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[发明专利]覆晶堆叠的方法-CN201380036940.X有效
发明人：权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种覆晶堆叠的方法，其包含形成(201)一空腔晶圆(301)，其包括多个空腔(303)以及一对转角导轨(305)；放置(203)一直通硅穿孔(TSV)中介片在该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块(107)，使得该焊接凸块位于该多个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置(205)一集成电路(IC)晶粒(109)在该TSV中介片的另一表面上，使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该焊接凸块会形成一已堆叠的中介片单元(113)；从该空腔晶圆处移除(207)该已堆叠的中介片单元；以及将该已堆叠的中介片单元的该焊接凸块粘结(209)至一有机基板(101)，使得该已堆叠的中介片单元与该有机基板会形成覆晶(300)。
堆叠方法

[发明专利]用于堆栈式硅晶互连技术产物的无基板插入物技术-CN201480012979.2有效
发明人：权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉;金纳胡;金重浩 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物(200)的无基板插入物(201)，其包含多个金属化层(109)，该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段(111)，其中每一个该多个金属节段(111)是构成于该金属化层(109)的最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该金属节段(111)是由该最底层中的介电材料(113)所分隔；以及一介电层(203)，其是经构成于该最底层的底部表面上，其中该介电层(203)含有一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段(111)。
用于堆栈式硅晶互连技术产物无基板插入

[发明专利]多层核心有机封装衬底-CN201480014597.3在审
发明人：金纳胡;金重浩;苏芮戌·瑞玛林嘉;保罗·Y·吴;权云星;丹尼斯·C·P·伦 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种多层核心有机封装衬底(400)包含：多层核心(409)，其包括至少两个有机核心层(411、413)，其中所述至少两个有机核心层(411、413)中的两个由核心金属层(401)分隔开；第一多个堆积层(207)，其形成于所述多核心层(409)的顶部上；以及第二多个堆积层(207')，其形成于所述多核心层(409)下方。
多层核心有机封装衬底