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- [实用新型]加工设备-CN202222551127.5有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-26
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2023-05-16
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C03C15/00
- 本实用新型涉及一种加工设备,包括管体及挡板。管体设置于内腔。管体沿第一预定平面分布。管体的端口连接于能够提供冷却介质的供应组件。挡板设置于第一预定平面的一侧。挡板与第一预定平面之间的距离小于或等于预设值。在管体沿第一预定平面分布的同时,挡板设置于第一预定平面的一侧,且与第一预定平面之间的距离小于预设值,能使挡板的热量均匀传递至管体,使挡板的温度下降。内腔中的杂质气体遇到温度较低的挡板时,会凝结成液态并附着在挡板的表面。在挡板具有较充分的表面积以及挡板的温度足够低的情况下,内腔中的大部分杂质气体会凝结并附着在挡板表面,从而有效减少内腔中的杂质气体,避免工艺处理的质量受到影响。
- 加工设备
- [实用新型]ICP处理设备-CN202222621504.8有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-30
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2023-01-24
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C23C14/32
- 本实用新型涉及一种ICP处理设备包括:箱体装置、离子发生装置及连接架。箱体装置设有内腔及输入口。内腔能够容纳待加工件。离子发生装置用于产生电感耦合等离子体,且离子发生装置可转动地连接于箱体装置。离子发生装置设有出射口。连接架连接于离子发生装置与箱体装置之间,连接架在出射口与输入口之间形成对接通道。由于离子发生装置可转动地连接于箱体装置,使离子发生装置能够相对箱体装置处于不同的相对角度。在不同的相对角度下,能够到达待加工件的电感耦合等离子体的数量存在差异,从而能够改变作用于待加工件的电感耦合等离子体的能量强度,让ICP处理设备能够满足不同类型的待加工件的能量强度要求。
- icp处理设备
- [发明专利]基片加工设备-CN202211172158.8在审
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-26
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2023-01-03
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F28D21/00
- 本发明涉及一种基片加工设备,基片加工设备设有内腔,基片加工设备包括:壁板及外板。壁板用于形成内腔的边界;外板设置于壁板背向内腔的一侧;外板与壁板之间设有间隙,以形成用于通过第一冷却流体的流通空间。由于壁板形成了内腔的边界面,当基片接受加工处理时,在内腔中所产生的一部分热量传递至壁板。第一冷却流体通入流通空间时,第一冷却流体能与壁板朝向于外板的一侧产生热传递。由于第一冷却流体通过壁板与外板之间的间隙流动,从而使第一冷却流体与壁板之间具有较大的接触面积,有效提升了第一冷却流体吸收热量的效率及内腔冷却的效率,使内腔不容易上升至较高的温度,保证基片的工艺处理稳定运行,防止基片的加工受到影响。
- 加工设备
- [发明专利]等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置-CN202211180908.6在审
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-27
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2023-01-03
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H01J37/20
- 本发明涉及一种等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻挂板用于装载待镀膜产品,其包括主体以及吸热结构,主体具有抵接面,待镀膜产品具有镀膜面及背离镀膜面的安装面,抵接面与安装面相贴合。吸热结构设置于主体,吸热结构用于对主体进行散热。在对待镀膜产品进行等离子体刻蚀镀膜时,将待镀膜产品安装至主体,且将待镀膜产品的安装面与抵接面贴合。通过在主体上设置吸热结构将主体及待镀膜产品所汇聚的热量吸收,从而对主体及待镀膜产品进行降温。产品温度降低可以使得等离子体较快地沉积在镀膜面,从而形成较为稳定的膜层,提高膜层质量。尤其是等离子体形成温度较高的镀膜场景下,采用该等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置可以较好地保护待镀膜产品。
- 等离子体蚀刻装置
- [实用新型]偏压装置及基片处理设备-CN202222597197.4有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-28
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2022-12-27
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H01L21/67
- 本实用新型涉及一种偏压装置及基片处理设备,偏压装置包括主腔组件、偏压板及传导组件。主腔组件设有内腔;内腔的一部分空间形成能够容纳载具的处理工位。偏压板连接于主腔组件且设置于处理工位的一侧。传导组件电连接于偏压板与偏压电源之间。由于偏压板设置于处理工位的一侧,从而在基片的一侧形成电场的一个电极。在电场的另一个电极处于处理工位背向偏压板的一侧的情况下,能引导等离子体或其他粒子移动至与基片接触,对基片产生相应的工艺处理。由于偏压板连接于主腔组件,偏压板的位置相对主腔组件保持稳定,因而电场的状态不会因载具的移动而发生变化,从而提高了电场的稳定性,保证了对基片的工艺处理质量。
- 偏压装置处理设备
