专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种地理信息系统交互式多功能沙盘升降系统-CN202121362497.3有效
  • 王兴亚;许坤 - 辽宁军图科技有限公司
  • 2021-06-18 - 2021-12-07 - G09B25/06
  • 本实用新型公开了一种地理信息系统交互式多功能沙盘升降系统,包括底板、固定箱、托板、连接板和驱动组件,底板顶部从对称固定连接有主杆,主杆内部均滑动连接有支撑杆,支撑杆的顶端延伸至主杆外部且固定连接有固定箱,固定箱内部滑动连接有托板,托板的顶部固定连接有沙盘,本实用新型结构紧凑,操作简单便捷,实用性强,通过驱动组件配合第一支臂与第二支臂进行使用,不仅可以将沙盘从固定箱内部推出,而且还可以对固定箱的高度进行调节,有利于提高使用的灵活性,从而方便使用者进行操作,同时还可以对沙盘进行保护,有利于提高沙盘的完整性,在限位块与限位槽的为配合使用下,可以对托板的位置进行固定,有利于提高托板的稳定性。
  • 一种地理信息系统交互式多功能沙盘升降系统
  • [发明专利]晶圆接合结构与其形成方法-CN202010978291.7在审
  • 王兴亚;周昇元;王俞婷;张万屹 - 美商矽成积体电路股份有限公司
  • 2020-09-17 - 2021-10-12 - H01L21/768
  • 一种晶圆接合结构与其形成方法,该形成方法包含一晶圆接合步骤、一形成硅穿孔步骤及一形成接合垫步骤。晶圆接合步骤中,晶圆分别具有一接合表面,并通过接合表面彼此对应且接合。形成硅穿孔步骤中,一硅穿孔结构形成于晶圆中一者的一接合环结构的至少一边,一导电填充物设置于硅穿孔结构内,且硅穿孔结构重叠于晶圆中一者的接合环结构与晶圆中另一者的一接合环结构的一部分。形成接合垫步骤中,一接合垫形成于一外表面以形成一晶圆接合结构,外表面为相对于具有硅穿孔结构的晶圆的接合表面。借此,有助于提升晶圆间的接合强度与导电性。
  • 接合结构与其形成方法
  • [实用新型]一种百合种植用蚜虫防治装置-CN202022365454.2有效
  • 周俐宏;杨迎东;王兴亚;白一光;李雪艳;胡新颖;王伟东;刘云霞;左岩;司海静 - 辽宁省农业科学院
  • 2020-10-22 - 2021-10-01 - A01M7/00
  • 本实用新型涉及百合种植技术领域,尤其涉及一种百合种植用蚜虫防治装置,包括底座、驱动箱和固定架,底座上设有储药箱体,且储药箱体上设有增压泵,增压泵的进液管延伸至储药箱体中,且增压泵的输出口连接有软管,驱动箱设置在储药箱体上的一侧,且驱动箱中转动连接有丝杆,丝杆上螺纹配合有螺纹座,固定架呈L型,且固定架的一端与螺纹座连接,固定架的另一端设有喷头,且软管的一端与喷头连接,底座上设有滚子槽,且滚子槽中滚动配合有滚子,储药箱体的底部设有圆槽,且圆槽与滚子槽相匹配,驱动箱的顶部设有第二电机,本实用新型中喷头能够进行高度和角度调节,从而能够根据实际情况方便的对喷洒范围进行调节。
  • 一种百合种植蚜虫防治装置
  • [发明专利]一种面向Diem区块链的性能测试方法-CN202110658031.6在审
  • 王兴亚;袁博;常家鑫;陈振宇;赵志宏 - 南京工业大学;南京慕测信息科技有限公司
  • 2021-06-11 - 2021-08-31 - G06F11/36
  • 本发明是一种面向Diem区块链的性能测试方法,其特征是能够测试Diem区块链整体以及共识层两方面的性能,并生成包含吞吐量和交易延迟两个维度指标的可靠的Diem性能测试报告。首先,我们根据用户提供的Diem区块链配置(DC)在Diem CLI客户端完成Diem测试链搭建,并将其部署在服务器上;其次,我们根据用户提供的Diem区块链整体性能测试配置(DWTC)执行Diem区块链整体性能测试,生成包含吞吐量和交易延迟两个维度指标的Diem整体性能测试数据;最后,我们根据用户提供的Diem区块链共识性能测试配置(DCTC)执行Diem区块链共识性能测试,生成包含吞吐量和交易延迟两个维度指标的Diem共识性能测试数据。
  • 一种面向diem区块性能测试方法
  • [发明专利]一种深度学习变异算子约简方法-CN202110568249.2在审
  • 王兴亚;张世宇;冯力超;赵志宏 - 南京工业大学
  • 2021-05-24 - 2021-08-17 - G06F11/36
