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[发明专利]单片集成霍尔电路-CN202110903621.0在审
发明人：朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种单片集成霍尔电路，所述单片集成霍尔电路包括含有IC电路的基板；粘结层，所述粘结层位于基板的表面上；磁感应部，所述磁感应部通过粘结层键合到基板上；和电极部，所述电极部位于磁感应部的周边，所述电极部的一端与磁感应部形成欧姆接触，所述电极部的另一端与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域，通过把化合物半导体霍尔元件集成到含有IC电路的基板上，减少了对原有支撑化合物半导体霍尔元件的衬底的使用需求，减小了整个装置的尺寸。通过引线端设置在粘结层中，增加了引线的固定牢固度。
单片集成霍尔电路

[发明专利]上入光式红外传感器元件及其制造方法-CN202110914145.2在审
发明人：朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从所述至少一个化合物半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域。该上入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，结构紧凑。
上入光式红外传感器元件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体霍尔元件及其制备方法-CN202110900744.9在审
发明人：何渊 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件和制备化合物半导体霍尔元件的方法。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、电极部和磁感应部。该粘结层位于基板的表面上。所述电极部的至少一部分嵌入到所述粘结层中。所述磁感应部的端部叠置在所述电极部上以形成欧姆接触并通过粘结层键合到基板上。本发明属于半导体技术领域。本发明的实施例改善电极和磁感应部之间的结合力，提高了霍尔输出，由此提高了霍尔元件的灵敏度。
化合物半导体霍尔元件及其制备方法

[发明专利]下入光式红外传感器元件及其制造方法-CN202110913917.0在审
发明人：朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种下入光式红外传感器元件及其制造方法，所述下入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接，所述基板上设置有至少一个光学窗以允许入射光穿过进入到至少一个化合物半导体叠层中。本发明属于半导体技术领域。下入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，且结构紧凑。
下入光式红外传感器元件及其制造方法

[发明专利]制造化合物半导体霍尔元件的方法-CN202110559624.7在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种制造化合物半导体霍尔元件的方法。所述方法包括在半导体单晶衬底上外延生长化合物半导体材料膜，作为所述化合物半导体霍尔元件的磁感应功能层；在化合物半导体材料膜和基板的至少一个的表面上涂覆粘结层，并通过粘结层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起；选择性移除半导体单晶衬底和化合物半导体材料膜的一部分，并且通过图形化工艺来形成磁感应部；在磁感应部的周边形成电极部；在磁感应部和电极部的至少一部分上形成一保护层并且暴露出电极部的金属接触区域。该磁感应部的迁移率高和方块电阻高，从而该化合物半导体霍尔元件的灵敏度高和功耗低。
制造化合物半导体霍尔元件方法

[发明专利]一种生长指令检查方法及装置-CN201711182035.1有效
发明人：吴文俊;颜建;胡双元;张念站;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G16C20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长指令检查方法及装置，其中方法包括：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。由于将特征字符提取出来并进行模拟生长得到模拟的生成结构，与目标结果对比从而检查MOCVD生长指令的正确性，相较于现有技术中的人工对生长指令的多次校对，节省了时间成本，并降低了生长失败的风险，提高了工作效率。
一种生长指令检查方法装置

[发明专利]化合物半导体霍尔元件-CN202110559427.5在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、磁感应部和电极部。该粘结层位于基板的表面上。该磁感应部通过粘结层键合到基板上。该电极部位于磁感应部的周边并且与磁感应部形成欧姆接触。该磁感应部的迁移率高和方块电阻高，从而该化合物半导体霍尔元件的灵敏度高和功耗低。
化合物半导体霍尔元件

[实用新型]一种高灵敏度霍尔元件-CN202022748350.X有效
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面的中心紧贴设置。本实用新型通过磁性层的作用，使得在磁场中，通过霍尔元件功能区的磁力线密度大幅增加，放大外界磁感应强度，从而同步提升霍尔元件的灵敏度，并且不增加工艺复杂性和成本。
一种灵敏度霍尔元件

[发明专利]制备InSb功能层的方法-CN202110099762.1在审
发明人：颜建;胡双元;黄勇;李鑫;吴文俊 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种制备InSb功能层的方法，包括：提供III‑V族化合物半导体单晶衬底；在所述III‑V族化合物半导体单晶衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长晶格常数匹配的过渡层；在所述过渡层上生长InSb功能层。根据本申请实施例的制备InSb功能层的方法，减少由于失配引起的InSb功能层的晶格失配位错密度，提高InSb功能层的晶体质量，从而有效的提高Insb霍尔元件的性能。
制备 insb 功能方法

[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法-CN202011333356.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面的中心紧贴设置。本发明通过磁性层的作用，使得在磁场中，通过霍尔元件功能区的磁力线密度大幅增加，放大外界磁感应强度，从而同步提升霍尔元件的灵敏度，并且不增加工艺复杂性和成本。
一种灵敏度霍尔元件及其制备方法

[实用新型]一种霍尔元件-CN202021906918.X有效
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种霍尔元件。一种霍尔元件包括：衬底；十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；电极层，设置在所述十字形功能区的端部；钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。根据本申请实施例的霍尔元件能够同时实现高灵敏度和高信噪比。
一种霍尔元件

[发明专利]一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法-CN201910488095.9在审
发明人：朱忻;金键;何彬德;帕勒布·巴特查亚 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，在磁敏功能层上设置有应力保护层，应力保护层覆盖在磁敏功能层和钝化层的剩余部分区域上。本发明磁传感部件整体结构较薄，将其反装于主磁路或导磁回路中，使得整体磁路缝隙减小，在保证磁传感器整体机械强度的基础上，提高了磁传感器的检测精度。
一种传感部件传感器制备方法

[发明专利]一种四晶单色仪的光路校准方法及校准装置-CN201810432509.1有效
发明人：吴文俊;张伊唯;周佳琪;马栋梁;张念站 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明公开了一种四晶单色仪的光路校准方法及校准装置，其中校准方法包括如下步骤：提供一光源，第一接收屏以及四晶单色仪；使光源发出的入射光照射到第一接收屏上，并记录第一接收屏上的光斑位置为第一光斑位置；保持光源和第一接收屏的相对位置不变，并将四晶单色仪设置于光源与第一接收屏之间；使光源发出的入射光照射到第一晶体上，入射光依次经过第一晶体～第四晶体反射后的出射光照射到第一接收屏上，并记录第一接收屏上的光斑位置为第二光斑位置；调整第一晶体～第四晶体中的至少一个晶体，以使第二光斑位置与第一光斑位置为同一位置。能够解决四晶单色仪中的光路偏移时，直接使用不可见的X射线进行光路校准难度较大的问题。
一种单色仪校准方法装置

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201910399336.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本发明实施例提供的半导体激光器，在衬底上形成有贯穿衬底的通孔，该通孔露出发光层远离出光镜面的第一表面，在发光层露出的第一表面上沉积有反射层，反射层与出光镜面共同构成半导体激光器的谐振腔，该半导体激光器反射层为沉积形成，与发光层的第一表面结合的较为紧密，使得半导体激光器的良率高，解决了现有技术中采用Bonding方式形成反射层不易在大面积晶圆上制作且制作后反射层与发光层表面结合不够紧密导致的良率较差的问题。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]霍尔元件及制备霍尔元件的方法-CN202010916284.4在审
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种霍尔元件及制备霍尔元件的方法。一种霍尔元件包括：衬底；十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；电极层，设置在所述十字形功能区的端部；钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。根据本申请实施例的霍尔元件能够同时实现高灵敏度和高信噪比。
霍尔元件制备方法

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