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[发明专利]一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构-CN202310744520.2在审
发明人：李嵩;韦金红;樊鹏;付泽斌;葛行军;贺军涛;钱宝良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构，目的是解决能量浪费，导通电阻高的问题。本发明由砷化镓光导开关、柱面透镜、4个反射镜、平凹柱面镜组成；第一反射镜、柱面透镜、砷化镓光导开关和第二反射镜中心相对依次从上到下水平排列；柱面透镜的左端面与第三反射镜的反射面粘接，右端面与第四反射镜的反射面粘接，轴线穿过第三、第四反射镜的中心；第一反射镜中间位置的圆形通孔内部设置平凹柱面镜；砷化镓光导开关、第三反射镜、第一反射镜、平凹柱面镜和第四反射镜构成内部包含柱面透镜的密闭空间。本发明可使入射脉冲激光被砷化镓光电导衬底充分吸收，提高了脉冲激光能量的利用率，并降低了砷化镓光导开关的导通电阻。
一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率光学结构

[发明专利]基于光导开关的高压纳秒脉冲发生器及高压脉冲产生方法-CN202310746088.0在审
发明人：李嵩;韦金红;樊鹏;贾成林;葛行军;贺军涛;钱宝良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光导开关的高压纳秒脉冲发生器及高压脉冲产生方法。本发明脉冲发生器由高压直流电源、触发控制模块、N组电容充放电模块、电压合成模块以及负载组成；N组电容充放电模块并联在高压直流电源与电压合成模块之间；高压直流电源为电容充放电模块充电。触发控制模块向电容充放电模块输出N路脉冲激光，触发电容充放电模块向电压合成模块输出N路脉冲电压；电压合成模块对电容充放电模块输出的N路脉冲电压进行合成，在负载上获得高压纳秒脉冲。本发明还提供了利用所述脉冲发生器的高压脉冲产生方法。本发明实现了高电压脉冲输出和脉冲参数灵活调节，同时解决了系统紧凑性、稳定性、长寿命和高电压输出的问题。
基于开关高压脉冲发生器产生方法

[发明专利]一种光导开关外接电极结构及其与光导开关的连接方法-CN202310742332.6在审
发明人：李嵩;韦金红;樊鹏;陈红;葛行军;贺军涛;钱宝良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光导开关外接电极结构及其与光导开关的连接方法，光导开关外接电极结构由导电体和金属平台组成，导电体的上下表面平行，侧面与表面保持垂直。导电体上表面通过倒角与侧面过渡，下表面通过椭圆面与侧面过渡，导电体沿中心轴挖有螺纹通孔。金属平台设置于导电体下表面中间区域，与导电体电连接，与欧姆电极通过导电银胶焊接。连接方法包括连接准备、第一外接电极结构和第一欧姆电极对位、导电银胶涂覆、固化、第二外接电极结构安装和绝缘介质灌封六步。本发明能避免电极周围残留气体杂质影响、抑制电场在欧姆电极边缘三相点和金属尖端集中，提高装配精度，匀化欧姆电极边缘处电场分布，提升光导开关可靠性、耐压能力和使用寿命。
一种开关外接电极结构及其连接方法

[发明专利]一种基于磁开关的宽谱微波产生系统-CN202211228138.8在审
发明人：李嵩;韦金红;高景明;曾凡正;王俊婷;岳云瑞;葛行军;钱宝良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁开关的宽谱微波产生系统，目的是解决现有宽谱微波产生系统难以实现高重频、长寿命稳定运行、小型化困难等问题。本发明由初级电源U0、储能电容CC、磁开关和负载天线R组成。利用磁开关的磁芯工作状态在正向饱和点和反向饱和点之间的切换完成磁开关的绕组上电流转向，在负载天线上产生宽谱脉冲振荡，实现宽谱微波产生系统的轻小化、紧凑化，并依托磁开关高重频、长寿命工作的特点有效提高宽谱微波系统重频运行能力和长寿命工作能力。本发明不需要脉冲形成线产生宽谱振荡，有利于实现宽谱微波系统的固态化和紧凑化；本发明采用磁开关作为主开关，大大提高了宽谱微波系统的运行寿命。
一种基于开关微波产生系统

