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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185721.5有效
发明人：张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。所述发光二极管具有良好的出光率。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185699.4有效
发明人：朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层；步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201210185710.7有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置；一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，所述发光二极管进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面。
发光二极管

[发明专利]半导体结构-CN201210185708.X有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第一光学对称层设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离第一半导体层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离第一半导体层的表面。
半导体结构

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185681.4有效
发明人：朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185678.2有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；在所述第二半导体层远离基底的表面设置一第一光学对称层；在所述第一光学对称层远离基底的表面设置一金属等离子体产生层；在所述金属等离子体产生层远离基底的表面形成一第二光学对称层；形成一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及，形成一第二电极与所述第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201210185723.4有效
发明人：张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；进一步包括，一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201210185706.0有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层构成一有源层；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；一金属陶瓷层设置于所述第二半导体层远离活性层的表面并接触。
发光二极管

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185685.2有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；在所述第二半导体层远离基底的表面设置一第一光学对称层；在所述第一光学对称层远离基底的表面设置一金属等离子体产生层；在所述金属等离子体产生层远离基底的表面形成一第二光学对称层；去除所述基底，暴露出所述第一半导体层远离活性层的表面；设置一第一电极覆盖所述第一半导体层暴露的表面；以及设置一第二电极与第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201210185725.3有效
发明人：张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；进一步包括一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置；一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置；以及一第二光学对称层设置于所述第一光学对称层远离基底的表面。
发光二极管

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185717.9有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述第一半导体层、所述活性层以及所述第二半导体层依次层叠生长；步骤c：形成一金属陶瓷层，其形成于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一第一电极及一第二电极，使第一电极与所述第一半导体层电连接，使第二电极与所述第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201210185679.7有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。
发光二极管

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201210185696.0有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属陶瓷层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层与基底接触的表面；以及步骤e：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。本发明制备的发光二极管具有良好的光电转换效率。
发光二极管制备方法

[发明专利]一种动态刷新体全息三维显示的方法-CN201210514160.9有效
发明人：曹良才;李景明;何庆声;金国藩 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态刷新体全息三维显示的方法，包括以下步骤：1）设置一体全息三维成像系统，包括记录光路系统、读取光路系统、擦除光路系统和记录介质，所述记录光路系统包括物光光路系统和参考光光路系统；2）采用光致色变材料作为记录介质，对待测物体多个角度的图像进行体全息记录存储；3）关闭物光光路系统，采用参考光光路系统读取三维图像信息；4）关闭记录光路系统，打开擦除光路系统照射记录介质所需要擦除的区域，擦除记录介质上存储的三维图像信息。本发明可以广泛应用于三维物体全息成像中。
一种动态刷新全息三维显示方法

[发明专利]一种集成的表面等离子体折射率传感器及其检测分析方法-CN201110199563.4有效
发明人：李晓炜;谭峭峰;白本锋;金国藩 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：一种集成的表面等离子体折射率传感器及其检测分析方法，平面尺寸为微米量级，能对微量样品进行探测，且两干涉臂集成在同一支持表面等离子体的薄膜上，稳定性和可靠性得到提高；本发明的理论分析和实施例中的数据均显示折射率传感灵敏度随着表面等离子体激发结构和狭缝的间距L0的增加和倾角α的减小而得到提高，具有高灵敏度的特点；其不仅可实现高灵敏度，高优值函数的传感，而且其结构简单紧凑，使用方便应用广泛，成本低且有利于集成和高通量并行传感的特点。
一种集成表面等离子体折射率传感器及其检测分析方法

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