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[实用新型]一种摇杆结构-CN201520858012.8有效
发明人：唐亚明;陈一峰;杨建军 -专利权人：零度智控(北京)智能科技有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B25F5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种摇杆结构，属于遥控系统领域，为解决现有的摇杆结构需要通过螺钉固定在云台上的问题而设计。本实用新型提供的摇杆结构，包括能形成容纳腔的上壳体和下壳体，下壳体的外壁上设有安装块，安装块上开设有凹槽，凹槽用于与云台支撑件上的导轨紧密配合，为摇杆结构定位。本实用新型摇杆结构安装方便、拆卸简单、外形美观。
一种摇杆结构

[发明专利]一种GaN HEMT器件制作方法-CN201610158915.4在审
发明人： 陈一峰 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN HEMT器件制作方法，提供衬底，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积一层VLS生长用的催化剂；S2、在催化剂上形成周期性的压印胶；S3、按照压印胶的分布刻蚀催化剂，形成周期性的图形化的催化剂；S4、采用VLS生长机理，在图形化的催化剂上生长GaN纳米柱；S5、去除图形化的催化剂，形成图形化衬底；S6、在图形化衬底上生长外延层，在外延层上完成源极、漏极、栅极的制作。本发明采用图形化衬底进行GaN外延，不仅具有图形化衬底外延横向生长缺陷较少的优点，同时避免了生长过程中，由于图形尺寸较大，横向生长易形成孔洞，影响后续器件制作与使用；VLS的引入有利于提高过渡层的外延质量，提高GaN HEMT器件性能。
一种 gan hemt 器件制作方法

[实用新型]一种GaN集成器件-CN201521077041.7有效
发明人： 陈一峰 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GaN集成器件。光电集成器件包括由下至上依次形成的GaN衬底、AlN成核层、GaN过渡层、N-GaN集电区层，第一隔离区和第二隔离区将N-GaN集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，在第一区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第一P-GaN基区层、第一N型发射区层、第一N⁺-GaN帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层和P-InP层；在第二区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第二P-GaN基区层、第二N型发射区层和第二N⁺-GaN帽层；在第三区域的N-GaN集电区层上形成有第三P-GaN基区层和第三N型电极。本实用新型能够实现PIN光电探测器、跨阻放大器和限幅器高度集成。
一种 gan 集成器件

[实用新型]GaN器件-CN201521048522.5有效
发明人： 陈一峰;陈汝钦 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GaN器件，其包括衬底以及在衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂Al_XGa_1-XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，P型轻掺杂Al_XGa_1-XN渐变层与N型GaN外延层形成PN结耗尽区。通过上述方式，本实用新型能够减少AlN与GaN的界面处的缺陷,并降低器件泄露电流。
gan 器件

[发明专利]AAV载体和用于抗AAV（腺相关病毒）中和抗体的检测-CN201480039270.1在审
发明人：凯瑟琳·A·海;费德里科·麦格兹;陈一峰 -专利权人：费城儿童医院
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C12N15/861 文献下载
摘要：本发明提供了病毒载体、病毒颗粒以及筛选、检测、分析和测定样品的病毒抗体的量或中和抗体活性的方法和用途。这样的病毒载体、病毒颗粒以及方法和用途适用于广泛的病毒类型，例如慢病毒、腺病毒和腺相关病毒(AAV)血清型。方法和用途包括病毒抗体筛选，例如筛选、检测、分析抗病毒免疫球蛋白以及所测定的量。
aav 载体用于相关病毒中和抗体检测

[实用新型]GaN HEMT器件-CN201521049125.X有效
发明人： 陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GaN HEMT器件，其包括由下自上依次层叠的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和AlGaN肖特基势垒层，GaN过渡层和AlGaN肖特基势垒层之间形成有二维电子气，AlGaN肖特基势垒层上具有欧姆区域，欧姆区域内开设有至少两个孔洞，孔洞从AlGaN肖特基势垒层的表面嵌入AlGaN肖特基势垒层内部，欧姆区域上生长有源极金属或漏极金属，源极金属或漏极金属填满孔洞并覆盖欧姆区域。通过上述方式，本实用新型能够在降低器件欧姆接触电阻的同时，较大限度地降低对器件造成的损伤。
gan hemt 器件

