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[发明专利]一种低压低功耗的带隙基准电路-CN201510398526.4在审
发明人： 邓龙利;刘铭 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提出一种低压低功耗的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路、比较器和输出电路，其中，所述正温度系数电路包括对置设置的两个三极管，和与一个三极管的集电极相连的正温度电阻；所述负温度系数电路包括串联的第一负温度电阻和第二负温度电阻；该带隙基准电路还包括调节电阻，连接在所述比较器的一个输入端与两个负温度电阻的连接点之间。该电路的输出级不再引入三极管，削减了版图面积，通过在比较器的一个输入端与两个负温度电阻的连接点之间跨接一个调节电阻，实现了与温度系数无关的带隙基准电压源的输出，减小了版图面积。
一种压低功耗基准电路

[发明专利]一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路-CN201510398432.7有效
发明人： 邓龙利;刘铭 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，其中，输出电路的三个输出分支分别包括串联的两个PMOS管；还包括：偏置电路，偏置电路包括串联的第一偏置PMOS管、第二偏置PMOS管和偏置NMOS管，两个偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联；第二偏置PMOS管的漏极与偏置NMOS管漏极相连；偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接，偏置NMOS管的源极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接；第一三极管的集电极和基极相连。增加了偏置电路，保证正温度系数电路中，三极管集电极的电压保持一致，不会随电源电压的变化使得电路的基准电流变化，提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。
一种放低功耗电源抑制基准电路

[实用新型]一种带隙基准电压源电路-CN201220127040.9有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种带隙基准电压源电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻。本实用新型公开的带隙基准电压源电路中没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对系统的影响，并且节省了功耗和面积；另外，基准电压Vref的输出支路并未采用一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失陪引起的失调电压的影响，并且节省了面积和功耗。
一种基准电压电路

[实用新型]一种内建模拟电源电路-CN201220090991.3有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种内建模拟电源电路，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板相连；采用本实用新型的内建模拟电源电路，第一稳压电容的电容值较小，可由内部产生，避免了由芯片外部提供电容而提升系统成本。
一种建模电源电路

[实用新型]基准电压源启动电路-CN201220102082.7有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种基准电压源启动电路，包括：由第一NMOS管和第二NMOS管构成的第一镜像电流源电路、启动单元、第三PMOS管和第四PMOS管。利用第一镜像电流源电路获取基准电压源电路中的开关管上的电流，并用于控制所述启动单元的工作状态，具体的，当所述基准电压源电路内的开关管截止时，即所述基准电压源电路工作在死区时，所述镜像电流源电路中的电流为0，此时，启动单元开启，启动单元的电流使基准电压源电路中的开关管脱离死区；电路结构简单，且不会发生因第一NMOS管的阈值过高无法启动的问题，因此，该基准电压源启动电路适用于高低压工艺器件混用的基准电压源电路中，且可靠性高。
基准电压启动电路

[发明专利]高低压转换电路-CN201210220805.8无效
发明人：贾晓伟;邓龙利 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种高低压转换电路，包括：运算放大器、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电容和第二电容，其中，运算放大器和NMOS管均采用高压器件。本发明的高低压转换电路无需外接电容，电路模块及器件规模较少，并且不需要全部采用高压器件，因此整个电路规具有低功耗、低面积、结构简洁的特点，而且温度系数较低。
低压转换电路

[发明专利]带隙基准电压源电路和带隙基准电压源-CN201210088869.7有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源，以解决现有带隙基准电压源电路，因为包含误差放大器及相应的偏置电路，存在面积较大的问题。同时，现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成，因此，还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题，本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中，没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响，并且节省了功耗和面积；同时，本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样，由一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。
基准电压电路

[发明专利]一种内建模拟电源电路-CN201210063866.8有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种内建模拟电源电路，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板相连；采用本发明的内建模拟电源电路，第一稳压电容的电容值较小，可由内部产生，避免了由芯片外部提供电容而提升系统成本。
一种建模电源电路

[发明专利]一种带隙基准电压源电路-CN201210088717.7有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种带隙基准电压源电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻。本发明公开的带隙基准电压源电路中没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对系统的影响，并且节省了功耗和面积；另外，基准电压Vref的输出支路并未采用一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失陪引起的失调电压的影响，并且节省了面积和功耗。
一种基准电压电路

[发明专利]内建数字电源电路-CN201210071714.2有效
发明人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗 -专利权人：北京经纬恒润科技有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种内建数字电源电路，包括：第一镜像电流源、第二镜像电流源、第三镜像电流源、第四镜像电流源、第一电流源、第二电流源、以及内建模拟电源，本发明运用几路镜像电流源就能够实现内建数字电源电路的功能，且相较于现有技术中的电路，本发明涉及电路5个支路，所用器件数量一般相当于一个小型OPA大小，面积会小很多，由于本发明的电路支路较少，规模较小，所以能耗较小，结构简单。
数字电源电路

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