专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210277578.6在审
  • 何乃龙;张森;赵景川 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - H01L21/329
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述方法包括:获取形成有第二导电类型区域的晶圆;通过光刻使光刻胶露出注入窗口;通过离子注入向所述注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第二导电类型的离子,形成第二导电类型的埋层;对所述光刻胶进行回刻,所述光刻胶被去除一定厚度从而所述注入窗口扩大;通过离子注入向扩大后的注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第一导电类型的离子,形成第一导电类型掺杂区;所述埋层位于所述第一导电类型掺杂区下方。本发明无需使用额外的光刻版即可形成齐纳二极管的第一导电类型掺杂区,且第一导电类型掺杂区的注入工艺参数可以独立设定,易于满足齐纳二极管的性能需求。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]隔离变压器及其制造方法、半导体器件-CN202210099569.2在审
  • 赵景川;何乃龙;张森;张华刚;邵红;许杰 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2022-01-27 - 2023-08-08 - H01L23/64
  • 本发明涉及一种隔离变压器及其制造方法、半导体器件,所述隔离变压器包括:第一金属层,包括第一金属图案和第二金属图案;第二金属层,包括第三金属图案和第四金属图案;介质层,设于第一金属层和第二金属层之间;第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔,第一通孔中设有导电材料;第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔,第二通孔中设有导电材料;第一金属图案和第三金属图案作为隔离变压器的初级线圈,第二金属图案和第四金属图案作为隔离变压器的次级线圈。本发明初级线圈和次级线圈既可以同一平面互相耦合,也可以纵向耦合,提升电流信号传递强度,大大增强了线圈的耦合系数。
  • 隔离变压器及其制造方法半导体器件
  • [发明专利]电容器结构及其制造方法、半导体器件-CN202111654661.2在审
  • 赵景川;何乃龙;张森;周俊芳;邵红;许杰;王浩;朱文明 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-14 - H01L23/522
  • 本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件,所述电容器结构包括:第一金属层,包括第一金属图案和第二金属图案;第二金属层,包括第三金属图案和第四金属图案;介质层,设于第一金属层和第二金属层之间;第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔,第一通孔中设有导电材料从而电性连接第一金属图案和第三金属图案;第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔,第二通孔中设有导电材料从而电性连接第二金属图案和第四金属图案,第一通孔中的导电材料作为电容器的一个极板、第二通孔中的导电材料作为电容器的另一个极板。本发明将两个金属层之间的通孔的导电材料作为电容器的上下极板,电容器易于实现高耐压。
  • 电容器结构及其制造方法半导体器件
  • [实用新型]具有ESD保护能力的半导体器件-CN202221632822.8有效
  • 王浩;王婷;赵景川;刘新新;何乃龙 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2022-06-28 - 2022-11-18 - H01L23/60
  • 本实用新型涉及一种具有ESD保护能力的半导体器件,包括:漏极区;体区;源极区,设于体区中;栅极;介质层,覆盖漏极区、体区、源极区及栅极;金属连线层,设于介质层上,包括漏极连线、栅极连线及源极连线,漏极连线通过贯穿介质层的漏极接触孔与漏极区电性连接,栅极连线通过贯穿介质层的栅极接触孔与栅极电性连接,源极连线通过贯穿介质层的源极接触孔与源极区电性连接;限流电阻,设于介质层上,与源极连线和栅极连线电性连接。本实用新型在栅极和源极之间串入了限流电阻,栅极不会因ESD流过大电流,且会在栅端产生一个小的压降,半导体器件发生弱开启,将ESD电流分流一部分成为器件电流,因此能够对半导体器件进行ESD保护。
  • 具有esd保护能力半导体器件
  • [发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法-CN201911418234.7有效
  • 赵景川;张志丽;张森 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2019-12-31 - 2022-08-12 - H01L29/40
  • 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法,包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的漂移区,位于第一导电类型的衬底内;纵向浮空场板阵列,包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构;纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层,沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内;若干个第一导电类型的注入区域,位于第二导电类型的漂移区内,且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内,使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制,从而提高了器件的稳定性。
