专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种芯片互联结构-CN201320882823.2有效
  • 王子昊;朱忻;其他发明人请求不公开姓名 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-12-30 - 2014-07-23 - H01L23/538
  • 本实用新型所述的一种芯片互联结构,结合热压键合技术并且充分利用了铜的金属特性来实现对两个芯片或者多个芯片的互联,金属结构的设置使得两个芯片不仅可以实现光学连接,亦可以实现电学连接。芯片之间的键合比较牢固,强度高;并且整个互联工艺相对简单,比较适合大规模的生产应用。而且除了覆盖在光栅及波导之上的保护结构以外,芯片与芯片之间可以没有间隔。这样光栅与光栅之间的自由光传输空间只有2微米到4微米,由于光扩散导致的光学损耗就得到了一定程度的减小。所述的两个光栅优选为对焦型光栅结构,不仅可以较好的降低光传输过程中的光学损耗,同时也可以获得较好的纵向和横向误差容忍度。
  • 一种芯片联结
  • [实用新型]一种通讯信号补偿器-CN201320882822.8有效
  • 朱忻;周予滨;杨晓杰;崔德国;高坚 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-12-30 - 2014-07-23 - H03F1/30
  • 本实用新型提供一种通讯信号补偿器,包括信号探测器、补偿开关和信号放大电路以及输出接口,通过信号探测器来探测当前的信号强度,当信号微弱到一定的阈值时,则开启补偿开关,通过信号放大电路对信号进行放大,而且信号放大的比例与信号强弱成比例,该信号补偿器可以通过输出接口与手机、电脑或者其他需要无线上网的电子设备连接,根据网络信号的强弱自动开启并进行信号补偿。该方案具有探测信号强度和信号放大功能,且具有智能自动信号补偿开启功能,不需要加入其它额外操作,该方案中信号放大电路中使用的是砷化镓射频放大器,具有响应速度快,放大倍数高,对通讯波段感应灵敏,对环境适应能力强等诸多优点。
  • 一种通讯信号补偿
  • [实用新型]一种影像测量仪的3D光学检测装置-CN201320886331.0有效
  • 马栋梁 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-12-31 - 2014-07-23 - G01B11/25
  • 一种影像测量仪的3D光学检测装置,包括镜头、固定机构、安装部件、光栅投影装置和至少两个转动部件;所述安装部件可移动地设置在所述固定机构的下端,在所述安装部件的底部设置有光栅投影装置,所述转动部件一端与所述安装部件转动连接,所述镜头设置在所述转动部件的另一端;本实用新型通过安装部件和转动部件的多方向移动,使安装在转动部件上的镜头实现了多方位全面的采集图像,并且设置有光栅投影装置,与镜头配合实现三维数据的采集,为使用者提供更多更全面的样品参数,解决了现有技术中镜头采样方向不足且只能采集二维数据的问题。
  • 一种影像测量仪光学检测装置
  • [实用新型]一种影像测量仪的检测平台-CN201320886215.9有效
  • 马栋梁 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-12-31 - 2014-07-23 - G01D11/30
  • 一种影像测量仪的检测平台,所述检测平台内设置有中空腔,所述中空腔上设置有可拆卸的活动板,所述活动板可将所述中空腔完全覆盖,所述中空腔内部至少设置一组限位组件,所述限位组件可旋转并用以固定样品,且至少一组限位组件与驱转装置连接且由其驱动;活动板覆盖在检测平台上时,本专利可像现有技术中一样检测样品,在检测特殊形状样品,如圆柱形样品时,将活动板拆下,通过所述限位组件固定住样品,并且通过所述驱转装置翻转样品,使得在测量过程中样品在放置上检测平台之后就可以进行完整的测量,无需进行翻转,检测过程一次完成,解决了现有技术中,样品因为底面无法检测,需要进行多次的翻转,浪费时间的问题。
  • 一种影像测量仪检测平台
  • [实用新型]一种MOCVD设备尾气管路结构-CN201320662277.1有效
  • 张念站 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-10-25 - 2014-06-18 - C23C16/18
  • 本实用新型公开了一种MOCVD设备尾气管路结构,其沿反应腔气体管路从左向右依次包括:反应腔,大球阀,第一过滤器,压力控制阀,真空泵,氮气稀释系统,尾气处理系统;其预流气体管路依次包括预留管路、第一气动阀,且所述第一气动阀的出口通过管路与所述反应腔气体管路相通,所述第一气动阀的出口通过管路连通在所述第一过滤器与所述压力控制阀之间,所述真空泵与所述尾气处理系统之间还设置有第二过滤器。该实用新型可以有效避免预流气体管路和反应腔气体管路在气体切换的过程中引起的反应腔体内的气流波动,同时防止真空泵后尾气管路被堵现象的发生。
  • 一种mocvd设备尾气管路结构
  • [实用新型]一种LED外延结构-CN201320657752.6有效
  • 李勇;崔德国 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-10-23 - 2014-06-18 - H01L33/04
  • 本实用新型所述的LED外延结构,N型GaN层采用周期性的梯度掺杂结构,交替设置的掺杂Si的GaN和不掺杂的GaN层可以在不掺杂的GaN层聚集电子,形成高密度的二维电子气,从而有效增加载流子浓度和迁移率;更重要的是,设置在多量子阱层上的U型的超晶格层与N型GaN层之间形成多结电容结构,能有效增强载流子的横向扩展能力,扩大流入多量子阱层的电流分布面积,有效降低LED的驱动电压。
  • 一种led外延结构
  • [实用新型]一种铌酸锂波导芯片-CN201320755865.X有效
  • 朱忻;王子昊;沈雷;其他发明人请求不公开姓名 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-11-25 - 2014-06-18 - G02B6/122
