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[发明专利]具有改善的导通电阻值和改善的击穿电压的高压集成电路-CN201610371461.9有效
发明人： 金旲勋;吴世景 -专利权人：爱思开海力士系统集成电路有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种高压集成器件包括：具有第一导电性的半导体层；具有第二导电性的源极区和具有第二导电性的漂移区，它们设置在半导体层内，并且通过沟道区而彼此间隔开；漏极区，具有第二导电性并且设置在漂移区内；栅绝缘层，设置在沟道区之上；第一场绝缘层和第二场绝缘层，设置在漂移区之上并且在沟道区与漏极区之间，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层彼此间隔开；绝缘层，设置在漂移区之上，并且位于第一场绝缘层与第二场绝缘层之间；以及栅电极，设置在栅绝缘层、第一场绝缘层、绝缘层以及第二场绝缘层之上，其中，第一场绝缘层与沟道区相邻接，而第二场绝缘层与漏极区相邻接。
具有改善通电阻值击穿电压高压集成电路

[发明专利]功率集成器件、包括其的电子设备以及包括其的电子系统-CN201510823071.6在审
发明人： 金旲勋;李相贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率集成器件包括：半导体层，其具有第一导电性；源极区域和漏极区域，每个具有第二导电性并且被设置在半导体层中，其中源极区域与漏极区域彼此间隔开；第一漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，并且围绕漏极区域；第二漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，接触第一漂移区域的侧壁，并且具有低于第一漂移区域的杂质浓度的杂质浓度；栅极绝缘层，其被设置在源极区域与第二漂移区域之间的沟道区域之上，并且延伸到第二漂移区域之上；场绝缘板，其被设置在第二漂移区域和第一漂移区域之上，接触栅极绝缘层的侧壁，并且具有平面结构；以及栅极导电图案，其被设置在栅极绝缘层之上，其中栅极导电图案延伸到场绝缘板之上。
功率集成器件包括电子设备以及电子系统

[发明专利]半导体器件-CN201310099941.0在审
发明人： 金旲勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种保证高电压半导体器件所需的击穿电压特性和比导通电阻特性两者的半导体器件，且半导体器件包括：在衬底之上的栅极；形成在栅极的一侧处的源极区；形成在栅极的另一侧处的漏极区；以及形成在栅极之下在源极区与漏极区之间的多个器件隔离膜。
半导体器件