专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种应力传感器的制备及回收方法-CN202111388511.1在审
  • 石胜伟;张琪;徐金新;覃鑫;彭婷 - 武汉工程大学
  • 2021-11-22 - 2022-03-04 - G01L1/16
  • 本发明公开了一种以聚乙烯醇和金属纳米线为主体材料的半包覆结构应力传感器的制备工艺和回收工艺。其中制备工艺包括:首先将聚乙烯醇水溶液进行蒸发至粘稠态,然后将金属纳米线的水分散液均匀涂布在聚乙烯醇上,继续在室温条件进行蒸发成膜,制备得到半包覆结构的应力传感器。该应力传感器对拉伸和压力等形变均表现出较好的响应性,具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好以及可重复性优异等特点,可应用于人体的多种动作监测以及未来的人机交互等领域。此外,使用之后的传感器可采用溶剂溶解、干燥以及超声分散的简单工艺实现对其中金属纳米线的高效回收和再利用,适合推广应用。
  • 一种应力传感器制备回收方法
  • [发明专利]矿山工程创面生态修复方法-CN201811406231.7有效
  • 周云涛;石胜伟;吴帆;张勇;蔡强;梁炯;程英建 - 中国地质科学院探矿工艺研究所
  • 2018-11-23 - 2021-10-15 - A01B79/02
  • 本发明公开了一种矿山工程创面生态修复方法,包括如下步骤:配置营养土,加入水搅拌均匀后将营养土分层压实填入植物栽植基盘内,同时将乔木幼苗栽种至营养土内,盖上防蒸发盘;针对不同地区气候特点,选择合适的季节放置植物栽植基盘;乔木基盘栽种前应先在矿山修复区开挖基槽;将乔木栽植基盘置于基槽内,采用水管浇灌基盘,待基盘储水层饱和后停止,然后用现场土将基盘周边缝隙填实;乔木栽植基盘现场安置完成后,第一年应每隔一月进行现场观测和维护。本发明改善后的矿山岩土体逐渐向可供植物生长的富营养土壤环境改变,随着时间的推移,周围灌木、草丛生,进一步扩大矿山岩土体改善面积,形成了自然环境的良性循环。
  • 矿山工程创面生态修复方法
  • [发明专利]一种集成式边坡排水加固系统-CN202011435010.X在审
  • 蔡强;贺伟明;石胜伟;梁炯;周云涛 - 中国地质科学院探矿工艺研究所
  • 2020-12-10 - 2021-02-26 - E02D17/20
  • 本发明公开了一种集成式边坡排水加固系统,涉及地质灾害防治技术领域。所述排水加固系统包括用于收集边坡土体渗水的竖向排水结构、用于将渗水排出土体的横向排水通道,所述竖向排水结构为沿竖直方向延伸的中空柱状结构,所述竖向排水结构内部设置有沿相同方向延伸的竖向排水通道,所述竖向排水结构侧壁设置有用于连通竖向排水通道与竖向排水结构外部的土体渗水通道,所述横向排水通道与竖向排水通道连通。本发明能够有效汇集坡内积水,排释积水至坡体外,减小边坡岩土体的含水率,减弱雨水对滑体和滑面的侵蚀软化作用,减弱坡体因水而引起的物理力学性能衰减程度。同时竖向排水结构与设置的挡土墙作为支护结构进一步提升边坡的稳定性。
  • 一种集成式边坡排水加固系统
  • [发明专利]一种可调节一维自旋交叉分子磁性材料的制备方法-CN202011097179.9在审
  • 石胜伟;贺琦祺;张欢;江梦云;桂子欣;徐金新;杨克聪;覃鑫 - 武汉工程大学
  • 2020-10-14 - 2020-12-22 - C07F15/02
  • 本发明公开了一种可调节一维自旋交叉分子磁性材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将1H‑1,2,4‑三氮唑的甲醇溶液与FeX的调节溶液混合反应结晶后,用甲醇洗涤并干燥,即得一维自旋交叉分子磁性材料;当所述FeX的调节溶液为FeX的酸溶液时,所述一维自旋交叉分子磁性材料的分子式为C6H9FeN9Xm,化学式为:[Fe(Htrz)3]Xm•nH2O,当所述FeX的调节溶液为FeX的中性醇溶液时,所述一维自旋交叉分子磁性材料的分子式为C6H8FeN9Xk,化学式为:[Fe(Htrz)2(trz)]Xk,其中,trz代表1,2,4‑三氮唑,Htrz代表1H‑1,2,4‑三氮唑,X代表CF3SO3、BF4中的一种,n、m、k均为自然数,常温常压下,通过酸或醇环境的调节,改变一维自旋交叉分子磁性材料分子的配体结构,扩大一维自旋交叉分子磁性材料自旋转变温度应用范围。
  • 一种调节自旋交叉分子磁性材料制备方法

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