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[发明专利]光电开关-CN201810649487.4有效
发明人： 畑中浩;田中实;高宫知广 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本发明涉及光电开关，抑制由直流干扰光造成的影响。具备：IV电路(1)，其具有运算放大器(U1)；电阻(R1)，其一端连接到运算放大器(U1)的反相输入端子，另一端连接到该运算放大器(U1)的输出端子；电阻(R2)，其一端连接到运算放大器(U1)的反相输入端子，另一端连接到恒压电源(Vcc)；基准电压生成电路(2)，其生成基准电压，并输出到运算放大器(U1)的非反相输入端子；输出电压监控电路(3)，其监控从运算放大器(U1)的输出端子输出的电压；以及控制逻辑电路(4)，其基于输出电压监控电路(3)的监控结果来控制基准电压生成电路(2)。
光电开关

[发明专利]距离设定型光电传感器-CN201811465060.5有效
发明人：细井贵之;畑中浩;田中实;铃木慎一郎 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G01C3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在由检测体产生的反射光包含光泽反射光的情况下，也能降低其影响的距离设定型光电传感器。该距离设定型光电传感器具备：投光部(1)，其投出光；受光部(2)，其接受光，并具有当检测体(10)位于比设定距离近的位置时能够接受由该检测体(10)产生的漫反射光的N侧受光面、以及当检测体(10)位于比设定距离远的位置时能够接受由该检测体(10)产生的漫反射光的F侧受光面；位置判定部(31)，其判定由受光部(2)接受的光的受光位置；强度判定部(32)，其判定由受光部(2)接受的光的受光强度；以及有无判定部(33)，其根据位置判定部(31)以及强度判定部(32)的判定结果来判定检测体(10)的有无。
距离定型光电传感器

[发明专利]光电传感器-CN201811025712.3有效
发明人：高宫知广;畑中浩 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明的光电传感器即便在设置有箝位电路(2)的情况下也会扩大动态范围。本发明的光电传感器具备：IV转换电路(1)，其具有OP放大器(U1)；晶体管(Q1)，其集电极端子连接于OP放大器(U1)的反相输入端子，发射极端子连接于OP放大器(U1)的输出端子；以及恒压源(V2)，其正极端子连接于晶体管(Q1)的基极端子，负极端子接地。
光电传感器

[发明专利]集成电路-CN202010522753.4在审
发明人： 畑中浩 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于现有结构能够对应更宽范围的设定电流值且能够设定宽的电流范围的集成电路。集成电路(1)具有：共源共栅电流镜电路(101)；运算放大器(OP)，在其同相输入端子输入基准电压，其反相输入端子与端子(102)连接；多个并联连接的MOS晶体管(M20)，其栅极端子与运算放大器(OP)的输出端子连接，其源极端子与端子(102)连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路(101)连接；多个并联连接的MOS晶体管(M21)，其栅极端子与运算放大器(OP)的输出端子连接，其源极端子与端子(102)连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路(101)连接，MOS晶体管(M11)与MOS晶体管(M13)的尺寸比和MOS晶体管(M12)与MOS晶体管(M14)的尺寸比相同。
集成电路

[发明专利]振荡电路-CN202010588632.X在审
发明人： 畑中浩;尾身知子 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于现有结构改善了温度特性且提高了调节精度的振荡电路。振荡电路(1)具有：比较器电路(cmp1)，其对振荡电压和第一基准电压进行比较，所述振荡电压是连接并联谐振电路(2)的一端的OSC端子(103)处的电压，所述第一基准电压是成为正反馈的电压；以及电流镜电路(101)，其基于比较器电路(cmp1)的比较结果，在振荡电压比第一基准电压大的情况下，使反馈电流向OSC端子(103)流动。
振荡电路

[发明专利]光电传感器-CN201610550727.6有效
发明人： 畑中浩;田中实 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G01V8/22 文献下载
摘要：一种具备分流电路的光电传感器，相对于现有结构，谋求在对分流电路的分流比率进行设定时的操作性及设定精度的提高。具有分流控制电路(12)，其就每个分流电路(4)，沿光电二极管(PD)的一方的排列方向，分别设定成为针对前段的分流电路(4)的基准电压的电压值以上的基准电压，且对所有的分流电路(4)，从包含所有的基准电压的范围中设定一个共同的控制电压。
光电传感器