  • 一种铌酸锂波导芯片,使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构,利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸,从而可以减小基于铌酸锂波导芯片的铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距,进而使得所需调制电压较低。优选使用氢化非晶硅制作铌酸锂波导芯片,其Si:H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应。通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度,能够保证较好的射频匹配,而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现,由于上述波导线都在波导层,能够留足封装或测试的金属区域。
  • 一种铌酸锂波导芯片
  • [实用新型]一种铌酸锂光调制器-CN201320754966.5有效
  • 朱忻;王子昊;沈雷;其他发明人请求不公开姓名 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-11-25 - 2014-06-18 - G02F1/035
  • 一种铌酸锂光调制器,使用非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构,利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸,从而减小金属电极之间的间距,进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片,其Si:H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应。通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度,能够保证较好的射频匹配,而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现,由于上述波导线都在波导层,能够留足封装或测试的金属区域。完善的封装工艺可以降低漏电现象发生的概率,避免因环境潮湿而导致的短路现象的发生,一定程度上提高了铌酸锂光调制器对环境的适应能力。
  • 一种铌酸锂光调制器
  • [实用新型]一种自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备-CN201320657463.6有效
  • 马栋梁;崔德国 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-10-23 - 2014-05-21 - C23C14/35
  • 本实用新型所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备,相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈,在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器,所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直;所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统,用于磁场强度的实时监测;所述通电线圈外接电路控制模块,所述电路控制模块与所述磁场强度侦测系统电连接,根据所述磁场强度侦测系统的数据调整流经通电线圈的电流,以改变磁场分布,使得磁场一直处于最优化的状态,即磁力线尽量与靶面处于同一平面,以达到靶材利用率最大的效果。
  • 一种自适应磁场调整磁控溅射镀膜设备
  • [发明专利]一种新型GaN基LED结构及制备方法-CN201310744819.4有效
  • 杨晓杰;李晓东 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-12-30 - 2014-04-09 - H01L33/20
  • 本发明提供一种新型GaN基LED结构及制备方法,属于半导体光电子器件的制备领域。本发明区别现有技术的核心是:通过在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长掺杂Mg的p-型GaN外延层。其中n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外延层的点缺陷的形成和发光淬灭现象,p+-GaN层有助于提高空穴电流的注入效率并降低LED的工作电压。在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长GaN基LED,提高了p-型GaN的晶体质量及其中的空穴浓度与迁移率,从而改善了空穴电流的向量子阱有源区的注入效率和LED的发光效率。
  • 一种新型ganled结构制备方法
  • [发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN201310504963.0有效
  • 李勇;崔德国 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2013-10-23 - 2014-01-22 - H01L33/04
  • 本发明所述的LED外延结构,N型GaN层采用周期性的梯度掺杂结构,交替设置的掺杂Si的GaN和不掺杂的GaN层可以在不掺杂的GaN层聚集电子,形成高密度的二维电子气,从而有效增加载流子浓度和迁移率;更重要的是,设置在多量子阱层上的U型的超晶格层与N型GaN层之间形成多结电容结构,能有效增强载流子的横向扩展能力,扩大流入多量子阱层的电流分布面积,有效降低LED的驱动电压。本发明所述的LED外延结构的制备方法,N型GaN层中的掺杂结构简单、层数少,超晶格层更采用不掺杂结构,工艺简单,制作成本低。
  • 一种led外延结构及其制备方法

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