[发明专利]SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法-CN201510998037.2在审
发明人：孔欣;陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法，其包括：将SiC基GaN器件远离SiC衬底的表面键合到蓝宝石载托上；在SiC衬底表面溅射金属形成起镀层；在起镀层上电镀金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷PBO纤维，并对PBO纤维进行烘烤形成光刻掩膜层；对光刻掩膜层进行光刻以在光刻掩膜层上形成光刻孔，其中，金属掩膜层露出在光刻孔中；依次对光刻孔中的金属掩膜层和起镀层进行腐蚀以露出SiC衬底；对光刻孔中的SiC衬底进行干法刻蚀以在SiC衬底上形成通孔。通过上述方式，本发明能够在减小金属掩膜层厚度的情况下为通孔刻蚀提供有效的掩膜保护。
sic gan 器件衬底制作方法

[发明专利]一种压力传感器集成器件及其制作方法-CN201510866802.5有效
发明人： 陈一峰;陈汝钦 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，解决现有传感器集成度不高，体积较大，在极限环境下容易受到影响的技术问题，通过提供一种压力传感器集成器件，包括由下而上依次形成的衬底、AlN成核层、GaN过渡层、N-GaN集电区层，在所述N-GaN集电区层具有器件区域和位于所述器件区域两侧的传感区域，在所述器件区域的N-GaN集电区层上形成有P-GaN基区层和集电极，在所述P-GaN基区层上形成有N型发射区层和基极，在所述N型发射区层上形成有N⁺-GaN帽层，在所述N⁺-GaN帽层上形成有发射极，在所述传感区域的N-GaN集电区层上由下而上依次形成有P-GaN基区层、N型发射区层和N⁺-GaN帽层、介质层、TaN传输线，进而提高了传感器的集成度。
一种压力传感器集成器件及其制作方法

[实用新型]Si基GaAs器件-CN201520897542.3有效
发明人： 陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种Si基GaAs器件。其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于GaAs成核层上的GaAs器件结构，Si基片上具有与外延片的尺寸相匹配的集成区域，Si基片在集成区域处减薄一定厚度，且集成区域内具有多个贯穿Si基片的接地孔，外延片集成在集成区域内，接地孔中电镀有铜。本实用新型能够实现Si基片与GaAs器件的集成。
si gaas 器件

[实用新型]基于GaAs的光电集成器件-CN201520504288.6有效
发明人： 陈一峰;陈勇波 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于GaAs的光电集成器件。光电集成器件包括GaAs衬底、形成在GaAs衬底上的N-GaAs集电区层、第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区将N-GaAs集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，在第一区域的N-GaAs集电区层上由下至上依次形成有第一P-GaAs基区层、第一N-InGaP发射区层、第一N⁺-InGaAs帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层和P-InP层；在第二区域的N-GaAs集电区层上由下至上依次形成有第二P-GaAs基区层、第二N-InGaP发射区层和第二N⁺-InGaAs帽层；在第三区域的N-GaAs集电区层上形成有第三P-GaAs基区层和第三N型电极。本实用新型能够实现PIN光电探测器、跨阻放大器和限幅器高度集成。
基于 gaas 光电集成器件

