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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]光电传感器-CN202223279817.6有效
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光电传感器，包括感测阵列及多个截止电路。感测阵列包含多个光电二极管，且这些截止电路配置于感测阵列的侧边旁。每一截止电路电性连接至这些光电二极管中的至少二个光电二极管，且不同的截止电路电性连接至不同的光电二极管。
光电传感器

[实用新型]光学感测模块-CN202223278374.9有效
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光学感测模块，适于接收感测光束。光学感测模块包括基板、感测区、电路区以及导光结构。基板具有顶面。感测区配置于基板内，连接于顶面。电路区配置于基板内，连接于顶面，且设置感测区的周围。导光结构配置于基板上方，其中导光结构具有内壁，环绕于在垂直基板的方向上重迭感测区的入射空间。内壁形成等效反射面，且内壁的内径由邻近基板的顶面至远离顶面逐渐变大。
光学模块

[发明专利]光感测元件-CN202210994590.9在审
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种光感测元件，包括基底、第一型井区、第一型重掺杂区以及第二型埋入层。第一型重掺杂区设置在第一型井区内，且包括多个第一型子重掺杂区。第一型子重掺杂区彼此之间互相分离。第二型埋入层设置在基底与第一型井区之间。
光感测元件

[实用新型]单光子雪崩二极管-CN202122934919.6有效
发明人： 谢晋安;吴劲昌 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上，第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
光子雪崩二极管

[发明专利]光学感测装置-CN202210344266.2在审
发明人：胡耀升;谢晋安;陈经纬 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光学感测装置。偏压电压产生电路于光学感测装置处于第一模式与第二模式时分别提供第一偏压电压与第二偏压电压给光感测二极管，以分别使光感测二极管提供飞时测距信号与环境光感测信号。淬熄电路于第一模式中将飞时测距信号提供给测距信号处理电路，并淬熄光感测二极管，并于第二模式中将环境光感测信号提供给光感测信号处理电路。
光学装置

[实用新型]单光子雪崩二极管-CN202220146398.X有效
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体井层、P型半导体井层以及P型侧掺杂层。P型半导体井层配置于N型半导体井层上。P型侧掺杂层配置于N型半导体井层与P型半导体井层之间。P型侧掺杂层的深度小于P型半导体井层的深度。P型侧掺杂层的P型掺杂浓度大于P型半导体井层的P型掺杂浓度。
光子雪崩二极管

[实用新型]单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列-CN202122700528.8有效
发明人：吴劲昌;谢晋安;陈经纬 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。
光子雪崩二极管阵列

[发明专利]根据光学显微镜图像判断十层以内石墨烯具体层数的方法-CN202210165055.2在审
发明人：孟国栋;詹涪至;折俊艺;谢晋安;王常龄;夏凌寒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种根据光学显微镜图像判断十层以内石墨烯具体层数的方法，本发明同时利用石墨烯光镜图中的R、G、B刺激值，考虑了R、G、B刺激值所占对比度权重有所不同以及光镜图拍摄过程中可能存在的光强不均或由于制备工艺使得特定基底厚度有一定误差等随机因素采用随机机会约束模型求取最佳刺激值权重，使得判断结果准确性更高，同时具有操作简单、效率高、设备成本低等特点，本发明方法还可应用于其余基底以及其余二维材料的层数判断。
根据光学显微镜图像判断以内石墨具体层数方法

[发明专利]单光子雪崩二极管-CN202210051051.1在审
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体井层、P型半导体井层以及P型侧掺杂层。P型半导体井层配置于N型半导体井层上。P型侧掺杂层配置于N型半导体井层与P型半导体井层之间。P型侧掺杂层的深度小于P型半导体井层的深度。P型侧掺杂层的P型掺杂浓度大于P型半导体井层的P型掺杂浓度。
光子雪崩二极管

[发明专利]单光子雪崩二极管-CN202111424193.X在审
发明人： 谢晋安;吴劲昌 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上，第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
光子雪崩二极管

[发明专利]光感测装置-CN202111334634.7在审
发明人： 谢晋安 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种光感测装置，包括第一导电型埋入层、第二导电型阱区以及第一导电型阱区。第二导电型阱区在第一导电型埋入层上。第一导电型阱区在第二导电型阱区上且被第二导电型阱区环绕。
光感测装置

[发明专利]单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列-CN202111308721.5在审
发明人：吴劲昌;谢晋安;陈经纬 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。
光子雪崩二极管阵列

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