专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210705582.8在审
  • 林钲祐;范忆霖;庄惠中;陈胜雄;高章瑞;陈向东 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-06-21 - 2022-10-21 - H01L21/8238
  • 半导体器件的单元区包括沿第一方向延伸的第一隔离伪栅极和第二隔离伪栅极。半导体器件还包括沿第一方向延伸且位于第一隔离伪栅极与第二隔离伪栅极之间的第一栅极。该半导体器件包括沿第一方向延伸的第二栅极,第二栅极相对于垂直于第一方向的第二方向位于第一隔离伪栅极与第二隔离伪栅极之间。该半导体器件还包括第一有源区和第二有源区。第一有源区沿第二方向在第一隔离伪栅极与第二隔离伪栅极之间延伸。第一有源区在第二方向上具有第一长度,并且第二有源区在第二方向上具有不同于第一长度的第二长度。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成半导体器件的方法。
  • 半导体器件及其制造方法

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