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[发明专利]支撑体和显示装置-CN202180067824.9在审
发明人：川口一德;德味淳;渡边昌安;高桥敏明;横田洋明;内藤贵裕 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种支撑构件，该支撑构件能够根据用户的使用或偏好、安装环境等选择显示单元的支撑形式。一种支撑构件，支撑显示单元，该显示单元具有：显示部，包括在第一方向和第二方向中的每一个方向上延伸的显示面；以及第一附接部和第二附接部，在第一方向上布置，以沿着第一方向竖立在放置面上；该支撑构件包括：第一支撑单元，形成为能够拆卸地附接到第一附接部上；以及第二支撑单元，形成为能够拆卸地附接到第二附接部上。第一支撑单元和第二支撑单元能够在第一状态和第二状态下附接到第一附接部和第二附接部上，在第一状态和第二状态下，第一支撑单元和第二支撑单元中的至少一部分从第一状态沿着放置面在第一面内旋转。
支撑显示装置

[发明专利]装置、方法及计算机可读介质-CN202210517331.7在审
发明人：小岛修;奈良冈顺;高桥敏明;加藤大树;尾川贵昭 -专利权人：横河电机株式会社
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种装置、方法以及计算机可读介质，所述装置具备：取得拍摄图像的图像处理部；压缩拍摄图像并生成压缩图像的压缩部；从用户处取得与压缩图像的易查看性对应的评价的评价取得部；使用包括评价、成为了该评价的对象的压缩图像所对应的拍摄图像以及在该压缩图像的生成中所适用的压缩参数值在内的学习数据，根据新的拍摄图像被输入的情况，来进行输出在该拍摄图像的压缩中应该适用的压缩参数值的模型的学习处理的学习处理部。
装置方法计算机可读介质

[发明专利]支撑主体和显示设备-CN202080087009.4在审
发明人：松冈宏毅;深野真树;高桥敏明;高山弘之;菊地真;岩月刚史;横田洋明;桑尾重哉;铃川弘幸 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H04N5/64 文献下载
摘要：提供一种能够根据用户的目的或偏好、安装环境等选择显示单元的支撑形式的支撑体。支撑体支撑显示单元，并且包括可拆卸地设置在显示单元上的第一支撑单元和第二支撑单元，并且第一形式和第二形式被配置为是可选择的。在第一形式中，第一支撑单元被安装在显示单元的第一位置处，并且第二支撑单元被安装在显示单元的第二位置处。在第二形式中，第二支撑单元安装在显示单元的第一位置或第三位置处，并且第一支撑单元安装在显示单元的第二位置或第四位置处。
支撑主体显示设备

[发明专利]压电元件和压电元件应用设备-CN201610740490.8有效
发明人：酒井朋裕;角浩二;一色铁也;高桥敏明;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：一种压电元件，具备第1电极，利用溶液法形成于上述第1电极上且由含有钾、钠及铌的钙钛矿型结构的复合氧化物构成的压电体层，以及设置在上述压电体层上的第2电极，上述压电体层在通过θ‑2θ测定得到的X射线衍射图案中具有来自（200）面的峰和来自（002）面的峰。
压电元件应用设备

[发明专利]压电元件以及压电元件应用装置-CN201810159615.7有效
发明人：北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明;浅川勉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有由向(100)面结晶取向的KNN构成的压电体层的压电元件以及压电元件应用装置。压电元件具有：基板；第一电极，其被形成在基板上；压电体层，其被形成在第一电极上，且为包含钾、钠、以及铌的多个压电体膜层叠而成的层叠体；第二电极，其被形成在压电体层上，压电体层中的钠浓度在多个压电体膜中的第一压电体膜的第一电极的附近处具有作为钠浓度的极大值的Na极大值，且从Na极大值起越靠近第二电极则越向钠浓度减少的方向倾斜，并且在第一压电体膜与被形成在其正上方的第二压电体膜的边界的附近处具有作为钠浓度的极小值的Na极小值。
压电体膜压电元件压电体层第一电极第二电极应用装置基板结晶取向浓度减少层叠体

[发明专利]压电元件和压电元件应用设备-CN201610191495.X有效
发明人：酒井朋裕;角浩二;一色铁也;高桥敏明;古林智一;北田和也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种实现了压电特性的提高和漏电流的抑制中的至少一方的压电元件及压电元件应用设备。压电元件(300)具备：第1电极(60)；通过溶液法在上述第1电极(60)上形成的由包含钾、钠、铌的钙钛矿型结构的复合氧化物构成的压电体层(70)；设置在上述压电体层(70)上的第2电极(80)，将上述压电体层(70)以10万倍拍摄截面SEM图像并在横向的测定值成为1273nm的条件下进行评价时，在该压电体层(70)中含有2个以上的空隙(75)，各空隙的在膜厚方向成为最大的直径中，最大值与最小值之差为14nm以下且上述最大值为24nm以下。
压电元件应用设备