[实用新型]云台-CN201520843222.X有效
发明人：唐杰;刘耿鹏;陈一峰;杨建军 -专利权人：零度智控(北京)智能科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： B64D47/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了云台，包括Z向驱动部、X向驱动部及Y向驱动部,Z轴方向的驱动轴连接X向驱动部，X轴方向的驱动轴连接Y向驱动部，Y轴方向的驱动轴连接俯仰部；X向驱动部包括支撑架，支撑架上的滑道内安装有与滑道滑动连接的滑块，滑块与Z向驱动部固定连接，支撑架端部安装有重心调节旋钮，重心调节旋钮的杆部与滑块螺纹连接；支撑架侧部安装有旋紧钮，支撑架的另一侧部安装有锁紧块，旋紧钮的杆部穿过支撑架、滑块后螺纹连接锁紧块。本实用新型的云台，能够准确、快速调节整个云台的重心、使云台达到平衡状态，调节操作简单、调节步骤少、调节效率高，依次调节云台重心后，拆装相机时无需进行二次重新调节。
云台

[实用新型]一种GaN压力传感器芯片-CN201520935585.6有效
发明人： 陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN压力传感器芯片，包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlGaN肖特基势垒层和GaN帽层，所述GaN过渡层与所述AlGaN肖特基势垒层形成二维电子气，所述二维电子气位于所述GaN过渡层和所述AlN隔离层之间；所述GaN帽层设有压力感应区，所述压力感应区从GaN帽层的上表面嵌入延伸至所述GaN过渡层内部，在邻近所述压力感应区的GaN帽层上生长有具有张应力的钝化层和保护盖，所述钝化层内形成有栅极、源极和漏极，所述漏极位于所述压力感应区和源极之间，所述栅极位于源极和漏极之间，所述保护盖罩设于钝化层上。本实用新型通过GaN材料将压力传递至器件，利用电学性能的变化实现压力传感，无需器件转移，集成度高，工艺简单。
一种 gan 压力传感器芯片

[实用新型]一种用于可逆式粗轧机辊缝零调铜棒的安装装置-CN201520785500.0有效
发明人：李善泽;袁伟;蔡海斌;陈一峰 -专利权人：武汉钢铁（集团）公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B21B31/16 文献下载
摘要：一种用于轧钢机零调铜棒的安装装置：其主要由手柄、固定手柄的固定杆、与固定杆垂直连接的连接杆、与连接杆垂直连接的支撑杆、在支撑杆上连接的定位块、在定位块外侧的支撑杆上连接的铜棒固定管一及铜棒固定管二组成。本实用新型结构简单，能使辊缝零调铜棒调节精度高，无安全隐患，使用方便、快捷，降低调整的劳动强度。
一种用于可逆轧机辊缝零调铜棒安装装置

[实用新型]摇杆固定组件-CN201520753611.3有效
发明人：唐亚明;陈一峰;杨建军 -专利权人：零度智控(北京)智能科技有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了摇杆固定组件，包括相互连接的固定座和控制盒，固定座包括基座、一端与基座铰接的翻盖，翻盖的另一端与基座通过手拧螺钉固定连接，翻盖与基座之间形成夹紧手持云台支撑结构的平衡杆的环形腔。相对于传统的摇杆固定方式，本实用新型的摇杆固定组件结构简单，具有安装拆卸方便、能够单独拆下控制盒等优点，特别对于内部装有复杂电路的控制盒，当控制盒出现意外时，本实用新型能够实现简单、快速地更换控制盒而不会耽误手持云台的使用，因此本实用新型的摇杆固定组件稳定性优越。
摇杆固定组件

[实用新型]一种电池固定机构-CN201520752961.8有效
发明人：唐亚明;陈一峰;杨建军 -专利权人：零度智控(北京)智能科技有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电池固定机构，包括主体臂、云台吊板及电池盒，主体臂具有容纳腔，主体臂下部固定连接云台吊板，云台吊板正对着容纳腔，容纳腔内放置安装有电池的电池盒；电池盒表面设有至少一个卡扣件，卡扣件与主体臂卡接。本实用新型通过容纳腔、卡扣件、挡板等结构实现对电池盒的固定，在牢固地固定电池盒的基础上，能够快速、方便地装卸电池盒；而且本实用新型结构简单、易加工。
一种电池固定机构