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[发明专利]一种光导微波的光纤馈入方法-CN202310178093.6在审
发明人：荀涛;谷炎然;贺军涛;姚金妹;王朗宁;易木俣;刘金亮;张建德 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光导微波的光纤馈入方法，目的是解决目前高功率高重频脉冲空间激光注入光导微波系统复杂、体积庞大、灵活性差以及PCSS光电转换效较低的问题。技术方案是构建由光源、光阑，聚焦透镜、光导光纤、光导开关、偏置电路以及辐射天线组成的光导微波的光纤馈入系统。通过使用光导光纤实现光导微波的光纤馈入，可以简化高功率光导微波系统的空间光元器件、调整馈入到PCSS的光斑直径，提高光导微波系统的灵活性及PCSS的光电转换效率，增加微波系统的灵活性和集成度，为光导微波多路合成奠定基础。
一种微波光纤方法

[实用新型]一种光斑可调的抗高回反光光导微波光纤-CN202222514485.9有效
发明人：荀涛;谷炎然;姚金妹;王朗宁;易木俣;刘金亮;贺军涛;张建德 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光斑可调的抗高回反光光导微波光纤，目的是解决高回反光、光斑匀化和光纤光斑形态控制问题。本实用新型由光纤包层、光纤纤芯、光纤滤除区、光纤输出端面组成，光纤包层分为输入端、中间和输出端部分，输入端部分由包层腐蚀平缓区、包层腐蚀过渡区组成；中间部分由未被腐蚀的包层、光纤滤除区组成；输出端部分由光纤拉锥锥区、光纤拉锥腰区组成。光纤滤除区是在光纤包层靠近光纤输出端的位置通过拉锥和滤除包层的方式处理形成；本实用新型可减少从光导开关反射到固体激光器中的回反光，通过调整光纤输出端的光纤拉锥比，可调整输出光斑的大小及匀化，光纤纤芯的形状为圆形或方形，可实现不同形态的光斑输出。
一种光斑可调抗高回反光光微波光纤

[发明专利]一种光斑可调的抗高回反光光导微波光纤-CN202211158331.9在审
发明人：荀涛;谷炎然;姚金妹;王朗宁;易木俣;刘金亮;贺军涛;张建德 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光斑可调的抗高回反光光导微波光纤，目的是解决高回反光、光斑匀化和光纤光斑形态控制问题。本发明由光纤包层、光纤纤芯、光纤滤除区、光纤输出端面组成，光纤包层分为输入端、中间和输出端部分，输入端部分由包层腐蚀平缓区、包层腐蚀过渡区组成；中间部分由未被腐蚀的包层、光纤滤除区组成；输出端部分由光纤拉锥锥区、光纤拉锥腰区组成。光纤滤除区是在光纤包层靠近光纤输出端的位置通过拉锥和滤除包层的方式处理形成；本发明可减少从光导开关反射到固体激光器中的回反光，通过调整光纤输出端的光纤拉锥比，可调整输出光斑的大小及匀化，光纤纤芯的形状为圆形或方形，可实现不同形态的光斑输出。
一种光斑可调抗高回反光光微波光纤

[发明专利]一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法-CN202010996870.4有效
发明人：杨汉武;赵昱鑫;荀涛;王朗宁;楚旭;朱效庆;王日品 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法，目的是解决现有放大电路输出功率低、放大效率低的问题。技术方案是先构建由两个电源、两个脉冲形成器件、两个宽带隙半导体器件、两个限流电阻、负载电阻和接地端组成基于宽带隙半导体器件的B类推挽式放大电路；两路激光脉冲与两个直流电源产生的电压同时作用于放大电路中的2个宽带隙半导体器件；2个宽带隙半导体器件在光电信号激励下作为光控可变电阻工作，其导通电阻随高能脉冲簇激光的光强成线性变化，使得输出的电流和光强呈正比例变化，使得光电微波放大。本发明放大电路结构简单，工作电压高，微波输出功率高，既消除了单极性限制，又有效解决了输出功率低的问题。
一种基于宽带半导体器件光电功率微波放大方法

