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- [发明专利]一种刻蚀设备及刻蚀方法-CN201811643704.5在审
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黄赛;贾永刚
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-12-30
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2020-07-07
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H01J37/32
- 本发明公开了一种刻蚀设备及刻蚀方法，涉及刻蚀设备技术领域。该刻蚀设备包括刻蚀腔、预抽腔、测量腔及传送机构，预抽腔与刻蚀腔连通；测量腔与预抽腔连通，测量腔内设置有检测组件，检测组件被配置为检索工件上刻蚀的深度；传送机构设置于预抽腔内，传送机构被配置为承载工件，并实现工件在刻蚀腔和测量腔之间传送。该刻蚀设备中，首次刻蚀后通过测量刻蚀深度计算二次刻蚀的深度，通过多次刻蚀和测量来保证工件表面刻蚀深度的要求，避免工件报废。工件在检测过程中始终位于真空环境，一方面可以节省破真空和建立真空等重复作业的时间，提高刻蚀效率；另一方面可以避免工件与空气接触，保证工件的质量，从而提高刻蚀的良品率。
- 一种刻蚀设备方法
- [发明专利]一种尾排管路保护装置以及尾排管路保护方法-CN201710687409.9有效
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严鹏;顾孛
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2017-08-11
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2020-06-30
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F23G7/06
- 本发明提供一种尾排管路保护装置以及尾排管路保护方法，涉及尾气处理设备技术领域，尾排管路保护装置包括温度测量组件和气体测量组件二者的至少之一以及第一安全电路模块，温度测量组件与气体测量组件均与第一安全电路模块电性连接，且温度测量采集尾排管路中气体的温度信号并反馈至第一安全电路模块，气体测量组件采集尾排管路中气体的浓度信号并反馈至第一安全电路模块，第一安全电路模块用于电性连接于废气处理装置，以依据浓度信号和温度信号的至少之一选择性地关闭废气处理装置。相较于现有技术，本发明提供的一种尾排管路保护装置，保障了尾排管路的安全，进而保障了整个设备的安全运行，避免了废气未充分处理而发生泄漏或爆炸等。
- 一种管路保护装置以及保护方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810297198.2有效
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裴轶;刘飞航
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-03-30
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2020-06-12
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H01L23/00
- 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。根据一个实施方式的半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的半导体层；位于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极及位于所述源极和漏极之间的栅极；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的隔离结构，所述隔离结构一端设置在靠近源极的一侧，另一端设置在靠近漏极的一侧且与半导体器件表面层直接接触，所述隔离结构覆盖所述栅极或栅极的一部分，所述隔离结构为一体成型结构，与所述半导体层形成腔室，所述栅极的至少一部分位于该腔室，所述腔室在所述栅极延伸方向上具有开口，在开口处通过密封结构密封形成密闭腔室。采用这样的半导体器件的结构其制造工艺简单，可靠性更高。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]跨区域便捷换车运输装置-CN202010147630.7在审
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叶荣升;张熠飞;王平
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2020-03-05
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2020-06-09
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B62B3/04
- 本发明公开了一种跨区域便捷换车运输装置，属于物品运送装置技术领域，为解决现有技术费时费力等问题而设计。本发明跨区域便捷换车运输装置包括能在第一区域中移动的第一运输车、能在第二区域中移动的第二运输车、以及能承载待运输物品的箱体，箱体能从第一运输车和第二运输车两者之一上被滑移到另一者上。本发明跨区域便捷换车运输装置的承载有待运输物品的箱体能从一辆运输车上滑移到另一辆运输车上，箱体的移动快速便捷、省时省力，不会对特殊工作环境内的地面和墙壁等造成污染和损坏，解决了现有技术中转移待运输物品或清洁车轮等方法费时费力的问题，有利于提高生产企业或仓储行业的生产效率，同时还能降低生产企业或仓储行业的人工成本。
- 跨区便捷换车运输装置
- [发明专利]半导体器件及制作方法-CN201811379177.1在审
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张伟
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-11-19
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2020-05-26
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H01L29/778