[发明专利]光电传感器-CN201610488013.7有效
发明人：田中实;畑中浩;细井贵之 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：提供一种光电传感器，其针对现有结构，可更切实地避免因相互干扰而引起的误动作。包括：干扰检测部(113)，在没有投光部的投光的状态下，通过在一定时间、将受光部的受光结果与第一阈值及以无信号状态为基准并取第一阈值的相反符号的值的第2阈值进行比较，来对干扰进行检测；待机部(115)，在检测到干扰的情况下，进行待机直到受光部的受光结果变成在第1阈值和第2阈值的范围内为止；干扰判定部(116)，在待机后，再次进行干扰的检测；投光指示部(117)，在一定时间未检测到干扰的情况下，指示投光部进行投光。
光电传感器

[发明专利]铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器-CN201180056450.7有效
发明人：大住俢司;能见育孝;中村宣夫;畑中浩;梶谷富男 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。
置换稀土铁石晶体隔离器

[发明专利]铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器-CN201180056431.4有效
发明人：大住俢司;能见育孝;中村宣夫;畑中浩;梶谷富男 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的晶体膜，其特征在于，以化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12（其中，0＜x＜3，0＜y＜3）表示，并且，La、Gd、Bi的组成比在La-Gd-Bi三元系组成图上具有相当于以组成点A、组成点B、组成点C、组成点D作为顶点的四角形内部的数值范围。其中，组成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、组成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、组成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、组成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。
置换稀土铁石晶体隔离器

[发明专利]光电开关-CN201210403111.8无效
发明人： 畑中浩;中尾隆志;佐佐木宏;铃木慎一郎 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明提供一种光电开关，该光电开关即使在将多个光电开关联装使用时有相互干涉的情况下，也能正常地判定是入光状态还是遮光状态。投光部(10)按照由图案选择部(11)在投光周期及投光脉冲宽度分别不同的三种投光图案A～C中选择的规定的投光图案进行投光。受光部(20)的脉冲宽度判定电路(30)根据与由图案选择部(21)所选择的投光部(10)相同的投光图案的脉冲宽度信息，将因投光脉冲宽度的投光图案的差异作为受光信号的脉冲宽度的差异进行检测，以区别是自发光还是干涉光。
光电开关

[发明专利]光电传感器-CN201210384606.0有效
发明人：加藤太一郎;梶田徹矢;畑中浩;高宫知广;佐藤永幸 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01D5/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光电传感器，其和投光部侧不进行同步，在解调受光部的受光信号时，使消耗电力降低且使信号检测等级提高。受光部（20）具有产生基准电压的基准电压产生电路（27）。BFP电路（24）将该基准电压设定为提取的信号的中心值，通过从受光信号提取载波频率附近的信号，除去噪声成分。绝对值电路（25）对BFP电路（24）的输出信号以该基准电压进行全波整流，对来自于投光部（10）的信号成分进行检波。LPF电路（26）从绝对值电路（25）的输出信号除去高频成分。
光电传感器

[发明专利]光电传感器-CN201210384599.4有效
发明人：加藤太一郎;梶田徹矢;畑中浩;高宫知广;佐藤永幸 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01D5/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光电传感器，其和投光部侧不进行同步，在解调受光部的受光信号时，使消耗电力降低且使信号检测等级提高。受光部（20）具有产生基准电压的基准电压产生电路（27）。BFP电路（24）将该基准电压设定为提取的信号的中心值，通过从受光信号提取载波频率附近的信号，除去噪声成分。绝对值电路（25）对BFP电路（24）的输出信号以该基准电压进行全波整流，对来自于投光部（10）的信号成分进行检波。LPF电路（26）从绝对值电路（25）的输出信号除去高频成分。
光电传感器

[发明专利]高频振荡型接近传感器-CN02812173.2有效
发明人：林巧;川井真一;畑中浩 -专利权人：株式会社山武
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明提供一种高频振荡型接近传感器，该传感器采用双线线圈作为检测用线圈11，所述双线线圈实质上由两根一端公共连接并绞合的线圈导体构成，其一个线圈作为谐振电路用线圈L1，同时另一个线圈作为铜电阻补偿用线圈L2。另外，包括向该双线线圈的公共连接的一端供给驱动电流以驱动检测用线圈进行振荡的振荡驱动电路12、取出上述双线线圈的一端产生的振荡输出电压的缓冲器13、及使由该缓冲器取出的振荡输出电压的相位旋转规定的角度并反馈给所述铜电阻补偿用线圈后抵消所述双线线圈的铜电阻分量的移相电路15，从而力图提高检测灵敏度。另外，利用非线性放大器21构成所述振荡驱动电路，使所述双线线圈产生的振荡电压的振幅多级变化，赋予该非线性放大器和所述双线线圈构成的高频振荡电路具有软振荡特性。
高频振荡接近传感器

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