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[发明专利]一种多通道高速柔板-CN202210505979.2有效
发明人： 维卡斯·马南;王刚;蔡佳林 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及光通信技术领域，特别是涉及一种多通道高速柔板，所述多通道高速柔板为多层结构，包括至少一层绝缘层，并且不同层上的高速线在所述绝缘层上的投影不相交。本发明中将柔板多通道差分高速走线采用错层设计，此种设计可以在保证柔板宽度不变的情况，可使不同通道间的间距增大二倍，分层布设通道和间距的增大提高了通道间抗串扰的能力。
一种通道高速

[发明专利]用于光通信的低频补偿电路、模块、调制驱动器及芯片-CN202210308531.1有效
发明人： 维卡斯·马南 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明涉及光通信中宽带驱动器IC低频增益调整技术领域，特别是涉及用于光通信的低频补偿电路、模块、调制驱动器及芯片，电路包括晶体管和与晶体管输出端串联的匹配电阻，所述晶体管输出端输出射频信号，所述匹配电阻两端还并联了第一支路，所述第一支路包括串联的第二匹配电阻、第一电感和场效应管，所述场效应管的源极与所述晶体管输出端连接，所述场效应管的漏极与第一电感连接，根据所述场效应管的栅极输入电压的变化，所述场效应管的等效阻抗变化。有益效果在于，这种补偿电路有助于克服PCB损耗和调制器的频率响应，输出级保持输出摆动，同时仍然实现低频增益补偿，从而得到一个平坦的频率响应。
用于光通信低频补偿电路模块调制驱动器芯片

[发明专利]用于信号传输线路特征阻抗匹配的管座及高频光发射器件-CN202111608129.7有效
发明人： 维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本发明涉及用于信号传输线路特征阻抗匹配的管座及高频光发射器件。用于信号传输线路特征阻抗匹配的管座包括金属底座，金属底座上穿设有信号PIN针，金属底座顶面导电连接有调节块，调节块上设有沿金属底座轴向的调节槽，调节槽具有圆弧形槽底；每个信号PIN针与一个调节槽的圆弧形槽底同轴设置并具有间距，用于调节对应信号PIN针凸出金属底座顶面的部分的特征阻抗。利用调节块能够快速有效的对每个信号PIN针凸出金属底座顶面的部分的特征阻抗进行调整，使得该部分特征阻抗与之连接器件的特征阻抗匹配，进而避免引起信号传输时的劣化，且调节块结构简单，便于加工，针对不同的电子器件外形尺寸，能够快速变更，适应不同的产品需求，且安装方便。
用于信号传输线路特征阻抗匹配高频发射器件

[发明专利]一种激光二极管芯片安装基板-CN202010239582.4有效
发明人： 维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本发明公开了激光二极管安装领域的一种激光二极管芯片安装基板。包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分；第一部分上具有用于安装激光二极管芯片的镀层；第二部分上具有两个相互绝缘的镀层；在基板上还有用于定位所述棱镜的定位结构。本发明的有益效果在于，通过安装基板的结构设计，使得激光二极管芯片和棱镜可以放置在一个基板上，减小了尺寸公差，保证了光路精度。
一种激光二极管芯片安装

[发明专利]高速光信号发射器件的壳体组件及高速光信号发射器件-CN202111118079.4在审
发明人：鞠兵;维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01S5/02212 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速光信号发射器件的壳体组件及高速光信号发射器件，壳体组件包括壳体、热沉基板、激光器和驱动芯片，热沉基板、激光器和驱动芯片封装于壳体内，激光器和驱动芯片按照壳体的轴线方向相邻放置于热沉基板。本发明将驱动芯片和激光器相邻放置安装于热沉基板，并封装于壳体中，使二者连接线路尽可能的短，避免了驱动芯片和半导体激光器之间长的走线，降低了长的走线带来的寄生电感和寄生电容，提高了光发射器件的使用带宽，使得高速光信号发射器件能容易地工作在25Gb/s及以上速率，更适合应用于高速率光通信设备。同时，本发明采用了没有转折的直线光路设计，减少一部分光转折元件和工序，有效降低了高速光信号发射器件的成本。
高速信号发射器件壳体组件

[发明专利]一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构及其应用-CN202110800578.5在审
发明人： 维卡斯·马南 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构及其应用，结构中直接调制激光器和驱动器串联连接；其中，直接调制激光器的阳极作为射频接地，直接调制激光器的阴极与所述驱动器射频连接节点连接；所述直接调制激光器的电流全部沉入、流入、或吸入到所述驱动器中，并且驱动器电流与所述直接调制激光器的电流相等，所述结构应用于10Gbs以上激光器驱动电路中，驱动器电流全部用于调制激光器，能够降低电流消耗并提高驱动器的高速性能。
一种下沉直接调制激光器驱动器结构及其应用

