专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810110005.4有效
  • 川下道宏;吉村保广;田中直敬;内藤孝洋;赤沢隆 - 株式会社瑞萨科技
  • 2008-06-02 - 2008-12-10 - H01L21/60
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,可以提高具有三维地层叠的多个半导体芯片的半导体器件的制造成品率。形成有从半导体基板(1)的第2面(1b)到达焊盘(3)的贯通电极(17)。贯通电极(17)的内部的贯通空间是由第1孔(7)以及孔径小于第1孔(7)的第2孔(11)构成的。从半导体基板(1)的第2面(1b)贯通半导体基板(1)直到层间绝缘膜(2)的途中地形成有第1孔(7)。另外,形成有从第1孔(7)的底部贯通层间绝缘膜(2)到达焊盘(3)的第2孔(11)。此时,形成在半导体基板(1)的第1面(1a)上的层间绝缘膜(2)反映第1孔(7)的底面与半导体基板(1)的第1面(1a)造成的台阶而成为台阶形状。即,存在于第1孔(7)的底面与焊盘(3)间的层间绝缘膜(2)的膜厚比其他位置的层间绝缘膜(2)的膜厚薄。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体芯片及半导体装置-CN200710196110.X有效
  • 谷田一真;根本义彦;田中直敬 - 罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技
  • 2004-05-13 - 2008-05-14 - H01L23/485
  • 一种半导体芯片,包括:具有表面及背面的半导体基板;在该半导体基板的所述表面形成的功能元件;以及与该功能元件电连接,配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内,并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极,所述贯通电极,包括:具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层;配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极;以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
  • 半导体芯片装置
  • [发明专利]半导体器件和用于半导体器件的多层基板-CN200510056366.1无效
  • 田中直敬;河野贤哉;永井朗;田崎耕司;安田雅昭 - 日立化成工业株式会社
  • 2005-03-18 - 2005-09-28 - H01L21/00
  • 本发明实现一种提高了凸点电极和基板电极的连接可靠性的半导体器件。将用于电连接金属凸点(2)和布线图形(4)、密封LSI芯片(1)的LSI电路面的粘接材料(3)的热固化后的弹性系数设为Ea,将承载基板(8)表层的绝缘材料(5)的热固化后的弹性系数设为Eb,并且在具有芯层的多层基板的情况下将其芯材料(6)的弹性系数设为Ec时,在常温及粘接材料(3)的热压接合温度下,用满足如下的关系式的材料体系来构成半导体器件。即,至少Ea<Eb<Ec,优选1/3Eb<Ea<Eb<3Ea(<Ec)。按这样的关系来设定弹性系数,由于不论压接载重的大小及其批量生产时的偏差如何都能够实现稳定连接的状态,因此,就能够确保低成本、高合格率。
  • 半导体器件用于多层
  • [发明专利]半导体器件-CN200410061683.8无效
  • 田中直敬;岩崎富生;三浦英生;中岛靖之;松泽朝夫 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-06-24 - 2005-02-02 - H01L23/52
  • 一种半导体器件,对于Cu布线/Low-k材料的叠层布线结构LSI,可降低对键合焊盘的损伤,确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low-k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中,通过全部由Cu布线层形成,直至最上层的帽盖布线,在由Cu层形成的键合焊盘部中,在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层,在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。
  • 半导体器件

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