专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法-CN202211614427.1在审
  • 谷洪刚;郭正峰;刘世元 - 华中科技大学
  • 2022-12-15 - 2023-04-18 - G02B5/30
  • 本发明提供了一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法,属于新型偏振光学器件领域,偏振器包括带有二氧化硅的硅基底和二维SnSe层;二维SnSe层用于当入射光以不同角度斜射至其表面时,将p光反射率最小值对应的不同波长作为工作波长,实现通过调控入射角对偏振态的动态调控;其中:通过不同入射角、二维SnSe层的厚度、SiO2的厚度以及SnSe复折射率张量构建4×4传输矩阵,获取不同的消光比以及插入损耗;通过消光比和插入损耗构建评价指标,获取评价指标最大值对应的二维SnSe层的厚度以及SiO2的厚度。本发明利用入射角动态调控偏振器工作波长的技术方案无需消耗额外的能量,并且调制效率很高。
  • 一种基于二维硒化亚锡可调波长偏振及其设计方法
  • [发明专利]一种材料介电张量测量方法-CN201910792395.6有效
  • 谷洪刚;宋宝坤;刘世元;郭正峰;方明胜;江浩;陈修国 - 华中科技大学
  • 2019-08-26 - 2020-12-29 - G01N21/21
  • 本发明属于材料基础物理特性研究领域,并具体公开了一种材料介电张量测量方法,其首先由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定偏转换矩阵Tp和透射矩阵Tt,进而由偏转换矩阵Tp、透射矩阵Tt和入射矩阵Ti得到待测材料表面电磁波的传输矩阵;然后由该传输矩阵Tm确定待测材料理论穆勒矩阵谱MMCal(E),将该理论穆勒矩阵谱MMCal(E)与待测材料测量穆勒矩阵谱MMExp(E)进行拟合分析,从而得到待测材料的介电张量。该介电张量计算方法基于一般性理论,操作流程清晰明了,获取结果全面可靠,适用于求解各类材料的介电张量。
  • 一种材料张量测量方法
  • [发明专利]一种二维材料复光导率确定方法-CN201910757724.3有效
  • 刘世元;宋宝坤;谷洪刚;方明胜;郭正峰;陈修国;江浩 - 华中科技大学
  • 2019-08-16 - 2020-06-09 - G01N21/21
  • 本发明属于二维材料测量领域,并具体公开了一种二维材料复光导率确定方法,其首先根据电磁波在待测二维材料中的传播效应确定对应的计算方式;对于传播效应弱的二维材料,将其等效为无限薄片层,将二维材料椭偏参数用其复光导率进行表示,从而拟合提取得到二维材料的复光导率;对于电磁波传播效应强的材料,先确定其介电函数或复折射率,然后借助介电函数或复折射率与复光导率间的转换关系确定二维材料的复光导率。该方法全面系统,操作流程清晰明了,充分考虑二维材料光电响应机理,分析结果准确可靠,适用于各种二维材料复光导率的确定。
  • 一种二维材料复光导率确定方法

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