[发明专利]压电元件、以及压电元件应用装置-CN201711268261.1在审
发明人：北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了压电特性的压电元件、以及压电元件应用装置。所述压电元件为，具备第一电极(60)、第二电极(80)、和被设置于所述第一电极(60)与所述第二电极(80)之间的、由包括钾、钠、铌的钙钛矿型的复合氧化物构成的薄膜的压电体层(70)的压电元件(300)，所述压电体层(70)在由θ‑2θ测量所得到的X射线衍射图案中，在2θ为45°～47°的范围内存在因(002)以及(200)而得到的峰值，所述峰值的高角度侧的峰值位置为46.0°≤2θ≤46.5°，且高角度侧的峰值与低角度侧的峰值的2θ之差大于0.60°。
压电元件第二电极第一电极压电体层应用装置复合氧化物峰值位置钙钛矿型压电特性薄膜测量

[发明专利]压电元件以及压电元件应用设备-CN201711094954.3在审
发明人：北田和也;角浩二;一色铁也;酒井朋裕;高桥敏明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种压电元件以及压电元件应用设备，该压电元件在含Mn的KNN类压电材料中，明确了作为添加物而被包含在结晶中的Mn的价数的最佳状态，并且实现了压电体层的结晶取向性的提高，具有优异的绝缘性。该压电元件具备:第一电极，其被形成于基板上；压电体层，其被形成于所述第一电极上，并由含有钾(K)、钠(Na)、铌(Nb)以及锰(Mn)的钙钛矿结构的复合氧化物构成；第二电极，其被形成于所述压电体层上，其中，锰包括二价的锰(Mn2+)、三价的锰(Mn3+)、四价的锰(Mn4+)，二价的锰相对于三价的锰与四价的锰之和的摩尔比(Mn2+/(Mn3++Mn4+))为1以上且10以下，且钾相对于钠的摩尔比(K/Na)为1.1以下。
压电元件压电体层第一电极应用设备摩尔比二价三价四价复合氧化物钙钛矿结构结晶取向性添加物第二电极压电材料绝缘性基板

[发明专利]有机硅化合物、使用其的薄膜形成用组合物以及有机薄膜-CN201380031976.9有效
发明人： 高桥敏明;肥高友也;浅沼大右 -专利权人：日本曹达株式会社
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供用于形成物性得到改善的新型有机薄膜的有机硅化合物。本发明的有机硅化合物是由式(I)R‑(CH2)n‑SiX3 (I)(式中，R表示碳原子数1～3的烷氧基、可以具有取代基的苯基，X表示羟基或者水解性基团，n表示17～24中的任一整数。)表示的有机硅化合物。在有机溶剂中将上述有机硅化合物、可与上述有机硅化合物相互作用的化合物和水混合来制备有机薄膜形成用溶液，使该有机薄膜形成用溶液与基板接触，由此能够形成有机薄膜。
有机硅化合物使用薄膜形成组合以及有机

[发明专利]液体喷射头、压电元件以及压电致动器-CN201110064932.9无效
发明人： 高桥敏明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供具有含有钛酸铋、且难以产生裂缝的压电体的致动器以及液体喷射头。本发明涉及的液体喷射头(600)是具备包含压电体(30)以及对压电体(30)施加电压的电极的压电致动器的液体喷射头(600)，压电体(30)具有将以钛酸铋为主成分的层以及以铁锰酸铋镧为主成分的层层叠而成的构造。
液体喷射压电元件以及致动器

[发明专利]形成光变换性有机薄膜的新型化合物和有机薄膜形成体-CN200480003017.7有效
发明人：佐宗春男;藤田佳孝;高桥敏明 -专利权人：日本曹达株式会社
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及光响应性能没有下降、影响成膜性的结构部分和影响表面物性的部位可以变柔软、可以由较低能量的波长的光来实现表面变换的、可以以良好重复性在基板上形成有机薄膜的、以式(1)表示的化合物及其有机薄膜形成体。(式中，X表示含杂原子且可以与金属或金属氧化物表面相互作用的官能团，R表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、芳基、碳原子数1～20的烷氧羰基等。n表示1～30的整数，m表示0～5的整数。G1表示单键或碳原子数1～3的2价烃基。Ar表示可以具有取代基的芳香族基团。G2表示O、S或Nr) 。
形成变换有机薄膜新型化合物

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