专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]射线检查系统及散射校正方法-CN202010253098.7在审
  • 李树伟;张清军;邹湘;朱维彬;赵博震;李祥华;王钧效 - 同方威视技术股份有限公司
  • 2020-04-02 - 2021-10-26 - G01V5/00
  • 本公开涉及一种射线检查系统及散射校正方法。射线检查系统包括:射线源(1),被配置为产生射线束流(10);第一探测器阵列(2),至少部分位于所述射线束流(10)的覆盖范围内;第二探测器阵列(3),与所述第一探测器阵列(2)位于所述射线检查系统的检查对象(4)的同侧,且位于所述射线束流(10)的覆盖范围外,所述第二探测器阵列(3)被配置为接收所述射线束流(10)在透过所述检查对象(4)的过程中的散射信号;和处理器(5),与所述第一探测器阵列(2)和所述第二探测器阵列(3)信号连接,被配置为根据所述散射信号对所述第一探测器阵列(2)的接收信号进行散射校正。
  • 射线检查系统散射校正方法
  • [发明专利]水稻生长期田间水层控制的节水灌溉的方法-CN202010359836.6有效
  • 张奇春;金骅;邹湘;金树权 - 浙江大学
  • 2020-04-30 - 2021-07-16 - A01G22/22
  • 本发明公开了一种水稻生长期田间水层控制的节水灌溉的方法,在田间设置进排水口,田间水层控制方案为:水稻移栽期的灌溉保持2.5~3cm的田面水深;水稻返青期的灌溉保持1~3cm田面水深;水稻分蘖前期的灌溉保持2.8~3cm田面水深,水稻分蘖后期起始时排出田间的全部水,然后晒田直至水稻分蘖后期结束;水稻生殖期进行干湿交替管理,水稻灌浆期进行干湿交替管理,水稻成熟期田间保持无水。本发明通过在灌溉过程中增加晒田过程的干湿交替循环,可以在不影响土壤肥料利用效率和水稻产量的条件下,达到减小灌溉量的目的。
  • 水稻生长期田间水层控制节水灌溉方法
  • [发明专利]用于制造闪烁体探测器的设备和方法-CN201910546489.5在审
  • 赵博震;邹湘;李树伟;朱维彬;张清军;李荐民 - 清华大学;同方威视技术股份有限公司
  • 2019-06-21 - 2020-12-22 - G01T1/202
  • 本发明公开一种用于制造闪烁体探测器的设备。闪烁体探测器包括:闪烁体;反射层,其在闪烁体的上方和侧方包围闪烁体;以及光探测器,其设置在闪烁体和反射层的下方,并且具有灵敏面和信号读出电路。所述设备包括:闪烁体工装,其适于夹持由反射层和闪烁体构成的组件;以及光探测器工装,其适于支撑所述光探测器。所述设备还包括光源(例如X光机)和位移装置,所述位移装置适于夹持闪烁体工装并且在动力的驱动下移动闪烁体工装,以使闪烁体的光输出面对准光探测器的灵敏面。本发明还公开一种使用所述设备制造闪烁体探测器的方法。通过采用上述技术方案,本发明实现了小尺寸闪烁体探测器中的闪烁体的光输出面与光探测器的灵敏面之间的精确对准。
  • 用于制造闪烁探测器设备方法
  • [实用新型]探测装置和检测设备-CN202020470388.2有效
  • 邹湘;张文剑;张清军 - 同方威视技术股份有限公司
  • 2020-04-02 - 2020-11-03 - G01T1/202
  • 本公开提供了一种探测装置和检测设备,涉及X射线技术领域,所述探测装置包括至少一个探测模块,每个探测模块包括:主板,内置有第一走线;模数转换芯片,设置在所述主板的第一侧;和第一X射线探测器和第一焊盘,设置在所述主板的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧中的一侧,所述第一X射线探测器包括第二焊盘,所述第二焊盘与所述第一焊盘直接引线键合,所述第一焊盘通过所述第一走线与所述模数转换芯片连接。
  • 探测装置检测设备
  • [发明专利]一种背照式光电器件的背面处理工艺-CN201811631961.7在审
  • 张文剑;张清军;邹湘;龚义岩 - 清华大学;同方威视技术股份有限公司
  • 2018-12-28 - 2020-07-07 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺,包括以下步骤:对背照式光电器件进行机械减薄,以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度;采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光,以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度;该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面,可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求,降低光电器件背面处理的成本,提高光电器件的制造效率,因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。
  • 一种背照式光电器件背面处理工艺

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