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[发明专利]显示装置和用于制造显示装置的方法-CN202310224979.X在审
发明人：金珍泽;金显;朴浈洙;李宗璨;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了一种显示装置和用于制造显示装置的方法。所述显示装置包括：第一电极和第二电极，在基体层上；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；堤，在第一绝缘层上；发光元件，在被堤围绕的区域中；以及第二绝缘层，在堤上。第二绝缘层形成使堤的表面暴露的开口。
显示装置用于制造方法

[发明专利]显示装置-CN202310149361.1在审
发明人：李宗璨;金珍泽;金显;朴浈洙;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种显示装置。该显示装置包括：第一电极和第二电极，在基底上；缓冲层，覆盖第一电极和第二电极；发光元件，在第一电极与第二电极之间；第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极在第一电极上并且电接触发光元件的一端，第二接触电极在第二电极上并且电接触发光元件的另一端；以及有源材料层和第一连接电极，有源材料层在缓冲层上，第一连接电极电接触有源材料层的至少一侧，第一接触电极和第二接触电极以及有源材料层在同一层，并且第一电极的厚度和第二电极的厚度大于约800nm。
显示装置

[实用新型]显示装置-CN202320580996.2有效
发明人：李宗璨;金珍泽;金显;朴浈洙;李硕浩;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示装置包括：焊盘电极，设置在衬底上；焊盘电极上层，设置在焊盘电极上；第一焊盘电极覆盖层，设置在焊盘电极上层上；第二焊盘电极覆盖层，设置在第一焊盘电极覆盖层上；保护层，设置在第二焊盘电极覆盖层上；以及覆盖层，设置在保护层上。保护层包括聚合物树脂和散射颗粒。保护层包括暴露第二焊盘电极覆盖层的第一焊盘开口。
显示装置

[发明专利]晶体管和显示设备-CN202310217496.7在审
发明人：李宗璨;金珍泽;金显;朴浈洙;李星珍;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本文提供了显示设备和晶体管。显示设备可以包括：衬底；半导体图案，其在衬底上并且限定有孔；绝缘层，其在半导体图案上并且限定有与孔重叠的开口区；在绝缘层上的栅电极、源电极和漏电极，所述源电极通过开口区接触半导体图案的导电区；电极，其分别在栅电极、源电极和漏电极上，并且彼此间隔开；以及发光元件，其分别在电极之间。
晶体管显示设备

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201810618241.0有效
发明人： 郑雄喜;梁泰勋;李京垣;李宗璨;李镕守 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置，第二栅电极与第二沟道区叠置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]像素和包括该像素的显示装置-CN202310185241.7在审
发明人：金珍泽;朴常镐;金显;郑雄喜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及像素和包括该像素的显示装置。像素包括：发射区域和非发射区域；第一像素电极、第一中间电极、第二中间电极和第二像素电极，彼此间隔开；第一发光元件，包括电连接到第一像素电极的第一端和电连接到第一中间电极的第二端；第二发光元件，包括电连接到第一中间电极的第一端和电连接到第二中间电极的第二端；以及第三发光元件，包括电连接到第二中间电极的第一端和电连接到第二像素电极的第二端。第二中间电极包括与第一中间电极相对的第一部分、在第一像素电极和第二像素电极之间的第二部分、以及在第一部分和第二部分之间的对角线部分。
像素包括显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201810614869.3有效
发明人：李宗璨;梁泰勳;郑雄喜;李京垣;李镕守 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202310095953.X在审
发明人：朴浈洙;金珍泽;金显;李星珍;李宗璨;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开一种显示装置及其制造方法。根据一实施例的显示装置至少可以包括：基板，定义有显示区域和垫区域；第一导电层，布置于基板上，包括布置于垫区域的第一垫电极；缓冲层，布置于第一导电层上；半导体层，在显示区域中布置于缓冲层上；栅极绝缘层，布置于半导体层上；以及第二导电层，包括，在显示区域中与半导体层重叠的栅极电极和在显示区域中与半导体层的一侧重叠而布置的第一电极，并通过贯通缓冲层和栅极绝缘层的接触孔而与第一信号线连接；第二电极，在显示区域中布置于半导体层的另一侧；以及第二垫电极，在垫区域中布置于第一垫电极上，第一垫电极和第二垫电极在作为厚度方向的第一方向上重叠，并且在与第一方向垂直的第二方向上不重叠。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法-CN202211613449.6在审
发明人：李宗璨;金珍泽;金显;朴浈洙;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置可以包括多个像素，每个像素包括发射区域和非发射区域。多个像素中的每个可以包括：过孔层，在基底上并包括有机层；第一对准电极和第二对准电极，在发射区域中在过孔层上并且彼此间隔开；第一绝缘层，在发射区域的第一对准电极和第二对准电极上并且包括亲液性有机材料；第一堤图案和第二堤图案，在发射区域的第一绝缘层上并且彼此间隔开；第一堤，在非发射区域中，包括对应于发射区域的开口，并且包括拒液性有机材料；以及发光元件，在发射区域中在第一堤图案与第二堤图案之间设置在第一绝缘层上。
显示装置制造方法

