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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种消化内科异物夹取辅助用口部扩张器-CN202310856753.1在审
发明人：黄庆荣;蒙韬;张远远 -专利权人：黄庆荣
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： A61B90/16 文献下载
摘要：本发明涉及医疗领域，具体的说是一种消化内科异物夹取辅助用口部扩张器，包括卡合机构，所述卡合机构连接在所述调节机构上，所述调节机构用于调节两个卡合机构的间距，在所述调节机构调节两个卡合机构的间距时同步驱动调节机构挤压在舌头上向下移动；所述卡合机构上连接有支撑机构，所述支撑机构用于支撑嘴部两侧。通过设置的卡合机构能够将牙齿卡住，便于给牙齿支撑起到良好的作用，当通过卡合机构支撑牙齿起到支撑口部的作用，从而便于嘴部在睁开的时候不被卡合机构划伤，支撑在牙齿上的卡合机构能够支撑嘴部张开；通过设置的支撑机构能够对嘴部的腮帮进行支撑，便于在支撑嘴部的时候，使得嘴部的空间变大，便于操作。
一种消化内科异物辅助用口部扩张器

[发明专利]一种消化内科内镜清洗装置-CN202310906677.0在审
发明人：黄庆荣;张远远;蒙韬 -专利权人：黄庆荣
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明涉及清洗领域，具体的说是一种消化内科内镜清洗装置，包括壳体，所述壳体的内部设置有用于清洗内镜的清洗机构，所述壳体的内部设置有用于排水的排水机构，所述壳体上设置有用于防护排水机构的护板，所述壳体的内部设置有用于将液体输入清洗机构内部的供液机构；所述壳体的内部设置有驱动件，所述驱动件驱动清洗机构对内镜清洗，且所述清洗机构在对内镜进行清洗时，通过供液机构将清洗液输入清洗机构的内部。还包括排水机构，所述排水机构用于将清洗后的清洗液排出，所述壳体的内部设置有顶起机构，所述驱动件转动驱动所述顶起机构转动，所述顶起机构转动驱动排水机构在所述壳体的内部上移，所述排水机构进行排水。
一种消化内科清洗装置

[实用新型]一种医用消化内科食道给药器-CN201921534398.1有效
发明人：李美洁;邓意;蒙韬 -专利权人：李美洁;邓意;蒙韬
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： A61M31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医用消化内科食道给药器，包括给药器主体、推杆、活动板和底座，给药器主体的内部中间另一侧固定连接有电磁阀，给药器主体的内部底部一侧固定连接有处理器，处理器的另一侧固定连接有命令接收器，给药器主体的顶部一侧贯穿连接有进清洗液口，进清洗液口的另一侧贯穿连接有推杆，推杆使得使用者可以更加轻松的将治疗药物给放进盛药室内，减少了之间的繁琐步骤，体现了该装置的方便性，清洗液室可以直接在给药器主体内部对盛药室进行清洗，体现了该装置的实用性，加热块可以在气温比较低下时对治疗药物进行加热，使得使用者不被冰凉治疗药物所影响，体现了该装置的加热性，可以在未来具有广泛的发展前景。
一种医用消化内科食道

[实用新型]一种消化内科食道上药装置-CN201921534396.2有效
发明人：邓意;李美洁;蒙韬 -专利权人：邓意;李美洁;蒙韬
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： A61M31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消化内科食道上药装置，包括上药装置主体、药剂仓、推杆和挡块，上药装置主体的顶部固定连接有储液罐，上药装置主体的另一侧活动连接有连接头，上药装置主体的另一端固定连接有上药管，上药装置主体的一侧正前方固定连接有固定部件，上药装置主体的一侧嵌入连接有推杆，推杆的一端固定连接有挤压杆，挤压杆体现了该装置的高效性，上药管使得药液上药均匀，避免了药液的浪费，体现了该装置的上药均匀效果，硅胶管在使用时大大的提高了上药装置主体的输送药液稳定效果，体现了该装置的稳定性，刻度标签避免了不会对患者造成用药过度的问题，体现了该装置的准确性，在未来具有广泛的发展前景。
一种消化内科食道上药装置