[发明专利]一种光控可调频全固态多周期微波产生器-CN202010310042.0有效
发明人： 王朗宁;赵昱鑫;楚旭;荀涛;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光控可调频全固态多周期微波产生器，包括传输线、激光二极管驱动、激励激光二极管、激光脉冲经光纤、高压电极、接地电极和介质。本发明的有益效果是：采用多固态光导开关和固态传输线单元直接形成电磁振荡，经天线产生微波，在微波振荡产生过程中，无需气体火花隙开关和强流真空电子束，具备固态模块化特性；利用开关的关断性能在负载上形成多周期振荡脉冲，能量分散到各个模块，第m个单元异常只影响其自身输出的第m个双极性脉冲，对最终整体波形产生影响较小，不会导致全系统崩溃。
一种光控调频固态周期微波产生器

[发明专利]背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件的制备方法-CN202111097889.6有效
发明人： 王朗宁;楚旭;荀涛;王日品;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件的制备方法，包括清洗、镀膜、匀胶、光刻、刻蚀、镀金属层、剥离、划片和减薄等步骤，制备出的光导半导体器件能够采用紫外光(λ＝355nm)背面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，从而降低了平面电极间的表面电流，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，能够避免载流子在电极处的堆积造成局部电场过大导致提前发生击穿，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。
背面入射平面电极碳化硅半导体器件制备方法

[发明专利]基于光导器件的大范围可调谐高频微波产生装置及方法-CN202210577650.7在审
发明人： 王朗宁;楚旭;荀涛;王日品;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于光导器件的大范围可调谐高频微波产生装置及方法，所述的基于光导器件的大范围可调谐高频微波产生装置包括：高压电源、微波射频传输结构、可调谐激光驱动源和天线，本发明利用宽禁带光导半导体器件的线性工作模式，在外加偏置电压作用下，通过可调谐脉冲簇激光驱动源辐照宽禁带光导半导体器件，调制产生高频电信号，并通过天线辐射输出产生微波信号，实现宽范围频率可调谐的高频微波输出。本发明提高了系统的光电转换效率，能够实现频率大范围可调谐(0.5GHz～50GHz)的窄谱微波输出，实现了大范围可调谐高频微波的高效提取。本发明为大范围可调谐的高功率微波集成系统的研制提供了技术支撑。
基于器件范围调谐高频微波产生装置方法

[实用新型]一种基于宽禁带光导器件的可调谐高频微波产生装置-CN202221272442.8有效
发明人：楚旭;王朗宁;荀涛;王日品;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于宽禁带光导器件的可调谐高频微波产生装置，包括：高压电源、微波射频传输结构、可调谐激光驱动源和天线，本实用新型利用宽禁带光导半导体器件的线性工作模式，在外加偏置电压作用下，通过可调谐脉冲簇激光驱动源辐照宽禁带光导半导体器件，调制产生高频电信号，并通过天线辐射输出产生微波信号，实现宽范围频率可调谐的高频微波输出。本实用新型提高了系统的光电转换效率，能够实现频率大范围可调谐(0.5GHz～50GHz)的窄谱微波输出，实现了大范围可调谐高频微波的高效提取。本实用新型为大范围可调谐的高功率微波集成系统的研制提供了技术支撑。
一种基于宽禁带光导器件调谐高频微波产生装置

[实用新型]一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构-CN202121605997.5有效
发明人：陈谦;易木俣;王朗宁;荀涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及光导器件领域，特别是一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构，包括SiC衬底，所述SiC衬底上下表面设有透明电极，两个所述透明电极外表面设有DBR反射层；所述DBR反射层包括若干高折射率层和若干低折射率层，若干所述高折射率层、若干所述低折射率层交错设置，所述DBR反射层最上层和最下层为高折射率层。本实用新型能够增强光导器件对外界光激发的响应能力。
一种改善 sic 器件量子效率结构

[实用新型]一种改善SiC光导器件量子效率的封装结构-CN202120797740.8有效
发明人：陈谦;王朗宁;易木俣;荀涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种改善SiC光导器件量子效率的封装结构，包括光导器件和铜柱；光导器件正反两面均与铜柱粘合，且两铜柱位置对应；光导器件正面上方还设置有透镜组；透镜组限定于光导器件正面上方的铜柱内；透镜组包括涡旋相位片和凸透镜；涡旋相位片和凸透镜平行设置，且涡旋相位片设置于凸透镜正上方。本实用新型通过在SiC光导器件的封装结构中引入涡旋相位片和凸透镜的组合，实现倾斜入射的圆环光，解决了异面光导器件中量子效率和光吸收率低下的问题；提升了光导器件对入射光的有效吸收比率，增强光导器件对外界光激发的响应能力。
一种改善 sic 器件量子效率封装结构