- [实用新型]腔体装置及基片加工设备-CN202222621469.X有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-30
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2022-12-27
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C03C15/00
- 本实用新型涉及一种腔体装置及基片加工设备,腔体装置包括:壁体组件及密封件。壁体组件用于形成内腔的边界。壁体组件设有连通于内腔的通口。壁体组件还设有冷却流道。密封件连接于壁体组件。密封件具有柔性并围绕于通口的边缘。密封件设置于冷却流道背向内腔的一侧。在相关器件与通口对接时,密封件能对通口边缘外侧的间隙进行填充。由于冷却流体在冷却流道中流动,在内腔向壁体组件传导热量时,冷却流体在沿冷却流道流动的过程中持续地吸收向密封件方向传递的热量,从而减少密封件对热量的吸收,降低密封件的温度,防止高温加剧密封件的老化,延长密封件的使用寿命,让内腔能始终维持稳定的真空状态,因而可对基片进行可靠的工艺处理。
- 装置加工设备
- [实用新型]运载装置及基片处理设备-CN202222504388.1有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-21
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2022-12-27
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B65G49/06
- 本实用新型涉及一种运载装置及基片处理设备,运载装置包括:机台、导杆、主绝缘块及载具。机台具有多个可转动的导轮及多个具有磁性的磁导件。多个导轮沿第一方向呈线性分布。导杆承载于多个导轮上,且能够沿第一方向相对机台移动。主绝缘块连接于导杆。载具与主绝缘块连接。载具包括主框及连接于主框的导向条。导向条的移动路径的两侧均设置有磁导件。导向条具有磁性,磁导件以同名磁极朝向于导向条。由于载具通过主绝缘块连接导杆,从而使载具与导轮之间处于绝缘状态,如此,当载具在不同的工艺环节之间进行转移的过程中,载具能够与机台保持绝缘,进而确保承载于主框内的基片与机台保持绝缘。
- 运载装置处理设备
- [实用新型]检测装置及处理设备-CN202222510142.5有效
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-21
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2022-12-27
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G01V8/14
- 本实用新型涉及一种检测装置及处理设备,检测装置包括:发射件、第一反射件、第二反射件及接收件。发射件用于产生检测光线。第一反射件用于反射检测光线。第二反射件与第一反射件之间设有间隙。接收件与发射件处于预定平面的一侧。第一反射件及第二反射件处于预定平面的另一侧。接收件用于接收至少经第一反射件及第二反射件反射的检测光线。通过接收件与发射件处于预定平面的一侧,第一反射件及第二反射件处于预定平面的另一侧,第一反射件及第二反射件的反射,避免发射件及接收件需要分别连接至呈相对关系的不同壁体,让发射件及接收件能够同时连接靠近载架边缘的壁体上,从而能方便减小发射件与接收件之间的安装距离,利于提高装配效率。
- 检测装置处理设备
- [发明专利]ICP设备-CN202211197682.0在审
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-29
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2022-12-20
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C23C16/50
- 本发明涉及一种ICP设备。ICP设备包括具有工件位与电感位的腔体以及排气筏板,排气筏板活动设置于腔体内,排气筏板内部设置供气通道,供气通道具有多个出气口;排气筏板可相对腔体平移,以改变排气筏板的各出气口与工件位、电感位之间的距离;排气筏板可沿其长度方向转动,以改变排气筏板的各出气口与工件位、电感位之间的角度。排气筏板在相对腔体平移或转动后,可以调整工艺气体与工件位或电感位之间的距离及角度,从而调整工件位处或电感位处的工艺气体分布,以及对应的工艺气体流速、流量等因素,进而调整工件位处或电感位处的等离子体的分布以及能量,以改变薄膜沉积与表面刻蚀的占比,提高膜层质量。
- icp设备
- [发明专利]偏压装置及基片处理设备-CN202211190740.7在审
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赵成伟;邬文波
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西实显示高新材料(沈阳)有限公司
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2022-09-28
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2022-11-22
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H01L21/67
- 本发明涉及一种偏压装置及基片处理设备,偏压装置包括偏压电源及偏压装置。偏压电源设有电极。偏压装置用于向电连接于偏压电源的电极,并将偏压电源电极的电势传导至通电对象。具体地,通电对象为基片或载具。进一步地,偏压装置容置于内腔,以便于与处于处理工位的通电对象接触。更具体地,偏压电源具有正电极及负电极,偏压装置将负电极的电势传导至通电对象。活动导体在弹性件的弹力作用下对轮体组件产生顶推,从而将轮体组件顶推至通电对象的表面,使活动导体、轮体组件及通电对象表面之间保持稳定接触,从而能使通电对象始终作为整体电极的一部分,确保针对基片的处理工艺保持稳定。
- 偏压装置处理设备
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