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN202011630769.3在审
  • 赵景川;何乃龙;张森;张志丽;许杰 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2020-12-30 - 2022-07-01 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,所述器件包括:衬底;漂移区,设于衬底上;多层掺杂结构,设于漂移区中,每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条;多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条;场氧化层,设于各掺杂多晶硅柱上,场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触;导电结构,设于场氧化层上;其中,场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔,各通孔内填充有导电材料,各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起,可以优化体内电场分布,进一步提升器件的反向耐压。
  • 一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201910874283.5有效
  • 张志丽;赵景川;张森 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2019-09-17 - 2022-06-21 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,所述方法包括:获取形成有漂移区的衬底,所述漂移区具有第一导电类型并形成于第二导电类型的所述衬底上;在所述漂移区刻蚀出下陷结构,所述下陷结构包括注入槽和/或注入孔;向所述下陷结构的底部注入第二导电类型离子;热处理使所述第二导电类型离子扩散形成第二导电类型埋层;向所述下陷结构内填充电性能调整材料,所述电性能调整材料与所述漂移区的材料不同。本发明的埋深度不受机台注入能量的限制,埋层上方可以留出足够深度的漂移区作为导电通道使得漂移区第一导电类型杂质的浓度提升,导通电阻得到降低。并且通过注入槽/孔中填充的电性能调整材料能够进一步优化器件的电性能。
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体电感结构-CN202010751749.5在审
  • 何乃龙;张森;赵景川;许杰 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2020-07-30 - 2022-02-18 - H01F27/34
  • 本发明涉及一种半导体电感结构,包括:互感线圈,包括顶层线圈和底层线圈,顶层线圈与底层线圈位于不同的平面,且两者之间形成互感;中间结构,中间结构位于顶层线圈与底层线圈之间,包括,层间导电层和连通结构,连通结构用于电连接层间导电层与顶层线圈、层间导电层与底层线圈。中间结构连接顶层线圈和底层线圈,中间结构包括层间导电层和连通结构,层间导电层与连通结构均为导电结构,两者的磁导率大于空气,因此磁路的磁阻大大减小,使得顶层线圈和底层线圈之间的磁通量增大,则底层线圈和顶层线圈的感抗变大了,当底层线圈和底层线圈所组成的互感线圈感抗变大后,寄生电感对互感线圈的影响变小,因此采集信号受到的干扰也变小。
  • 半导体电感结构
  • [发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201910712108.6有效
  • 赵景川;张志丽;张森 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2019-08-02 - 2021-06-01 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,所述器件包括:衬底,具有第二导电类型;漂移区,设于衬底上,具有第一导电类型;源极区,具有第一导电类型;漏极区,具有第一导电类型;纵向浮空场板结构,设于所述源极区和漏极区之间,包括设于沟槽内表面的介质层、以及填充于所述沟槽内的多晶硅,所述沟槽从所述漂移区的上表面向下贯穿漂移区伸入衬底中,所述纵向浮空场板结构的数量为至少两个,且至少有两个位于导电沟道长度方向的不同位置上。本发明位于导电沟道长度方向的不同位置上的两个纵向浮空场板结构形成平行板电容器,因此可以起到对器件分压的作用,从而改善漂移区内电场,提高器件的耐压。
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种悬挑的单元式铝板遮阳系统-CN201710358873.3有效
  • 易伟;王星;赵景川 - 金刚幕墙集团有限公司
  • 2017-05-19 - 2019-06-04 - E04F10/08
  • 本发明公开了一种悬挑的单元式铝板遮阳系统,包括立柱、转接件、单元铝板第一挂件以及第二挂件,立柱的一侧布置有第一安装槽和第二安装槽,立柱的另一侧布置有第三安装槽,转接件的一端嵌在第三安装槽后通过第一螺栓与立柱连接固定,转接件的另一端通过第二螺栓与支撑架连接固定,第一挂件和第二挂件上分别布置有至少一个折弯部,第一挂件的一端嵌在第一安装槽后通过限位卡件将第一安装槽的敞口端以及第一安装槽和第一挂件之间的间隙封堵,第一挂件的另一端通过第三螺栓与单元铝板连接固定。折弯部的朝向可以调整第一挂件末端的摆向角度,当单元铝板安装在第一挂件上后,可以通过折弯部调整单元铝板的角度,使得两块单元铝板之间的拼接平整方便。
  • 一种单元式铝板遮阳系统

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