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[实用新型]一种霍尔集成器件-CN201620955325.X有效
发明人：胡双元;朱忻;黄勇 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元件上方，不但集成度高，而且避免了衬底种类对信号放大元件的影响，可适用霍尔元件种类范围广，有效降低了制造成本。
一种霍尔集成器件

[发明专利]一种自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法-CN201310503683.8有效
发明人：马栋梁;崔德国 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备，相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈，在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器，所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直；所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统，用于磁场强度的实时监测；所述通电线圈外接电路控制模块，所述电路控制模块与所述磁场强度侦测系统电连接，根据所述磁场强度侦测系统的数据调整流经通电线圈的电流，以改变磁场分布，使得磁场一直处于最优化的状态，即磁力线尽量与靶面处于同一平面，以达到靶材利用率最大的效果；而且，镀膜过程中，磁场强度可以实时监测进行调整，无需间断镀膜过程，生产效率高。
一种自适应磁场调整磁控溅射镀膜设备及其方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201610709856.5在审
发明人：胡双元;黄勇;颜建;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡层是不参与导通的，因此，P型锑化铟层不影响器件性能。而因为P型锑化铟层的存在，形成在其上方的非掺杂锑化铟层缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而有效提高了霍尔元件灵敏度。所述的霍尔元件的制备方法，工艺成熟，方法简单、可靠。
一种霍尔元件及其制备方法

[实用新型]一种霍尔元件-CN201521041349.6有效
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；InGaP钝化层和InGaP帽层中开设有暴露GaAs霍尔元件功能层部分区域的通孔，通孔内形成电极。通过这种结构优化，GaAs霍尔元件功能层上下表面均形成二维电子气结构，电子固定在这个区域内输运，减少了侧壁的缺陷对电子输运造成的影响，另一方面，GaAs霍尔元件功能层表面有InGaP帽层和InGaP钝化层的存在，消除了工艺过程对GaAs霍尔元件功能层表面的损伤，因而大幅提升了霍尔元件的稳定性和可靠性，同时降低了不平衡电压。
一种霍尔元件

[实用新型]一种霍尔元件-CN201520982755.6有效
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降低霍尔元件的失调电压，提高信噪比。
一种霍尔元件

[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法-CN201510948325.7在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a）提供半导体衬底；b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d）采用腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e）霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f）制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g）霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。根据本发明，采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜，性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件；采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层，可大大降低生产成本；磁性基板和芯片，可以大大提高霍尔元件的灵敏度。
一种灵敏度霍尔元件制备方法

[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法-CN201510941653.4在审
发明人：胡双元;帕勒布.巴特查亚;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：S1、在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长GaAs功能层和欧姆接触层；S2、对欧姆接触层和GaAs功能层进行图案化，形成台面；S3、在欧姆接触层表面蒸镀金属电极；S4、选择性腐蚀去除GaAs功能层表面的欧姆接触层；S5、在霍尔元件表面制备一层钝化层。根据本发明制备的霍尔元件，GaAs功能层的掺杂浓度可以非常低，因此拥有非常高的电子迁移率，器件的灵敏度非常高，而传统的低掺杂GaAs不容易形成良好欧姆接触的问题，则由表面的欧姆接触层完美解决，从而能够得到高灵敏度的霍尔元件。
一种灵敏度霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种锗硅光电探测器及其制备方法-CN201510938680.6在审
发明人：刘健;胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅光电探测器及制备方法，所述探测器的外延结构包括在P型Si衬底上依次外延生长本征Si缓冲层，P型重掺杂Ge层，i型Ge层，N型重掺杂Ge层，Si帽层；然后在外延层上蒸镀金属银层，做出特定的网格形状；最后，转移一层石墨烯在金属网格上，退火形成石墨烯金属网格复合透明电极。本发明技术方案能够获得较高质量的石墨烯透明电极，同时避免了原有蒸镀厚金属占用较大的光敏面积的缺点，在相同光敏台面面积下，此复合电极显著地提高了锗硅光电探测器的光谱响应度和耦合效率；此外，石墨烯生长的金属衬底可以重复利用，有效地降低了光电探测器的成本。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯硅太阳能电池及制备方法-CN201510937213.1在审
发明人：刘健;胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯硅太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的结构从下至上依次包括铜胶带基底层，液态镓铟合金电极层，N型硅片层，二氧化硅层，PMMA层（聚甲基丙烯酸甲酯）保护下的石墨烯透明电极层，银导电胶电极层。本发明技术方案能够获得高效率的石墨烯硅太阳能电池，具有较多的优点：首先通过调节石墨烯转移保护层PMMA的厚度，选择不去保护层PMMA的方法转移石墨烯避免了原有转移方法去保护层的过程中对石墨烯产生的破坏；其次保留PMMA层不仅在转移过程中较好的保护了石墨烯的性质，同时也对石墨烯进行P型掺杂，增大了石墨烯的功函数，从而有效地提高了石墨烯硅太阳能电池的开路电压；最后保留的PMMA层也具有增透膜的优点，在相同能量的光照下，此类型的太阳电池显著地提高了石墨烯硅太阳能电池的量子效率以及能量转换效率。
一种石墨太阳能电池制备方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201510932441.X在审
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；InGaP钝化层和InGaP帽层中开设有暴露GaAs霍尔元件功能层部分区域的通孔，通孔内形成电极。通过这种结构优化，GaAs霍尔元件功能层上下表面均形成二维电子气结构，电子固定在这个区域内输运，减少了侧壁的缺陷对电子输运造成的影响，另一方面，GaAs霍尔元件功能层表面有InGaP帽层和InGaP钝化层的存在，消除了工艺过程对GaAs霍尔元件功能层表面的损伤，因而大幅提升了霍尔元件的稳定性和可靠性，同时降低了不平衡电压。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种低暗电流铟镓砷探测器及其制备方法-CN201510928646.0在审
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积；所述钝化层中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极。通过外延方式制备的钝化层，其成膜质量远远高于传统工艺所制备的钝化层，可以大大降低铟镓砷探测器的暗电流，提高灵敏度。
一种电流铟镓砷探测器及其制备方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201510869115.9在审
发明人：胡双元 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降低霍尔元件的失调电压，提高信噪比。
一种霍尔元件及其制备方法

[实用新型]一种霍尔元件-CN201520770360.X有效
发明人：胡双元;黄勇 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种霍尔元件，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术问题。从而可以制备出接触电阻率低、灵敏度很高的霍尔元件。
一种霍尔元件

[实用新型]一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件-CN201520756633.5有效
发明人：胡双元;黄勇;朱忻 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括霍尔元件功能层薄膜，通过倒装焊的方式组装在绝缘散热底座上，绝缘散热底座预先已制备好电极图形。用于生长霍尔元件功能层薄膜的单晶衬底，通过衬底剥离的方式，与霍尔元件功能层薄膜分离，昂贵的单晶衬底经过简单处理后，可以重复用于外延生长，重复次数在20次以上，可大大降低生产成本。
一种化合物半导体霍尔元件

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201510640366.X在审
发明人：胡双元;黄勇 -专利权人： 苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术问题。从而可以制备出接触电阻率低、灵敏度很高的霍尔元件。
一种霍尔元件及其制备方法

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