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[发明专利]地下储气库最高运行压力确定方法及装置-CN201811010321.4有效
发明人：周冬林;李建君;王元刚;巴金红;刘春;李淑平;井岗;陈加松 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种地下储气库最高运行压力确定方法及装置，属于天然气存储领域，该地下储气库最高运行压力确定方法包括：确定地下储气库的类型，地下储气库的类型为盐穴型或油气藏型；从预设的对应关系中查询地下储气库的类型对应的目标确定方式，对应关系用于记录地下储气库的类型和确定方式的对应关系，确定方式用于确定地下储气库的最高运行压力；按照查询的目标确定方式确定地下储气库的最高运行压力，解决了相关技术人工确定地下储气库最高运行压力的过程较繁琐，且仅适用于盐穴型地下储气库的问题，简化了确定地下储气库最高运行压力的过程，可以适用于盐穴型和油气藏型地下储气库，用于确定地下储气库最高运行压力。
地下储气库最高运行压力确定方法装置

[发明专利]一种光刻方法-CN202210493854.2在审
发明人： 王元刚;吕元杰;郭红雨;卜爱民;徐森锋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻方法。该方法包括：清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在其表面沉积生长介质；光刻和蒸镀金属：在生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在曝光图形表面蒸镀金属薄膜，去除光刻胶，形成金属掩膜图形；重复执行N次光刻和蒸镀金属操作；其中，N≧2，且N次光刻和蒸镀金属操作过程中采用至少两种光刻版，且与光刻版对应的光刻图形间存在重合区域，该区域的形状尺寸由介质刻蚀的目标形状尺寸确定；刻蚀和去除金属：以金属薄膜为掩膜，刻蚀生长介质，去除金属薄膜，形成介质刻蚀图形。本发明利用多次错位光刻与蒸镀金属掩膜结合，突破现有光刻机的线宽限制，获得小尺寸线宽图形。
一种光刻方法

[发明专利]一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法-CN202110160027.7有效
发明人：吕元杰;王元刚;马春雷;梁士雄;付兴昌;宋旭波;敦少博;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法，包括：在一衬底上外延N+掺杂层；在所述N+掺杂层的第一表面上生长牺牲层；对所述牺牲层上除第一预设区域和第二预设区域外的其他区域进行刻蚀；在所述N+掺杂层的第一表面上沉积金刚石；去除所述衬底，在所述N+掺杂层的第二表面上生长N‑掺杂层，进行刻蚀实现台面隔离，并分别制备阳极和阴极；去除所述金刚石层上的第一预设区域和第二预设区域内的牺牲层，采用电镀工艺形成贯穿所述金刚石层的第一表面和第二表面的金属介质，实现阴极互联。本发明提供的垂直结构的氮化镓太赫兹二极管的制备方法，不仅可有效降低器件寄生电阻，提升器件频率特性，同时高热导率的金刚石可增强其散热能力。
一种垂直结构氮化赫兹二极管制备方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法-CN202010013525.4有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;刘宏宇;宋旭波;梁士雄;马春雷;付兴昌;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。其中，所述氧化镓场效应晶体管包括衬底，设于所述衬底上的氧化镓沟道层，设于所述氧化镓沟道层上的源电极和漏电极，设于所述源电极和所述漏电极之间的栅介质层，设于所述栅介质层上的栅电极，以及，覆盖所述源电极和所述漏电极之间表面区域的钝化介质层，所述钝化介质层中设有氟注入区域，所述氟注入区域位于所述栅电极偏向所述漏电极一侧的区域。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以有效抑制栅电极偏漏电极一侧区域内可能出现的尖峰电场，使电场的分布更加均匀，氧化镓场效应晶体管的击穿电压大幅提升，有利于扩展氧化镓场效应晶体管器件在高压场景中的应用。
一种氧化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种多向可调式复合超声辅助电火花主轴-CN202110711035.6有效
发明人： 王元刚;唐欣;王慧;王珍;刘安生;甄恒洲;郑双阳;李淑娴 -专利权人：大连大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B23H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多向可调式复合超声辅助电火花主轴，包括：顶盖、电滑环、推力滑动轴承、超声换能器、套筒、变幅杆；所述电滑环的转子部分与顶盖连接，用于传递主轴旋转运动；所述推力滑动轴承套设于电滑环底部，与电滑环的定子间隙配合，用于承受轴向推力并限制轴向移动；所述超声换能器位于推力滑动轴承的轴承座与套筒前端面之间，用于将超声波发生器输出的超声频振荡信号转换为机械能；所述变幅杆前端在位于电滑环腔体中，后端依次穿过超声换能器、套筒伸出。本发明结合纵向超声振动、水平超声振动及纵扭复合超声振动于一体，可在加工中实现多种超声振动的复合与变换，进一步提升电火花加工效率及精度。
一种多向调式复合超声辅助电火花主轴

