“王鑫炜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果87个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种滤波器的制造方法-CN202110543909.1有效
发明人：梁远勇;温海平;薛代彬;王鑫炜 -专利权人：上海鸿晔电子科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种滤波器的制造方法。该方法包括：形成至少两个谐振器；在至少两个谐振器的第一侧形成第一金属电容极板；在至少两个谐振器的第二侧形成第二金属电容极板；其中，谐振器包括：第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、第二P型半导体层和金属电极层，金属电极层位于第一N型半导体层与第二N型半导体层之间；谐振器的第一侧为第一P型半导体层远离第一N型半导体层的一侧；谐振器的第二侧为第二P型半导体层远离第二N型半导体层的一侧；至少两个谐振器的金属电极层之间具有间隙，且至少两个谐振器的金属电极相互电连接。本发明实施例实现了制造出一种具有高有载品质因数Q和高有载可调范围的滤波器。
一种滤波器制造方法

[发明专利]向量数据的索引方法-CN202310729325.2有效
发明人： 王鑫炜;苏鹏;李剑楠;李恒;黄炎;阎虎青 -专利权人：上海爱可生信息技术股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F16/901 文献下载
摘要：本发明提供了一种向量数据的索引方法，包括：建立向量训练模型；向向量训练模型输入查询向量，向量训练模型输出若干条近似结果向量；将数据库中的数据库向量按维度大小进行排序；从排序后的数据库向量中选取分别位于每条近似结果向量周围的若干条数据库向量，作为第一向量数据；提取所有第一向量数据的id，去除重复的id，提取剩余的id在数据库中对应的数据库向量，作为第二向量数据；将第二向量数据与查询向量进行距离计算，从第二向量数据中选出距离较小的若干条向量数据。本发明的索引方法对查询过程进行了优化，提高了索引算法的效率，并且还提高了索引结果的准确率。
向量数据索引方法

[实用新型]一种水泥胶砂三联模具-CN202320145769.7有效
发明人：黄帅;刘成婧;王丹丹;王鑫炜 -专利权人：大连信德建设工程检测有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28B1/087 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种水泥胶砂三联模具，包括：底板及环设在底板上的前挡板、后挡板及两个侧挡板；所述前挡板和后挡板相对设置；两个侧挡板相对设置；所述前挡板和后挡板之间设置两个中间挡板；所述中间挡板与侧挡板同向设置；所述侧挡板与前挡板、后挡板分别榫卯连接；所述中间挡板与前挡板、后挡板分别榫卯连接。本实用新型模具方便拆卸，且方便模具的拿取，不容易漏浆。
一种水泥三联模具

[实用新型]一种水泥砂浆、净浆搅拌机清理装置-CN202320145771.4有效
发明人：黄帅;刘成婧;王丹丹;王鑫炜 -专利权人：大连信德建设工程检测有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及搅拌机技术领域，公开了一种水泥砂浆、净浆搅拌机清理装置，包括塑料外壳，所述塑料外壳内部设置有清洗机构，所述塑料外壳底部设置有排水机构，所述清洗机构包括凹槽，所述凹槽设置在塑料外壳内部，所述凹槽内部固定连接有多个毛刷，所述毛刷后侧固定连接有圆环，所述伸缩杆外壁设置有弹簧，所述弹簧另一端与塑料外壳内壁相连，所述排水机构包括出水管，所述出水管固定连接在塑料外壳底部，所述出水管上设置有控制阀。本实用新型中，本实用新型通过塑料外壳内部刷子对搅拌机叶片上下进行清理，取代了原有的抹布以及刷子清理，结构简单，操作方便，实用效果好，延长搅拌机使用寿命，节省时间和成本。
一种水泥砂浆搅拌机清理装置

[外观设计]格子柜-CN202330197021.7有效
发明人： 王鑫炜;莫忠伟;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：格子柜。2.本外观设计产品的用途：用于柜子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
格子

[外观设计]文件柜-CN202330197022.1有效
发明人： 王鑫炜;莫忠伟;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：文件柜。2.本外观设计产品的用途：用于收纳文件或其他物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
文件柜

[外观设计]餐边柜（合岁）-CN202330127521.3有效
发明人：莫忠伟;王鑫炜;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：餐边柜（合岁）。2.本外观设计产品的用途：用于餐边柜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
餐边柜

[外观设计]饮水柜（朵颐）-CN202330107083.4有效
发明人：莫忠伟;王鑫炜;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：饮水柜（朵颐）。2.本外观设计产品的用途：用于饮水柜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
饮水朵颐

[外观设计]器皿柜（朵颐）-CN202330107092.3有效
发明人：莫忠伟;王鑫炜;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：器皿柜（朵颐）。2.本外观设计产品的用途：用于器皿柜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
器皿朵颐

[发明专利]一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法-CN202310089969.X在审
发明人：杨伟锋;王鑫炜;冶晓峰;龙明涛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法。其中，结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的P‑pillar区，包括若干间隔设置的P‑pillar；设置于P‑pillar区上部及间隔处的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部远离JFET区一侧的边缘位置设置有P+源区，靠近JFET区一侧设置有N+源区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、N+源区接触的栅氧化层区；所述栅氧化层区包括若干稀土栅氧化层等。本发明结合漂移区垂直P/N超结(Super junction)，P+/N+超结结构以及三层稀土栅介质层(Al2O3/Gd2O3/SiO2)结构的方法；利用源极下段的P+/N+超结结构，以及漂移区下端的垂直P/N超结结构有效降低源极接触电阻和器件漂移区电阻，降低器件的导通电阻与器件损耗。
一种稀土介质 sic mosfet 及其制造方法

[外观设计]咖啡柜（朵颐）-CN202330107082.X有效
发明人：莫忠伟;王鑫炜;唐婧 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：咖啡柜（朵颐）。2.本外观设计产品的用途：用于咖啡柜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
咖啡朵颐

[外观设计]桌（DESK-001-01-01）-CN202330078075.1有效
发明人：金秋怡;莫忠伟;唐婧;陈文怀;李可选;王鑫炜;王季怿;阳世隆 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌（DESK‑001‑01‑01）。2.本外观设计产品的用途：用于人工作，学习，娱乐等行为。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
desk 001 01

[外观设计]桌（CS-002-02）-CN202330078077.0有效
发明人：莫忠伟;金秋怡;唐婧;陈文怀;李可选;王鑫炜;阳世隆 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌（CS‑002‑02）。2.本外观设计产品的用途：用于人工作，学习，娱乐等行为。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
cs 002 02

[外观设计]桌（DESK-001-01-02）-CN202330078076.6有效
发明人：金秋怡;莫忠伟;唐婧;陈文怀;李可选;王鑫炜;王季怿;阳世隆 -专利权人：嘉兴米鹅家居设计有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌（DESK‑001‑01‑02）。2.本外观设计产品的用途：用于人工作，学习，娱乐等行为。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
desk 001 01 02

[发明专利]一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法-CN202310089961.3在审
发明人：杨伟锋;王鑫炜;冶晓峰;龙明涛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法。其中，所述结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部设有超结区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、超结区接触的栅氧化层区等。本发明结合多缓冲层，P+/N+超结结构以及栅氧化层区结构的方法；利用多缓冲层的结构转移峰值电场，提高了器件承受宇宙射线的能力，消除器件在N+源区，P阱区以及N‑的BJT器件结构的Krik效应的影响，进而达到提高器件耐辐射特性的效果；利用源极下段的P+/N+的超结结构有效降低接触电阻，降低器件的损耗，同时调控器件的电场分布情况。
一种稀土介质平面 sic mosfet 及其制造方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 87 条