[发明专利]在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法和电路-CN201910497653.8有效
发明人： 维卡斯·马南 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了光通信技术领域中的一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法和电路。方法的步骤包括：获取伪差分跨阻放大电路输出的两路交流电压信号；通过输出的两路交流电压信号得到电流过载信号值；将电流过载信号值与预设的参考电压值作比较，当电流过载信号值大于预设的参考电压值时，将伪差分跨阻放大电路的一个输入端的电流部分分流到另一个输入端。本发明的有益效果是，在高速电路和系统中，将伪差分TIA交流电流分流到虚拟GND点，而不是物理的GND点，减少了电路中的元器件，降低了电路元器件布局的难度；保持了TIA的稳定，并保持TIA带宽不变；从虚拟GND的角度将MOS器件的并联电容减半，从而降低寄生电容。
接收机使用 tia 过载电流校正方法电路

[发明专利]一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构及其应用-CN201810835574.9有效
发明人： 维卡斯·马南 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构及其应用，能够降低驱动器的功耗并提高驱动器的高速性能，且集成度高、体积小。该结构中DML和驱动器串联连接；其中，DML的阳极作为射频接地，DML的阴极与驱动器射频连接节点连接；射频输入信号经由驱动器转换为驱动器电流来对DML电流进行调制；DML电流全部沉入、流入、或吸入到驱动器中，并且驱动器电流与DML电流相等。
一种下沉直接调制激光器驱动器结构及其应用

[实用新型]一种光信号发射器件-CN202020434456.X有效
发明人： 维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了激光二极管领域的一种光信号发射器件，光信号发射器件包括驱动芯片组件、激光器TEC组件和壳体，驱动芯片组件和激光器TEC组件封装于所述壳体中，激光器TEC组件中的激光器热沉基板包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分，第一部分上具有用于安装半导体激光器LD的镀层，激光器热沉基板上还有用于定位所述棱镜的定位结构。本发明的有益效果在于，避免了驱动芯片和半导体激光器之间长的走线，降低了长的走线带来的寄生电感和寄生电容，解决了寄生电感、寄生电容以及阻抗不匹配等带来的影响高频信号质量的问题，提高了光发射器件的使用带宽，使得光信号发射器件更适合应用于高速率光通信设备。
一种信号发射器件

[外观设计]激光发射器封装-CN202030116405.8有效
发明人： 维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：激光发射器封装。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于该发射器后续组装设计。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品形状、图案及其结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
激光发射器封装

[发明专利]一种光信号发射器件-CN202010238606.4在审
发明人： 维卡斯·马南;赖人铭 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了激光二极管领域的一种光信号发射器件，光信号发射器件包括驱动芯片组件、激光器TEC组件和壳体，驱动芯片组件和激光器TEC组件封装于所述壳体中，激光器TEC组件中的激光器热沉基板包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分，第一部分上具有用于安装半导体激光器LD的镀层，激光器热沉基板上还有用于定位所述棱镜的定位结构。本发明的有益效果在于，避免了驱动芯片和半导体激光器之间长的走线，降低了长的走线带来的寄生电感和寄生电容，解决了寄生电感、寄生电容以及阻抗不匹配等带来的影响高频信号质量的问题，提高了光发射器件的使用带宽，使得光信号发射器件更适合应用于高速率光通信设备。
一种信号发射器件

[发明专利]一种集成了直流隔离的IC及其应用-CN201711239594.1有效
发明人： 维卡斯·马南 -专利权人：成都英思嘉半导体技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成了直流隔离的集成电路IC及其应用，能够将小电容集成到用于光通信的宽带IC内部的输入端并简化阻抗匹配。该IC内部的输入端集成了输入阻抗、集成式直流隔离电容、有源器件、以及偏置电阻；其中，所述输入阻抗的一端接地，另一端与IC外部的直流输入和集成式直流隔离电容的前端连接；所述集成式直流隔离电容的的后端与有源器件的栅极连接；所述偏置电阻一端接地，另一端连接在集成式直流隔离电容的后端与有源器件之间；所述有源器件作为IC的第一级输入与IC内部的输入端之外的电路其他部分连接。
直流隔离电容集成式源器件输入端偏置电阻输入阻抗直流隔离接地集成电路IC 一端连接栅极连接直流输入阻抗匹配第一级小电容光通信宽带应用电路外部

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