专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件-CN202310265078.5在审
  • 何艳静;裴冰洁;赖建锟;袁昊;宋庆文;汤晓燕;弓小武;张玉明 - 西安电子科技大学
  • 2023-03-17 - 2023-06-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件,涉及碳化硅功率半导体领域,包括:第一元胞区,第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管,晶体管包括体二极管;第一二极管区,至少部分围绕第一元胞区,第一二极管区包括多个二极管;其中,每个二极管包括并联设置的第一子二极管和第二子二极管;第二元胞区,至少部分围绕第一二极管区,第二元胞区包括多个阵列排布的晶体管;第二二极管区,至少部分围绕第二元胞区,第二二极管包括多个二极管。本发明的第一二极管区和第二二极管区的二极管能够降低第一元胞区和第二元胞区的晶体管的导通压降,降低结温,还能一定程度上抑制电流集中,提高抗浪涌电流冲击能力。
  • 提高sicmosfet浪涌能力半导体器件
  • [发明专利]一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件-CN202310021733.2在审
  • 汤晓燕;张男;宋庆文;袁昊;陶静雯;张玉明 - 西安电子科技大学
  • 2023-01-06 - 2023-06-23 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件,包括:衬底;漏极设置在衬底下方;N‑漂移区位于衬底上方;第一P+区位于N‑漂移区的内部;第二P+区位于N‑漂移区的内部;P型基区设置在N‑漂移区的内部,位于第一P+区与第二P+区之间;N+源区位于第一P+区、P型基区和第二P+区的上表面;栅槽穿过N+源区且与P型基区相邻设置;栅极位于栅槽内部,栅极与栅槽之间填充有栅介质;源极设置在第一源槽的表面,第二源槽的表面,以及N+源区的两侧面和其部分上表面;栅电极位于栅极上。本发明的栅槽底部栅极氧化层厚度大、栅槽底部半包并进行了源槽刻蚀,实现了过剩空穴的快速抽取,提高了器件的单粒子可靠性。
  • 一种粒子sicumosfet器件
  • [发明专利]一种配电柜防小动物装置-CN202211338155.7在审
  • 陈启升;张健华;高辉凤;赵正晖;袁昊;高雪;席昌文;孔祥伦;吴浩;刘佶积 - 贵州电网有限责任公司
  • 2022-10-28 - 2023-06-23 - A01M29/30
  • 本发明公开了一种配电柜防小动物装置,包括,单通管机构,包括管体,以及设置于所述管件内侧的单向摆板组;定位机构,包括设置于所述管体外侧的弹力部、与所述弹力部相连的推环,以及可拆卸设置于推环上的横杆部;电缆套接有推动机构的一端向管件内侧推送,拆卸部的端部能够穿过单向摆板组之间缝隙接触横杆部,继续推动,推环和单向摆板组分离,能够使单向摆板组向推环方向转动,使得单向摆板组的缝隙变大,使电缆能够通过单向摆板组之间的缝隙贯穿管体,到达配电柜的内侧,当未被推动时,单向摆板组在定位机构的作用下处于垂直于管体的状态,单向摆板组,能够避免小动物通过电缆孔进入到配电柜的内侧。
  • 一种配电柜动物装置

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