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[实用新型]一种用于计算机主机的独立显卡组件-CN201921930070.1有效
发明人：欧阳春娟;王巧玲;王茜娟 -专利权人：井冈山大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及计算机配件技术领域，具体为一种用于计算机主机的独立显卡组件，包括装置主体，所述装置主体的下方设置有底板，所述装置主体的内部设置有滤网框，所述装置主体的两端设置有第二固定柱，所述第二固定柱的内部安装有第一旋转柱，所述第一旋转柱的外侧设置有遮挡板，所述遮挡板的一端安装有第一固定柱。该装置设计合理，滤网便于跟换卡扣滤网，将滤网固定于装置主体上，从而起到过滤灰尘的作用，滑槽内的限位块可弹出，便可卡扣与限位槽中，起到限位的作用，装置主体外侧可转动的遮挡板便可遮挡板内部的密封塞卡扣于开口处，使得外界的灰尘不容易进入，便于出现问题后进行检查。
一种用于计算机主机独立显卡组件

[发明专利]高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法-CN201710242570.5有效
发明人：程国安;张权;王茜娟;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。器件制备工艺及所需设备简单，可控性良好。构建过程包括：利用化学气相沉积方法制备多壁碳纳米管阵列；利用微纳操纵和胶黏剂转移并固定碳纳米管阵列至金属支撑体，得到拥有高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。本发明通过提高碳纳米管阵列与基体的结合强度，实现高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列场发射冷阴极制备，拓展了一维纳米材料的应用领域。
碳纳米管阵列制备冷阴极金属支撑体时间稳定性高场发射多壁碳纳米管阵列场发射冷阴极化学气相沉积器件制备工艺一维纳米材料纳米管阵列固定碳胶黏剂可控性构建粘接拓展