[实用新型]一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件-CN202122270027.0有效
发明人：楚旭;王朗宁;荀涛;王日品;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件，包括半绝缘碳化硅衬底、Al2O3膜和一对欧姆接触电极，所述的半绝缘碳化硅衬底的上表面设有两个电极凹槽，正电极和负电极分别设在两个电极凹槽内；半绝缘碳化硅衬底的上表面除正电极和负电极外其他区域设有一层Al2O3膜；本实用新型能够采用紫外光面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。
一种基于背面入射平面电极碳化硅半导体器件

[发明专利]一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构-CN202110799089.2在审
发明人：陈谦;易木俣;王朗宁;荀涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及光导器件领域，特别是一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构，包括SiC衬底，所述SiC衬底上下表面设有透明电极，两个所述透明电极外表面设有DBR反射层；所述DBR反射层包括若干高折射率层和若干低折射率层，若干所述高折射率层、若干所述低折射率层交错设置，所述DBR反射层最上层和最下层为高折射率层。本发明能够增强光导器件对外界光激发的响应能力。
一种改善 sic 器件量子效率结构

[发明专利]兆瓦级光导半导体器件及电极连接与绝缘封装方法-CN202010453492.5有效
发明人：荀涛;楚旭;赵昱鑫;伍麒霖;王日品;王朗宁;杨汉武;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种光子微波用兆瓦级光导半导体器件及电极的连接与绝缘封装方法。由绝缘封装盒、正电极、负电极、第二固定板、宽禁带光导半导体晶圆组成。本发明以光导半导体绝缘封装盒为主体结构，通过电极涂敷与绝缘胶灌封，很好的解决了微米级光导半导体器件和外接电极的欧姆接触和耐高压绝缘问题。通过优化电极结构，改进涂敷、灌封方式等措施，解决了光导半导体器件与外接电路的欧姆接触问题，大幅度减少了光导半导体器件的欧姆接触阻抗，同时也保证了欧姆接触的稳定性。本发明可以有效提高在几十ns脉宽、几十kV量级重复频率脉冲高压条件下，光导半导体器件的耐压绝缘特性和系统整体紧凑化程度，实现兆瓦量级光子微波输出。
兆瓦级光导半导体器件电极连接绝缘封装方法

[发明专利]一种改善SiC光导器件量子效率的封装结构-CN202110419894.8在审
发明人：陈谦;王朗宁;易木俣;荀涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开一种改善SiC光导器件量子效率的封装结构，包括光导器件和铜柱；光导器件正反两面均与铜柱粘合，且两铜柱位置对应；光导器件正面上方还设置有透镜组；透镜组限定于光导器件正面上方的铜柱内；透镜组包括涡旋相位片和凸透镜；涡旋相位片和凸透镜平行设置，且涡旋相位片设置于凸透镜正上方。本发明通过在SiC光导器件的封装结构中引入涡旋相位片和凸透镜的组合，实现倾斜入射的圆环光，解决了异面光导器件中量子效率和光吸收率低下的问题；提升了光导器件对入射光的有效吸收比率，增强光导器件对外界光激发的响应能力。
一种改善 sic 器件量子效率封装结构

[实用新型]基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置-CN202022241757.3有效
发明人： 王朗宁;楚旭;荀涛;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，包括：激光调制模块、微波提取模块；激光调制模块包括宽禁带光导半导体器件、超高重频激光驱动源；微波提取模块包括高压充电电源、微波射频传输结构和超高重频微波辐射输出组件；宽禁带光导半导体器件分别与超高重频激光驱动源、高压充电电源、微波射频传输结构连接，超高重频微波辐射输出组件与微波射频传输结构连接。本实用新型能够实现频率可调的MHz超高重频电磁脉冲输出，输出的微波信号既可以是宽谱信号，也可以是窄谱信号，同时，提高了光电转换效率，实现了可调谐超高重频电磁脉冲的高效提取，为超高重复频率大功率微波集成系统的研制提供了技术支撑。
基于器件调谐超高微波产生装置

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