- 本申请实施例提供的半导体器件及制作方法。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的半导体层。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的源极、漏极及栅极。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的介质层，介质层将源极和漏极与栅极隔离开。栅极包括至少两个依次连接在一起的栅极结构，每个栅极结构包括向所述源极和/或漏极延伸的延伸部。该至少两个栅极结构的延伸部依次沿远离衬底的方向分布排列。且各延伸部在同一方向的长度沿远离所述半导体层的方向依次增加。本申请实施例中半导体的栅极，通过至少两个栅极结构的延伸部对半导体层中的电子进行分担，可以降低栅极下的电场峰值，从而抑制电流崩塌。提高半导体器件的可靠性。
- 半导体器件制作方法
- [实用新型]功率放大电路和功率放大器-CN201922194016.1有效
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刘鑫;阎述昱
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2019-12-09
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2020-05-15
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H03F3/20
- 本实用新型公开了一种功率放大电路和功率放大器。功率放大电路包括功放输入端、主级、至少一个峰级、第一相位延迟网络和功放输出端；功放输入端分别与主级的输入端以及至少一个峰级的输入端连接，功放输出端分别与主级的输出端以及至少一个峰级的输出端连接，存在一个峰级且该峰级的输出端与功放输出端之间设置有第一相位延迟网络；其中，第一相位延迟网络包括第一相位延迟单元、第二相位延迟单元和相移调节单元，第一相位延迟单元和第二相位延迟单元与对应的峰级相串联，相移调节单元包括并联的电感和电容，相移调节单元的第一端连接至第一相位延迟单元和第二相位延迟单元之间的连接线上。本实用新型实施例能够提高功率放大电路中相移的准确性。
- 功率放大电路功率放大器
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710959834.9有效
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张乃千;吴星星;张新川
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2017-10-16
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2020-05-05
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H01L29/778
- 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括有源区和位于所述有源区之外的无源区，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极、漏极和栅极，所述半导体层包括位于所述无源区的预留半导体层。在位于所述源极下方，开设有贯穿所述衬底和所述源极下方的半导体层的通孔，所述通孔的一部分位于所述无源区的所述预留半导体层中，且贯穿所述预留半导体层的至少一部分。使得在制作小尺寸器件时，即使由于器件尺寸减小，使通孔之间距离减小，也可以满足器件的尺寸要求，可以在不增加工艺难度的前提下，减小器件尺寸，同时不影响器件散热，也不会导致接地电感增加，同时可提高器件性能。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610387453.3有效
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许建华;潘盼;李海滨;张乃千;裴风丽
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2016-06-02
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2020-05-05
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H01L23/48
- 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：制备在一种衬底的其中一个表面上的半导体层，所述半导体层包括有源区和位于有源区之外的无源区；位于所述有源区内的多个源极、多个栅极和多个漏极；与所述源极连接的源极焊盘；与所述栅极连接的栅极焊盘；与所述漏极连接的漏极焊盘；位于所述无源区且贯穿所述衬底、半导体层，并使接地电极与所述源极焊盘电学连接的第一通孔；以及位于所述有源区且贯穿所述衬底、半导体层，并使接地电极与所述源极电学连接的第二通孔。本发明实施例可减小器件整体寄生电感、减轻现有半导体器件集中开孔对器件散热产生的不良影响，有利于提高器件的增益和输出功率。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]HEMT器件及其制造方法-CN201710181293.1有效
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张新川
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2017-03-24
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2020-05-05
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H01L29/778
- 本发明涉及一种HEMT器件及其制造方法。该HEMT器件包括：衬底、位于衬底一侧并同层设置的缓冲层和阻挡层、位于阻挡层和缓冲层远离衬底一侧的有源层以及位于有源层远离阻挡层一侧的势垒层。其中，阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮其中的至少一种材料，阻挡层中超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿有源层向衬底的方向渐变且含有受主杂质。本发明提供的HEMT器件在阻挡层内形成3DHG。高浓度的3DHG与有源层的2DHG形成p‑n结，从而抑制了有源层中的2DEG注入到阻挡层，降低了阻挡层泄漏电流，另外3DHG使阻挡层的导带抬高，提高了2DEG的限域性，从而抑制了HEMT器件的“短沟道效应”。
- hemt器件及其制造方法
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