专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种折叠板凳-CN202220000715.7有效
  • 苏博 - 上海几可工业设计有限公司
  • 2022-01-03 - 2022-06-28 - A47C7/00
  • 本实用新型属于家具设计技术领域,其公开了一种折叠板凳,包括伸缩机构,伸缩机构的上部安装有凳板,且伸缩机构的底部安装有底座,当伸缩机构完全收缩时底座与凳板形成一箱体。本实用新型提供的折叠板凳主要由伸缩机构、凳板以及底座组成,在使用时可伸长伸缩机构将凳板以及底座相互分离撑开,形成高度可以调节的伸缩板凳,在收纳时,可利用缩短伸缩机构将凳板以及底座相互靠近形成一个箱体,可有效节约占用的空间,收纳后便于携带,适用于不同场合、不同高度的空间场所,同时采用丝杆配合菱形伸缩架的组合形式可以达到不同高度任意控制的目的,从而使得该折叠板凳的实用性较好。
  • 一种折叠板凳
  • [外观设计]呼吸机-CN202230062807.3有效
  • 苏博;王洋洋 - 上海几可工业设计有限公司
  • 2022-01-29 - 2022-06-28 - 24-01
  • 1.本外观设计产品的名称:呼吸机。2.本外观设计产品的用途:用于呼吸机。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.本申请主要保护呼吸机的整体设计,包括整体圆润饱满的造型,黑白的原色搭配,湿化杯右置入的形式,操作面板悬浮感设计,操作面板背光灯设计。
  • 呼吸
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011506507.6在审
  • 李鹏翀;施雪捷;吴汉洙;苏博 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-12-18 - 2022-06-21 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法,形成方法包括:提供基底、伪栅结构、源漏掺杂区以及层间介质层;去除位于隔离区的伪栅结构形成隔离开口;对隔离开口下方的鳍部进行第一离子掺杂形成隔离掺杂区,隔离掺杂区的掺杂类型与源漏掺杂区的掺杂类型不同;在隔离开口中填充隔离结构;去除剩余的伪栅结构形成栅极开口;在栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例形成与源漏掺杂区的掺杂类型不同的隔离掺杂区,能够提高隔离区鳍部中反型离子的掺杂浓度,相应提高源漏掺杂区与隔离区鳍部所形成PN结的势垒,防止器件工作时在隔离区鳍部中产生导通电流,进而实现隔离区鳍部与其他区域鳍部之间的隔离,且无需进行鳍切工艺,使鳍部为连续的结构,避免鳍部中的应力释放。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种基于卷积长短时记忆神经网络的频谱感知方法-CN202210371753.8在审
  • 钱丽萍;苏博;王晨熙;王倩 - 浙江工业大学
  • 2022-04-11 - 2022-05-31 - H04B17/382
  • 一种基于卷积长短时记忆神经网络的频谱感知方法,先进行数据预处理得到2*N矩阵记作E0,将E0送入到ConvLstm2D网络,对E0进行第一次空间与时间特征提取得到输出的数据记作E1,将E1输入到批量归一化神经网络输出到归一化的数据记作E2,将E2输入到第二个ConvLstm2D网络中对IQ数据进行第二次空间和时间特征提取得到的数据记作E3;将E3输入到批量归一化神经网络中得到的数据记作E4;将E5输入到Flatten层将输入来的数据进行压平得到一维数据E5;然后将E5输入到全连接层得到数据E6;将E6输入到神经元为1的全连接层中,激活函数为sigmoid函数;通过最小化损失函数来训练模型参数。本发明极大程度的提高了频谱感知的性能。
  • 一种基于卷积短时记忆神经网络频谱感知方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011330970.X在审
  • 张海洋;苏博;肖杏宇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-11-24 - 2022-05-27 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,所述第一区上具有若干沿第一方向平行排布的第一鳍部;在所述衬底上形成若干伪栅结构,所述伪栅结构沿第二方向横跨于所述第一鳍部上,所述第一方向与所述第二方向垂直;在所述第一区上形成牺牲层,所述牺牲层内具有第一开口,所述第一开口暴露出位于相邻所述伪栅结构之间的第一鳍部;在所述伪栅结构两侧、以及所述第一开口暴露出的所述第一鳍部内形成第一源漏开口;在所述第一源漏开口和所述第一开口内形成第一源漏掺杂层。通过所述牺牲层提供阻挡,使得在第一源漏开口和所述第一开口内形成的各个所述第一源漏掺杂层的体积差异较小,进而提升最终形成的半导体结构的性能。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011265491.4在审
  • 苏博;吴汉洙;施雪捷 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-11-12 - 2022-05-13 - H01L29/78
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:所述沟道层包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区,所述第一区两侧分别与所述第二区相邻;形成横跨所述鳍部的若干栅极层,若干所述栅极层位于所述第二区上;在所述衬底上形成层间介质层,且所述层间介质层还位于所述栅极层侧壁;在所述层间介质层内形成沟槽,所述沟槽位于所述第一区上;向所述沟槽底部注入改性离子,使所述第一区形成掺杂区;在形成所述掺杂区之后,对所述掺杂区进行退火处理,使所述掺杂区形成第一隔离区,所述第一隔离区的形成不需要采用对鳍部先进行刻蚀形成隔断沟槽,而后在隔断沟槽内填充绝缘介质形成第一隔离区的方式,维持了所述沟道层的应力,改善了器件的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011265509.0在审
  • 苏博;吴汉洙;施雪捷 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-11-12 - 2022-05-13 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区,以及位于所述第一区表面的第一鳍部;在所述衬底表面形成隔离预制层,所述隔离预制层还位于所述第一鳍部侧壁;刻蚀所述第一鳍部,在所述隔离预制层内形成多个开口,所述开口侧壁暴露出所述隔离预制层;在所述开口侧壁形成阻挡层;在所述开口内形成沟道层。由于所述沟道层是采用沟道层材料在开口底部生长形成的,不需要通过先形成沟道材料层而后刻蚀得到,因此沟道层的应力由材料生长决定,不会产生因后续刻蚀导致的应力释放的情况,维持了沟道层的应力,不影响对沟道层载流子的迁移率的提高,改善了器件的性能。
  • 半导体结构形成方法

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