[实用新型]一种消化内科用进药和取样装置-CN201921534406.2有效
发明人：蒙韬;邓意;李美洁 -专利权人：蒙韬;邓意;李美洁
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： A61B10/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消化内科用进药和取样装置，包括进入管和连接装置，所述连接装置上端端面贯穿连接有进入管，所述进入管的右端端口贯穿连接有操作装置，本实用新型有出气管、固定板、管壁、进气管和照射探头组成的固定探头，采用出气管来吸取组织和废液能很好的收集到病人体内的样本，保证检查结果的准确，同时采用进气管使固体和液体药物都能直接到达病灶，保证治疗的效果，本实用新型有贯穿旋钮、通气旋钮和操作盒组成的操作装置，采用贯穿旋钮来控制进入管与连接管的连通，同时采用通气旋钮来控制进气口和出气口与连接管的连通能很好的控制连接管内部药物的准确性，避免药物混杂发生的不良反应。
一种消化内科用进药取样装置

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201710160732.0在审
发明人：蒙韬;陈彦伯;荣楠;吴承欢 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层；在所述内衬层的表面形成种子层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，首先在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层，然后在所述内衬层的表面形成种子层，采用上述方法可以有效减少半导体器件表面的颗粒数量，并且避免种子层厚度偏薄的情况发生，从而保证半导体器件的性能稳定，提高产品良率。
半导体器件内衬层种子层表面形成侧壁衬底半导体制作半导体器件表面产品良率有效减少源漏区保证

[发明专利]一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法-CN201410171811.8有效
发明人：蒙韬;汪军;李泓博;姚建裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种对沉积薄膜反应装置的处理方法，包括：对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中保持平稳的温度，以将所述反应装置中残留的薄膜完全清除。本发明还提供了一种薄膜沉积方法，包括在薄膜沉积之前对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中选用平稳的温度，以将所述反应装置中沉积的颗粒完全清除。通过本发明所述方法沉积薄膜，所述薄膜的表面更加平整，表面的颗粒缺陷极大的降低，提高了薄膜的良率和性能。
一种沉积薄膜反应装置处理方法

[实用新型]集装箱安全通道-CN201120272341.6有效
发明人：郝亚辉;王海兵;蒙韬;王志奎;郭飞飞 -专利权人：中国建筑第二工程局有限公司;中建电力建设有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：一种集装箱安全通道，包括骨架，所述骨架由立杆和横杆连接成网格状四面围合的架体，所述骨架的外侧面覆盖有箱侧板，所述骨架的顶面上覆盖有箱顶板，所述骨架的底面上覆盖有箱底板，箱体上部连有吊环，其整体呈集装箱形状，箱体的前侧面和后侧面开有通道门，箱体的内侧面在骨架上连接有扶手杆。所述箱顶板的上面连有警示牌架。本实用新型为模块化结构，结实耐用，移动灵活方便，与传统的脚手架安全通道相比，在制作方面节省了大量时间、人力、物力，而且可以长期反复使用，节省了材料，降低了成本；同时节省了大量空间，增加了施工的操作空间，可广泛应用于各种施工现场中。
集装箱安全通道

[发明专利]一种遮挡晶片制备方法-CN201010192459.8无效
发明人：王燕军;李杰;蒙韬;朱佳娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种遮挡晶片制备方法，包括以下步骤：提供一遮挡晶片基底；将所述遮挡晶片基底放置于晶舟上，通过化学气相沉积法在所述遮挡晶片基底上沉积第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上再分多次沉积多层氮化硅层，使得所述遮挡晶片基底上沉积的氮化硅层的层数≥2，且在每次沉积新一层的氮化硅层前时均使所述晶舟上的遮挡晶片旋转一定的角度，使得沉积前一氮化硅层时遮挡晶片上得到晶舟上支点支撑的位置处暴露出来。本发明方法可有效避免在遮挡晶片上累积沉积的多晶硅层因其下的氮化硅层的不平整而产生应力差，最终导致多晶硅层上有脱落颗粒掉至产品晶片上，影响产品晶片良率的问题。同时提高遮挡晶片的重复利用率。
一种遮挡晶片制备方法