[发明专利]一种基于电触发的高功率气体分路开关-CN202211123754.7在审
发明人：李嵩;王俊婷;樊鹏;高景明;葛行军;张自成;曾凡正;韦金红;岳云瑞;陈红;钱宝良;刘照华 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01T2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电触发的高功率气体分路开关，目的是解决现有机械式分路开关阳极电极和阴极电极之间击穿不稳定，安全性较差问题。本发明由绝缘腔体、2根阴极杆、1根阳极杆、2根绝缘杆、2根触发杆、2个阴极电极和1个阳极电极组成，2个阴极电极分别带有一个阴极杆(内嵌有绝缘杆和触发杆)，通过给不同的触发杆施加触发电压，调整分路开关中不同阴极电极和阳极电极之间的导通。本发明使用触发杆控制开关的导通更加可靠，触发杆对主间隙电场影响较小，电极烧蚀的可能性低，安全性更高，可实现高压气体的低抖动长时间稳定运行，更适用于控制多个高功率脉冲驱动源设备。
一种基于触发功率气体分路开关

[发明专利]一种组合绝缘型卷绕带状脉冲形成线-CN202010582504.4有效
发明人：李嵩;刘啸;高景明;杨汉武;张自成;闵亚飞;刘照华;晏龙波;蔡浩;陈冬群;钱宝良 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合绝缘型卷绕带状脉冲形成线，目的是提高脉冲形成线耐压等级及能量密度峰值。本发明由金属带和绝缘介质带组成，金属带由上金属带，中金属带和下金属带构成，绝缘介质带由上储能介质带，下储能介质带和隔离介质带构成；上储能介质带和下储能介质带均由n2层聚酰亚胺膜和n1层聚丙烯膜叠加而成；隔离介质带由n3层聚丙烯膜沿垂直于上金属带方向叠加而成；金属带和绝缘介质带按照上金属带‑上储能介质带‑中金属带‑下储能介质带‑下金属带‑隔离介质带的顺序依次叠加，并卷绕成阿基米德螺旋线状。本发明通过组合绝缘方式优化高压电极边缘电场分布，提高了高功率脉冲形成线耐压等级及能量密度峰值。
一种组合绝缘卷绕带状脉冲形成

[发明专利]一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法-CN202210837423.3在审
发明人：冶玲;赵立山;钱宝良;张泽海;杨梓晗 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法，功率测量方法包括：在测量场地内，在正对辐射源的能量集中区域的测量面上设置面阵式微波传感器；测量面上设置有同心的第一个测量环至第N个测量环；第n个测量环上的Q个测量点分别为：第n环第一个测量点T1n至第n环第Q测量点TQn；每个测量点上均设置一个微波传感器；采用面阵式微波传感器测量获取各测量点电场幅值与电场相位，根据电场幅值计算获取功率密度；将所述功率密度在测量面上积分得到辐射源的辐射场功率。模式监测方法包括：用不同颜色表示测量面上辐射电场强度分布，实现图像显示；利用模式正交性原理实现高功率微波源混合模式种类、幅度、相位的诊断与监测。
一种基于阵式功率微波辐射测量模式监测方法

[发明专利]一种全固态百纳秒方波脉冲发生器-CN201911173843.0有效
发明人：程新兵;陈绒;杨建华;钱宝良;耿玖源 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03K3/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种全固态百纳秒方波脉冲发生器，目的是解决现有全固态脉冲发生器输出脉宽长的问题。本发明由初级储能模块、脉冲升压模块、压缩整形模块、脉冲形成模块以及触发控制器、复位电路组成；触发控制器中有两路信号传输通道，按时延t分别触发初级储能模块的2个晶闸管开关；初级储能模块中的能量补充电容Cf的电容量远大于原边电容C0的电容量；压缩整形模块由主电容C、隔离电感Li以及主开关MS构成；主开关MS为磁开关，在C、脉冲升压模块、复位电路的配合控制下完成非饱和态和饱和态之间的切换以完成对脉冲发生器的输出信号的压缩，使得输出脉宽只有几百纳秒，可以直接作为驱动高功率微波产生器件的高功率脉冲驱动源用在HPM系统。
一种固态百纳秒方波脉冲发生器

