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[发明专利]相变化随机存取记忆体装置及其制造方法-CN201911041127.7有效
发明人：吴昭谊;余绍铭;蔡仕琦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种相变化随机存取记忆体装置及其制造方法。方法包括在导电层上方形成介电层，以及在介电层中的开口中形成侧壁间隔物。此开口暴露导电层的一部分。在导电层和侧壁间隔物上方形成底部电极层。在底部电极层上方形成相变化材料层，并且在相变化材料层上方形成顶部电极层。在一个实施例中，此方法包括在形成相变化材料层之前凹陷蚀刻底部电极层。
相变随机存取记忆体装置及其制造方法

[发明专利]液晶显示面板-CN201010228377.4有效
发明人：白家瑄;郑德胜;詹德威;徐文浩;林熙干;蔡仕琦;邱钟毅 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，其包括一主动元件阵列基板、一对向基板以及一液晶层。主动元件阵列基板包括多个像素电极，各像素电极包括多组沿着不同方向延伸的条状图案，各条状图案的宽度为L，且二相邻条状图案的间隔为S。对向基板配置于主动元件阵列基板上方。液晶层配置于主动元件阵列基板与对向基板之间，其中主动元件阵列基板与对向基板之间的晶穴间隙为d，液晶层的双折射率为Δn，而液晶层的介电系数异方性为Δε，且S/|Δε|≤2.8×Δn×d。
液晶显示面板