[发明专利]一种Fe基大块非晶合金晶化的热处理工艺-CN200710171695.X无效
发明人：蒙韬;徐晖;谭晓华;白琴;张士岩;满华;吴胜军;蔡平平;徐兴国 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C21D1/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种Fe基大块非晶合金晶化的热处理工艺，属制备磁性材料的热处理工艺技术领域。该工艺的特征是Fe基大块非晶合金在晶化温度下外加脉冲磁场强度为2～8T的磁场进行真空退火热处理，并且采用施加脉冲磁场与退火不同步方式，即保温到退火保温时间的一半时再开始充磁直到空冷5～10min后停止。采用本发明工艺可显著提高Fe基大块非晶合金的剩磁和矫顽力。本发明工艺为制备优异磁性能的磁性元件提供了一种新方案。
一种 fe 大块合金热处理工艺

[发明专利]一种具有优异软磁性能的FeZrYB系大块非晶合金及其制备方法-CN200710046008.1有效
发明人：谭晓华;徐晖;白琴;蒙韬 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有优异软磁性能的FeZrYB系大块非晶合金及其制备方法。本发明的合金成分(原子百分含量)为：Fe 63～83％、Zr 0.5～6％、Y 2～8％、B 13～27％。该合金的制备过程如下：将工业纯金属原料以及FeB按合金配方配料，采用真空非自耗电弧炉进行多次熔炼，采用铜模负压吸铸法浇注，制得大块非晶合金。本发明大块非晶合金具有优异的软磁性能，饱和磁化强度为1.1T。本发明大块非晶合金可以广泛用于信息、通讯、计算机等领域的磁性器件。
一种具有优异磁性 fezryb 大块合金及其制备方法

[发明专利]一种具有硬磁性的FeZrNdYB纳米块体合金及其制备方法-CN200710045911.6有效
发明人：谭晓华;徐晖;白琴;蒙韬 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硬磁性的FeZrNdYB纳米块体合金。本发明的FeZrNdYB纳米块体合金成分(原子百分含量)为：Fe56～76％、Zr0.5～6％、Nd2～10％、Y2～8％、B13～27％。制备过程如下：按合金配方配料，用真空非自耗电弧炉在氩气保护下熔炼，并将合金反复熔炼数次，浇注采用铜模负压吸铸法，制得铁基大块非晶合金。将非晶合金在550～900℃，真空度为3～5×10^－3Pa条件下进行真空退火处理10～40分钟，制备出具有硬磁性的FeZrNdYB纳米块体合金，晶粒尺寸为20～70纳米。本发明合金的最大磁能积为35～53kJ/m³。
一种具有磁性 fezrndyb 纳米块体合金及其制备方法

[发明专利]一种具有硬磁性的铁基大块非晶合金及其制备方法-CN200710037397.1无效
发明人：白琴;徐晖;蒙韬;谭晓华;赵文君;吴胜军;张士岩;王海龙;蔡平平 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硬磁性的铁基大块非晶合金。本发明的铁基大块非晶合金成分(原子百分含量)为：Fe 40～63％；Nd 30～37％；Al 4～10％；B 2～8％；Dy 0.5～6％。制备过程如下：(1)按上述合金配方配料，用真空非自耗电弧炉在氩气保护下熔炼，熔炼电流密度为100～220A/cm²，并将母合金翻身熔炼数次；(2)浇注采用铜模负压吸铸法，制得具有硬磁性的铁基大块非晶合金。本发明的磁性合金的矫顽力显著提高，最高矫顽力可达jHc≈500kA/m。
一种具有磁性大块合金及其制备方法

[发明专利]一种Fe基大块非晶合金及其制备方法-CN200710037398.6无效
发明人：白琴;徐晖;蒙韬;谭晓华;赵文君;吴胜军;张士岩;王海龙;蔡平平 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Fe基大块非晶合金及其制备方法。本发明的Fe基大块非晶合金成分(原子百分含量)为：Fe 48～70％；Nd 23～37％；Al 4～10％；B 2～6％。制备过程如下：(1)按上述合金配方配料，用真空非自耗电弧炉在氩气保护下熔炼，并将母合金翻身熔炼数次；(2)采用铜模负压吸铸法浇注，制得大块非晶合金；(3)将大块非晶合金在外加脉冲磁场频率0.02～0.05Hz，磁场2～8T的条件下，在100～350℃，进行真空退火10～30分钟。本发明的大块非晶合金经过外加脉冲磁场退火后磁性能有很大的提高，特别是剩磁可提高25.9％。
一种 fe 大块合金及其制备方法

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