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[发明专利]化合物半导体晶片的加工方法以及加工装置-CN201080060614.9无效
发明人： 目崎义雄;山崎哲弥;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种能够降低化合物半导体晶片的缺陷、破裂不良的研磨加工方法。本发明的化合物半导体晶片的加工方法对化合物半导体晶片的双面进行抛光加工，包括在上平台与下平台之间配置上述半导体晶片而进行抛光加工的工序，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。本发明的加工装置包括上平台和下平台，用于在上述上平台与下平台之间配置半导体晶片而对该半导体晶片的双面进行抛光加工，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。
化合物半导体晶片加工方法以及装置

[发明专利]氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的加工方法-CN200910138981.5无效
发明人：西浦隆幸;目崎义雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板(20)，其具备多个条纹区域(12)，该多个条纹区域(12)由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域(14)的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域(12)延伸的方向(ST)为基准，在氮化物半导体基板(20)的缘的规定位置形成定向平面(OF)。
氮化物半导体加工方法

[发明专利]包装化合物半导体衬底的方法-CN200910133055.9有效
发明人：西浦隆幸;目崎义雄;薮原良树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。所述化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤：将化合物半导体衬底(10)插到可透气的刚性容器(20)内，将所述刚性容器(20)放到具有1～100ml·m^-2·天^-1·atm^-1的透氧率和1～15g·m^-2·天^-1的透湿率的内包装袋(30)内，用惰性气体置换所述内包装袋(30)内的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤：将所述密封的内包装袋(30)和至少吸收或吸附氧气和水分的脱氧剂/脱水剂(40)放到外包装袋(60)内，并对所述外包装袋(60)进行气密性密封，所述外包装袋(60)具有5ml·m^-2·天^-1·atm^-1以下且低于所述内包装袋(30)的透氧率，并具有3g·m^-2·天^-1以下且低于所述内包装袋(30)的透湿率。
包装化合物半导体衬底方法

[发明专利]GaAs半导体衬底及其制造方法-CN200710167164.3有效
发明人：西浦隆幸;目崎义雄;堀江裕介;樋口恭明 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。
gaas 半导体衬底及其制造方法

[发明专利]化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法-CN200710162471.2有效
发明人： 目崎义雄;西浦隆幸;中山雅博 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表面上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤(S10)、第一抛光步骤(S20)和第二抛光步骤(S30)。在制备步骤(S10)中，制备化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)之后的第二抛光步骤(S30)中，利用包含无机增效剂pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。
化合物半导体衬底及其抛光方法外延制造

[发明专利]氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的加工方法-CN200610114883.4无效
发明人：西浦隆幸;目崎义雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板(20)，其具备多个条纹区域(12)，该多个条纹区域(12)由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域(14)的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域(12)延伸的方向(ST)为基准，在氮化物半导体基板(20)的缘的规定位置形成定向平面(OF)。
氮化物半导体加工方法

[发明专利]化合物半导体晶片的制备方法-CN02800537.6无效
发明人：冈本贵敏;目崎义雄;森本俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2002-03-01 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。
化合物半导体晶片制备方法