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- [发明专利]图像传感器的制备方法-CN202210884758.0在审
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胡启民;王晨旭;张栋;范晓
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2022-07-26
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2022-11-01
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H01L27/146
- 本发明提供一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底的背面形成背封氧化膜；在衬底的正面形成栅极结构、第一侧墙层和第二侧墙层；其中，在衬底的正面形成第一侧墙层和第二侧墙层的过程中，衬底背面的背封氧化膜上也相应形成第二侧墙层；对衬底的背面的第二侧墙层执行湿法刻蚀工艺以粗糙化衬底的背面的所述第二侧墙层的表面；形成电荷钳位层、源漏区。本申请通过在晶圆正面、背面形成第一侧墙层和第二侧墙层之后，对衬底的背面的第二侧墙层执行湿法刻蚀工艺以粗糙化衬底的背面的第二侧墙层的表面，从而在衬底背面得到特定粗糙度的所述第二侧墙层，可以减少传片过程中静电吸盘与晶背膜层之间解吸附的时间，避免在放电不充分时传片引起破片的情况。
- 图像传感器制备方法
- [发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN202110417982.4有效
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胡启民;王龙鑫;向超;范晓
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2021-04-19
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2022-08-16
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H01L21/28
- 本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：步骤一、提供形成有栅极结构的硅衬底，进行第一次湿法刻蚀将多晶硅栅表面以及栅极结构的侧墙外的有源区表面的剩余氧化层变薄；步骤二、形成SAB层；步骤三、对自对准金属硅化物形成区域的SAB层进行刻蚀，包括如下分步骤：步骤31、进行第一次干法刻蚀将SAB层的厚度减薄；步骤32、进行各向同性的第二次湿法刻蚀将多晶硅栅顶部以及有源区表面的SAB层以及剩余氧化层完全去除，剩余氧化层预先变薄使第二次湿法刻蚀时间减少并侧墙的侧面不会暴露出来；步骤四、形成金属层并进行金属硅化反应。本发明能防止栅极结构的侧墙侧面的SAB层被完全去除，从而能防止侧墙产生损伤。
- 对准金属硅形成方法
- [实用新型]一种喷淋廊体-CN201922062253.2有效
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胡启民;邹张荣;邱媛媛
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安琦道尔（上海）环境规划建筑设计咨询有限公司
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2019-11-23
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2020-09-08
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E03C1/04
- 本实用新型涉及景观设计技术领域，公开了一种喷淋廊体，包括连在游泳池旁的框架，框架包括多个拱形并位于同一球面上的空心支撑杆，相邻空心支撑杆之间连有多个连接杆，游泳池旁埋地设置有温水箱，温水箱安装有具有出水口的第一抽水泵，出水口通过淋浴管道与空心支撑杆连通，淋浴管道的中间部位设置有第一控制阀；空心支撑杆开设有均与其内部空腔连通的进水口与淋浴口，进水口与淋浴管道连接，淋浴口朝向框架包围的中间部位；人们从游泳池内出来后立即走到拱形框架包围的区域内，然后打开第一控制阀，让第一抽水泵从温水箱内抽出的水通过空心支撑杆喷出，从而不让人们离开游泳池后进行长距离的行走，避免因为其体表会有水分蒸发而着凉。
- 一种喷淋
- [实用新型]一种园林垃圾箱-CN201922062254.7有效
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胡启民;邹张荣;邱媛媛
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安琦道尔（上海）环境规划建筑设计咨询有限公司
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2019-11-23
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2020-09-01
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B65F1/00
- 本实用新型涉及园林景观技术领域，公开了一种园林垃圾箱，包括箱体和垃圾盛装筒，垃圾盛装筒包括干垃圾筒和湿垃圾筒,箱体上开设有干垃圾投放口和湿垃圾投放口,箱体的上通过第一转动轴连接有干垃圾遮挡盖,箱体上通过第二转动轴连接有湿垃圾遮挡盖，第一转动轴上连有干盖传动齿轮，第二转动轴上连有湿盖传动齿轮，箱体上通过第三转动轴连有扇形齿轮，第三转动轴上连有上端传动齿轮,上端传动齿轮通过链条连有下端传动齿轮,下端传动齿轮通过第四转动轴转动连接在箱体上，第四转动轴上连有驱动件，箱体上有支撑板，驱动件与支撑板铰接，驱动件远离支撑板的一侧连有脚踏板，本实用新型具有提高扔垃圾的卫生程度的优点。
- 一种园林垃圾箱
- [实用新型]一种烘干廊架-CN201922045750.1有效
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胡启民;邹张荣;邱媛媛
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安琦道尔（上海）环境规划建筑设计咨询有限公司
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2019-11-23
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2020-09-01
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F26B9/10
- 本实用新型涉及景观建筑领域，公开了一种烘干廊架，包括空心框架，空心框架上开设进风口和出风口，烘干廊架旁放有支撑台，支撑台设有鼓风机，进风口与鼓风机，打开鼓风机，热风从鼓风机的送风口经管道到进风口，通过框架内的空心通道，从出风口汇聚到烘干廊架围成区域的中心部位，使烘干廊架具有烘干功能；烘干廊架底部中心地面上放置烘干装置，烘干装置上开设入风口，入风口与鼓风机通过管道接通，打开鼓风机，热风从鼓风机经管道到入风口，风从弧面板与定位壳的缝隙集中到弧面板中心上方，弧面板与定位壳活动连接，用手移动弧面板，可以改变出风角度，装置的适用性和实用性更强。
- 一种烘干
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