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[发明专利]一种大尺寸厚壳层的无镉蓝光量子点及其制备方法和应用-CN202210361152.9有效
发明人：张婷婷;白锦科;黄小月;金肖;李清华;李栋宇;黄贞;徐兵;王凛峰 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域。本发明提供了一种大尺寸厚壳层的无镉蓝光量子点的制备方法，本发明首先合成小尺寸的ZnSe种子，随后单独制备了同时含有Zn和Se元素的ZnSe前驱体，连续附着在ZnSe种子表面，获得大尺寸ZnSe晶核；通过调节Zn、Se和S离子的比例，制备了同时含有三个元素的ZnSeS前驱体，从而合成了具有梯度渐变能隙的ZnSexS1‑x合金壳层，构建了梯度渐变的势阱；最后通过薄层ZnS外壳层的包覆，进一步提升电子和空穴波函数交叠，提高其发光效率。本发明中大尺寸的硒化锌晶核保证了纯正的蓝光发射，梯度渐变壳层的包覆在修饰量子点表面缺陷的同时，也丰富了整体量子点的光学和电学特性。
一种尺寸厚壳层无镉蓝光量子及其制备方法应用

[发明专利]一种窄线宽红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点及其制备方法-CN202210360099.0有效
发明人：金肖;白锦科;李清华;张婷婷;黄小月;李栋宇;黄贞;徐兵;王凛峰 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及半导体量子点技术领域，尤其涉及一种窄线宽红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将氧化镉、硬无水醋酸锌、油酸和三辛胺混合，加热抽真空后，充入氮气，混合物与Se前驱体A混合得到CdZnSe种子；(2)将CdZnSe种子与Se前驱体B混合，进行CdZnSe种子的二次生长，得到CdZnSe晶核；(3)将CdZnSe晶核、硬脂酸锌、Se前驱体B和十二酸混合后进行反应，完成ZnSe外壳层包覆。本发制备的高质量的红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点分别表现出16.1nm、16.5nm和11nm的荧光半峰宽。
一种窄线宽红 cdznse znse 量子及其制备方法

[发明专利]一种无镉蓝光量子点及其制备方法-CN202210372901.8在审
发明人：张婷婷;白锦科;黄小月;金肖;李清华;李栋宇;黄贞;徐兵;王凛峰 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于量子点材料技术领域，公开了一种无镉蓝光量子点及其制备方法。该量子点由内到外依次包括ZnSe/ZnSe晶核、ZnSeS合金壳层、ZnS外壳层；利用高温热注入法合成具有紫光发射的ZnSe种子，然后对ZnSe种子进行二次生长，得到具有大于等于450nm发射波长的晶核；再通过调控Se离子和S离子的比例得到不同能隙的合金壳层，从而调控整体量子点的载流子分布；最后通过ZnS外壳层的包覆，对量子点表面进行修饰，同时提升载流子限域，进而提高其发光效率。本发明的量子点具有较高的荧光量子产率、较窄线宽且尺寸均一，可以应用于各类光电器件领域。
一种无镉蓝光量子及其制备方法

[发明专利]一种窄线宽磷化铟量子点的制备方法-CN202210361138.9在审
发明人：金肖;王凛烽;张婷婷;李清华;黄小月;白锦科;李栋宇;黄贞;徐兵 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄线宽磷化铟量子点的制备方法，属于纳米材料合成技术领域。本发明在室温下，将铟前驱体、磷前驱体和成核稳定剂加入反应中混合并反应，得到磷‑铟复合物后在高温下分解合成磷化铟量子点。本发明在成核前加入稳定剂，进一步确保了量子点成核尺寸分布的均一性。通过本申请的制备方法，可以比较稳定的获得窄线宽的磷化铟纳米晶，为磷化铟量子点在显示或其他需要窄线宽领域的研究和应用提供了更好的选择。
一种窄线宽磷化量子制备方法

[发明专利]CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法-CN201910349063.0有效
发明人：张芹;白锦科;杨文学;赵文天;张余宝;黎芳芳;秦元成 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供一种CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法，具体采用前体高温注入法与种子生长法搭配合成，通过调解CdZnSe核中Zn与Cd比例，得到不同尺寸且均一的核量子点，随后在核外包覆薄的CdSe壳层，保证发光波长趋于550 nm左右，另外通过控制反应速率以及温度保证量子点尺寸均一性，最后以ZnS作为外壳层进行表面修饰，同时调控发光波长，使CdZnSe/CdSe/ZnSe量子点的波长位于540 nm左右。本发明CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点具有90%的荧光量子产率，半高全宽小于30 nm，在高效量子点发光二极管中有着极大应用前景，能显著进提高发光二极管的光电性能。
cdznse cdse znse 光量子制备方法

[发明专利]单色量子点发光二极管的结构及制备方法-CN201811078350.4有效
发明人：张芹;常春;张文静;白锦科 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种单色量子点发光二极管的结构及制备方法，单色量子点发光层包括第一种量子点发光层和第二种量子点发光层，采用旋涂或喷墨打印的方法，将第一量子点在玻璃上制成第一量子点发光层，然后在第一量子点发光层上旋涂或喷墨打印第二量子点，形成第二量子点发光层，构成单色量子点发光层，并在空穴注入传输层和电子注入传输层之间设置单色量子点发光层，构成单色量子点发光二极管。本发明实现了台阶式能级结构单色发光层的构建，促进发光层内载流子的传输，提升单色量子点发光二极管的发光效率，进一步提升器件的性能，满足人们的生活需要。
单色量子发光二极管结构制备方法

[发明专利]一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法-CN201811471095.X在审
发明人：张婷婷;白锦科;徐兵;李栋宇 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法，属于纳米晶材料制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在4.0nm左右的CdZnS核量子点，CdZnS量子点沉淀与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.7nm的CdZnS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体合成CdZnS/CdSe/CdZnS量子点量子阱；该发明方法可以缓解CdZnS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，有效改进了传统的核壳结构的量子点的荧光量子产率；制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。
量子点制备量子阱近似球形发光层高荧光产率滴加量子荧光量子产率制备技术领域混合前驱体纳米晶材料前驱体合成发光效率核壳结构连续离子配位溶剂修饰表面阴阳离子有效改进传统的适配度外壳层阳离子阴离子应变层相干包覆晶格壳层粒径吸附沉淀缓解

[发明专利]一种荧光渗透剂及其应用-CN201810387785.0在审
发明人：金信鸿;邬冠华;李清华;张小海;敖波;吴伟;白锦科;向萍;王文强 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种荧光渗透剂，包括以下组分：核壳结构量子点、表面活性剂和有机溶剂。在本发明中，所述核壳结构量子点可以有效的钝化核层纳米微粒表面的非辐射复合中心，核壳结构减少了普通结构量子点在导带的捕获态，显著提高发光效率和光稳定性；表面活性剂可以改变荧光渗透剂的表面张力，提高荧光渗透剂在被检试件的润湿性；有机溶剂可以使荧光渗透剂分子间存在一定的内摩擦力，使其能够提高在试件上的附着力，进而提高荧光渗透剂的渗透率。当将其用于试件的检测时，能够很清晰的显示试件的裂纹缺陷。
荧光渗透剂试件核壳结构量子点表面活性剂有机溶剂附着力非辐射复合中心纳米微粒表面发光效率光稳定性裂纹缺陷捕获态润湿性渗透率导带钝化核层清晰检测应用

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