  • 本发明涉及一种深度学习变异算子约简方法。首先,利用变异算子为每个源模型生成一系列变异体进行变异测试,通过数据清洗、数据归一化的方法进行特征信息提取,为每一个变异体建立变异特征矩阵MATRIX_MM;然后,对所有变异特征矩阵MATRIX_MM进行数据整理,为每一个变异算子建立算子特征矩阵MATRIX_OP;再基于此矩阵,利用BP神经网络构建模型的方法,为每个变异算子建立一个预测模型PRE_MODEL;最后将待测程序特征输入每个预测模型,最终得到适合该待测程序的变异算子子集。通过本发明的深度学习变异算子约简方法,可以过滤冗余变异算子、减少变异体测试执行开销,从而提升测试效率,节省深度学习软件研发时间。
  • 一种深度学习变异算子方法
  • [发明专利]一种基于测试代码片段相似性的测试程序抄袭检测方法-CN201810561223.3有效
  • 陈振宇;孙伟松;王兴亚;段定;巫浩然;赵源;孙泽嵩 - 南京大学
  • 2018-05-29 - 2021-07-06 - G06F8/75
  • 本发明涉及一种基于测试代码片段相似性的测试程序抄袭检测方法。该方法针对待测试程序中各个待测方法,首先,基于类名、方法名、参数序列计算出唯一方法标识;其次,从测试程序中提取所有测试代码片段集合,每个测试片段与一个待测方法相对应;然后,分析测试片段间相似性得到相似性分析报告,由此计算出片段之间的相似度值;最后,利用测试片段相似度值计算测试程序整体相似程度值,利用测试程序整体相似程度值即可更加精确的判断测试程序之间抄袭情况。本发明目的在于填补针对测试代码相似性检测技术的空白,解决目前测试代码相似性分析的低精度和测试代码抄袭检测主要靠人工操作的低效率问题,从而提高测试代码相似性检测的效率和精度。
  • 一种基于测试代码片段相似性程序抄袭检测方法
  • [发明专利]一种演化环境下变异测试强度需求预测方法-CN201810561267.6有效
  • 王兴亚;房春荣;孙伟松;赵源;李玉莹 - 南京大学
  • 2018-05-29 - 2021-07-02 - G06F11/36
  • 本发明涉及一种演化环境下变异测试强度需求预测方法。该方法基于特征提取和错误检测数目对软件的各个版本通过数据清洗和特征选择,构建用于模型训练的特征矩阵和强度向量;在此基础上,应用BP神经网络方法构建预测模型,并在模型构建时不断通过信号前向传播和误差后向传播结果调整模型权重,从而学习生成一个变异测试强度需求预测模型BP‑Model;最后,将当前软件版本的特征向量输入到BP‑Model中,最终生成当前软件版本的变异测试强度需求。本发明目的在于解决目前存在的新版本软件变异测试强度未知的难题,进而帮助测试人员制订合理的变异测试需求,帮助测试人员在有限的时间内构建有效的测试用例集。
  • 一种演化环境变异测试强度需求预测方法
  • [发明专利]一种基于化学反应优化的错误定位方法-CN201810823017.5有效
  • 姜淑娟;王兴亚;陆凯 - 中国矿业大学
  • 2018-07-25 - 2021-05-18 - G06F11/36
  • 本发明涉及一种基于化学反应优化的错误定位方法,包括以下步骤:(1)软件行为图构建;(2)软件行为图约简;(3)分子种群初始化;(4)最优分子种群搜索;(5)错误定位。该方法对源程序插桩,执行测试用例收集程序执行路径信息,构造软件行为图并进行约简,然后定义化学反应优化分子结构和解空间,初始化反应分子种群,之后选取合适适应度函数利用化学反应优化迭代搜索最优分子种群;最终将种群中的分子转化为程序状态上下文进行错误定位。本发明目的在于提供错误相关的程序上下文信息,利于开发人员理解执行失效的原因,进而定位和修复错误,提高了程序调试效率。
  • 一种基于化学反应优化错误定位方法
  • [发明专利]FinFET堆叠栅存储器与其形成方法-CN202010776012.9在审
  • 王兴亚 - 美商矽成积体电路股份有限公司
  • 2020-08-05 - 2021-05-11 - H01L27/11517
  • 一种FinFET堆叠栅存储器与其形成方法,该方法包含形成氮化层步骤、去除步骤、形成浮栅结构步骤、设置氧化物‑氮化物‑氧化物层步骤、移除步骤及形成控制栅结构步骤。氮化层步骤中,氮化层形成于存储单元区。去除步骤中,去除氮化层的一部分。形成浮栅结构步骤中,设置第一多晶硅以形成浮栅结构。设置氧化物‑氮化物‑氧化物层步骤中,设置氧化物‑氮化物‑氧化物层。移除步骤中,移除氧化物‑氮化物‑氧化物层的一部分。形成控制栅结构步骤中,设置第二多晶硅以形成控制栅结构。因此,有助于提升FinFET堆叠栅存储器的电流稳定性。
  • finfet堆叠存储器与其形成方法

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