[发明专利]一种驱动多路晶闸管的触发控制器-CN201911173877.X有效
发明人：程新兵;陈绒;周相;杨建华;钱宝良;耿玖源 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03K17/691 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动多路晶闸管的触发控制器，目的是解决现有晶闸管触发方式不能触发多路晶闸管的问题。本发明由光接收模块、N个MOSFET驱动器、N个功率MOSFET、(N‑1)个集成单稳态触发器组成；光接收模块、第一MOSFET驱动器与第一功率MOSFET构成第一路信号传输通道；光接收模块、第一集成单稳态触发器、第二MOSFET驱动器以及第二功率MOSFET构成第二路信号传输通道；……；光接收模块、第(N‑1)集成单稳态触发器、第N MOSFET驱动器、第N功率MOSFET构成第N路信号传输通道；N路信号传输通道分别触发N个晶闸管；本发明通过调节(N‑1)个集成单稳态触发器的时延，可弥补现有触发方式中多路脉冲变压器的输出一致性难以解决的不足，实现N路晶闸管的精确控制。
一种驱动晶闸管触发控制器

[发明专利]基于组合绝缘储能的层叠卷绕Blumlein线-CN202210460822.2在审
发明人：李嵩;王俊婷;曾凡正;韦金红;岳云瑞;高景明;钱宝良;刘照华 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于组合绝缘储能的层叠卷绕Blumlein线，本发明由金属外壳、前绝缘封板、后绝缘封板、前高压输出板、后高压输出板、N个开关模块和N个组合绝缘型卷绕线组成。金属外壳由前拉伸圆环、圆柱筒和后拉伸圆环构成；前绝缘封板和后绝缘封板均由绝缘材料制成且为圆盘状；前高压输出板和后高压输出板均为金属材质的T型圆柱；开关模块由阳极电极和阴极电极组成；组合绝缘型卷绕线由阿基米德螺旋线和4个引脚组成，阿基米德螺旋线为由带状线卷绕成的圆环，带状线为上金属带‑上储能介质带‑中间金属带‑下储能介质带‑下金属带‑地线间隔带6层结构；本发明解决了现有脉冲形成线储能密度、耐压强度、绝缘强度较低的问题。
基于组合绝缘层叠卷绕 blumlein

[发明专利]一种基于表面改性石墨电极的自击穿高压气体开关-CN202110774842.2有效
发明人：李嵩;王俊婷;曾凡正;高景明;蔡浩;张全才;钱宝良;万红 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01T1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面改性石墨电极的自击穿高压气体开关，目的是解决自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压归一化标准差大等问题。技术方案是在气体开关电极表面镀钛、铪等发射阈值高的金属材料，将电极表面镀层挖开一个圆环，将发射阈值低的石墨材料暴露出来。表面圆环处场强较高，击穿主要发生在该处；电极表面圆环处石墨材料发射阈值相对于周围钛、铪等金属材料发射阈值低，利于电子发射，开关击穿更容易集中在表面圆环处，提高击穿的稳定性，减小击穿电压的归一化标准差。本发明在发挥石墨重量轻、耐烧蚀优点的基础上，解决了石墨材料脆、容易出现颗粒脱落等问题，实现了高压气体的低抖动长时间稳定运行。
一种基于表面改性石墨电极击穿高压气体开关

