专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备-CN202010286084.5有效
  • 邹传巍 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-04-13 - 2022-08-16 - C30B25/08
  • 本申请实施例提供一种半导体外延设备中的反应腔室,包括自上而下依次叠置的上拱顶、基座环、支撑座,所述上拱顶、基座环、支撑座配合围成所述反应腔室的反应腔,所述反应腔中设置有用于承载待加工工件的承载台,所述上拱顶包括拱顶环和透明的拱顶本体,所述拱顶本体与所述拱顶环连接,所述拱顶环叠置在所述基座环上,所述拱顶本体具备向上拱起的顶面和与所述承载台的承载面平行的底面。通过将承载面和底面设置为一对相对且相互平行的表面,使得当反应进行时,氢气等反应气体在竖直方向上的扩散程度均一,提高了平板状硅源中心处和边缘处气体浓度的一致性,增加了平板状硅源外延反应的均匀性。
  • 半导体外延设备中的反应
  • [发明专利]外延反应腔室-CN202010006150.9在审
  • 邹传巍 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-01-03 - 2020-05-19 - C30B25/08
  • 本发明提供一种外延反应腔室,包括上穹顶、下穹顶、遮挡件以及设置于上穹顶与下穹顶之间的腔室侧壁,腔室侧壁上设置有用于工艺气体通入的第一进气口以及用于工艺气体排出的第一出气口,遮挡件与上穹顶相对设置,且位于第一出气口的上方,用于阻挡工艺气体与上穹顶接触。本发明提供的外延反应腔室能够提高工艺质量,延长反应腔室的维护周期及使用寿命,并提高产能。
  • 外延反应

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