[发明专利]像素和包括该像素的显示设备-CN201811441365.2有效
发明人：梁泰勋;李宗璨;郑雄喜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G09G3/3291 文献下载
摘要：一种像素，其中：第二晶体管和第五晶体管的栅极接收第一栅极信号；第三晶体管和第四晶体管的栅极分别接收第二栅极信号和第三栅极信号；第二晶体管至第五晶体管的第一端子(FT)分别接收数据电压、参考电压、初始化电压和第一电源电压(PSV)；第二电容器的第二电极接收第一PSV；发光元件(LEE)的第二端子(ST)接收第二PSV；第一晶体管的栅极、第二晶体管和第三晶体管的STs、以及第一电容器的第一电极连接到第一节点；第一晶体管和第四晶体管的ST、LEE的FT、以及第一电容器和第二电容器分别的第二电极和第一电极连接到第二节点；并且第五晶体管的ST连接到第一晶体管的FT。
像素包括显示设备

[发明专利]显示装置-CN202211449548.5在审
发明人：李宗璨;金珍泽;金显;朴浈洙;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：提供一种显示装置。显示装置包括：第一堤，布置于基板的非发光区域，并包括开口部；电极，布置于所述第一堤上，并彼此隔开；第二堤，布置于所述电极上；以及发光元件，在所述第二堤上布置于所述电极之间，其中，所述第二堤包括：第一区域，与所述发光元件重叠；以及第二区域，在所述非发光区域中布置于所述开口部。
显示装置

[发明专利]显示设备-CN202180054486.5在审
发明人：李宗璨;李太熙;郑雄喜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供了显示设备。显示设备包括第一衬底、过孔层和多个发光器件，其中，第一衬底包括多个第一区和定位在第一区之间的一侧处的多个第二区，过孔层布置在第二区中并且暴露第一区，多个发光器件在第一区中布置在第二层间绝缘层上，其中发光器件的相对的端部布置在第一电极和第二电极上。
显示设备

[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN202211096959.0在审
发明人：李宗璨;洪晶银;金珍泽;金显;朴浈洙;郑雄喜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法在布置覆盖半导体层的栅极绝缘膜的步骤及布置覆盖所述栅极绝缘膜的防扩散膜的步骤之后包括如下步骤：通过对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化而布置半导体层的第一电极区域的一部分对应的第一电极孔及与所述半导体层的第二电极区域的一部分对应的第二电极孔；及在所述防扩散膜上布置与所述半导体层的所述沟道区域重叠的栅极电极、通过所述第一电极孔与所述半导体层的所述第一电极区域连接的第一电极及通过所述第二电极孔与所述半导体层的所述第二电极区域连接的第二电极。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202210757132.3在审
发明人：金显;金珍泽;朴浈洙;李宗璨;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域；晶体管，设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层，设置在第二电极上；以及电子模块，设置在开口区域中，其中，在外围区域中，第二电极具有暴露发射层的第一开口，并且第一封装无机层具有暴露发射层的第二开口。
显示装置

[实用新型]显示装置-CN202221669746.8有效
发明人：金显;金珍泽;朴浈洙;李宗璨;郑雄喜;洪晶银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域；第一电极，电连接到驱动晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上，其中，在外围区域中，第二电极具有暴露发射层的第一开口，并且第一封装无机层具有暴露所述发射层的第二开口。所述显示装置能够够通过由简化的工艺形成具有底切形状并围绕显示装置的通孔的凹槽来改善可靠性。
显示装置

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