料和线圈骨架材料均为陶瓷材料，全陶瓷高温超导线圈的工作温度在80 K以下。本实用新型所采用3D打印快速成型技术，直接由高温超导材料和绝缘陶瓷材料制作线圈。该方法制作简单，成本低。同时该方案避免了高温超导材料的制线步骤，克服了制作线圈时对于绕线半径限制的困难，提高了线圈的运行温度和稳定性。
一种陶瓷高温超导线圈

[发明专利]全陶瓷高温超导线圈及其制造方法-CN201710844964.8在审
发明人： 霍德璇;赵春叶;陈玉青;封林;苏昆朋;王海欧 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本发明提供一种全陶瓷高温超导线圈及其制造方法。本发明中的全陶瓷高温超导线圈，至少有一匝绝缘陶瓷材料包覆的高温超导线圈；超导线用的高温超导材料、匝间的绝缘材料和线圈骨架材料均为陶瓷材料，全陶瓷高温超导线圈的工作温度在80 K以下。本发明所采用3D打印快速成型技术，直接由高温超导材料和绝缘陶瓷材料制作线圈。该方法制作简单，成本低。同时该方案避免了高温超导材料的制线步骤，克服了制作线圈时对于绕线半径限制的困难，提高了线圈的运行温度和稳定性。
陶瓷高温超导线圈及其制造方法

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