[发明专利]一种测量径向发射电子束均匀性的装置-CN202011101849.X有效
发明人：樊玉伟;李安昆;钱宝良;刘则阳 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量径向发射电子束均匀性的装置，包括二极管外筒(1)、密封板(2)、阳极筒(3)、支撑杆(4)、若干法拉第筒(5)、若干信号线(6)、有若干通道的信号采集处理设备(7)和若干调节杆(8)。本发明提供的测量径向发射电子束均匀性的装置，可以测量待测阴极(9)径向发射电子束的角向均匀性和轴向均匀性，适合工程应用，可为阴极发射电子束均匀性研究提供有力帮助，推动阴极研究的进步，进而提高微波器件的技术性能。
一种测量径向发射电子束均匀装置

[发明专利]一种具有尖峰电极结构的半球型自击穿高压气体开关-CN202110422576.7有效
发明人：李嵩;曾凡正;高景明;杨汉武;钱宝良;张自成;葛行军;王蕾;蔡浩;王俊婷 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01T1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有尖峰电极结构的半球型自击穿高压气体开关，目的是解决现有自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压离散度较大等问题。本发明由阴极电极、阳极电极、阴极杆、阳极杆和绝缘腔体组成。阴极杆和阳极杆通过螺栓固定在绝缘腔体上，阴极电极和阳极电极通过螺纹孔分别固定在阴极杆和阳极杆上。绝缘腔体由绝缘筒，前绝缘端板和后绝缘端板构成。阳极电极的阳极突出部位和阴极电极的阴极突出部位加工成粗糙度为N的带尖峰结构；通过增大开关电极表面粗糙度，增大电极表面电场，促使开关电极表面电子产生，使开关击穿更加稳定，减小自击穿电压离散度从而提升自击穿高压气体开关工作稳定性。
一种具有尖峰电极结构半球击穿高压气体开关

[发明专利]一种强流高压真空二极管-CN202110110840.3有效
发明人：杨建华;陈绒;程新兵;文建春;周相;钱宝良;耿玖源 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01J19/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种强流高压真空二极管，目的是解决真空二极管绝缘子易产生沿面闪络问题。本发明由绝缘子、阳极、阴极、屏蔽环、法兰、密封圈构成，阴极、屏蔽环、绝缘子、阳极从内到外同轴嵌套，绝缘子外沿通过法兰与密封圈紧压在阳极内壁，屏蔽环拧在阴极的右端；阳极接地，侧面开有气孔，气孔外接真空机组。绝缘子为长锥形中空结构，隔离高功率脉冲驱动源的介质区与阳极筒内的真空区，绝缘子的中空部分插有阴极。屏蔽环为带有圆管的圆盘状金属结构，由圆管、圆盘、圆筒组成，屏蔽环能阻挡一部分沿磁力线回流的电子束，避免电子束轰击绝缘子表面。本发明解决了真空二极管绝缘子易产生沿面闪络，磁场导引下电子束易沿磁力线回流轰击阴极的问题。
一种高压真空二极管

[发明专利]一种具有尖峰电极结构的异形自击穿高压气体开关-CN202110401991.4有效
发明人：李嵩;曾凡正;高景明;杨汉武;钱宝良;张自成;葛行军;王蕾;蔡浩;王俊婷 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01T1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有尖峰电极结构的异形自击穿高压气体开关，目的是解决现有自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压离散度较大等问题。本发明由阴极电极、阳极电极、阴极杆、阳极杆和绝缘腔体组成。阴极杆和阳极杆通过螺栓固定在绝缘腔体上，阴极电极和阳极电极通过螺纹孔分别固定在阴极杆和阳极杆上。绝缘腔体由绝缘筒，前绝缘端板和后绝缘端板构成。阳极电极的阳极突出部位和阴极电极的阴极突出部位加工成粗糙度为N的带尖峰结构；通过增大开关电极表面粗糙度，增大电极表面电场，促使开关电极表面电子产生，使开关击穿更加稳定，减小自击穿电压离散度从而提升自击穿高压气体开关工作稳定性。
一种具有尖峰电极结构异形击穿高压气体开关

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