[发明专利]用于确定储气库的库容量的方法及处理器-CN202210638918.3在审
发明人：张平;王多才;黄发木;常大伟;李海川;谢鹏飞;苏海波;成凡;王元刚;张宏;付亚平 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及油气技术领域，公开了一种用于确定储气库的库容量的方法及处理器。方法包括：基于获取到的断层数据、构造层面数据、层参数数据以及井轨迹数据建立三维地质模型；将模型中的渗透率、孔隙度和相对渗透率曲线选取为油藏数值模拟中的时变参数；基于储层物性时变现象对黑油模型进行改造，形成新的数学模型，新的数学模型用于反映渗透率和相对渗透率曲线随面通量的变化，且新的数学模型中连续性方程发生变化；读取三维地质模型多周期历史拟合后的第一有效孔隙体积，并计算各个储气库流体区域对气藏动态储量贡献的第二有效孔隙体积；基于第二有效孔隙体积和天然气压缩因子确定储气库的库容量。更贴近实际生产，能更加精准地得出库容量数据。
用于确定储气库库容方法处理器

[发明专利]氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管-CN202210470222.4在审
发明人：刘宏宇;吕元杰;王元刚;卜爱民;盛百城;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上依次生长源电极层及掩膜层；对源电极层上及氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成沟槽；其中，氧化镓沟道层的刻蚀深度小于氧化镓沟道层的厚度大于离子注入的深度；在沟槽及掩膜层上生长P型介质层；在P型介质层上生长栅电极层；去除掩膜层；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准剥离技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。
氧化垂直场效应晶体管制备方法

[发明专利]氧化镓二极管器件及其制备方法-CN202210470426.8在审
发明人： 王元刚;吕元杰;敦少博;付兴昌;韩婷婷;刘宏宇;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了氧化镓二极管器件及其制备方法，该方法包括：清洗氧化镓外延层，在外延层上方淀积介质层；在介质层的上方旋涂光刻胶，加热光刻胶，使光刻胶回流形成斜面；刻蚀光刻胶和介质层，去除光刻胶；以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层和介质层；在介质层平面的上方旋涂光刻胶；在氧化镓二极管器件的上方覆盖金属掩膜，去除光刻胶和介质层；溅射P‑NiO材料，形成P‑NiO层，剥离金属掩膜；电子束蒸发金属，得到阴极和阳极。本申请为氧化镓二极管器件的提供了一种新的制备方法。
氧化二极管器件及其制备方法

[发明专利]氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管-CN202210470509.7在审
发明人： 王元刚;敦少博;吕元杰;韩婷婷;卜爱民;许靖;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出的氧化镓沟道层进行多个预设温度下的退火处理，得到氧化层；在氧化层上制备第一光刻图形；在第一光刻图形上生长P型介质层，并且去除掩膜层；在衬底的下表面制备阴极电极并在P型介质层和氧化镓沟道层远离衬底的一侧制备阳极电极，通过先热氧化再沉积P型介质的方法制备氧化镓肖特基二极管，能够使二极管注入稳定的P型介质，有效抑制大功率器件的浪涌电流，增加器件击穿电压和可靠性。
氧化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种氧化镓二极管器件及其制备方法-CN202210470510.X在审
发明人： 王元刚;吕元杰;敦少博;卜爱民;韩婷婷;刘宏宇;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的介质掩膜层；以水平面为基准，将氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于介质掩膜层覆盖的的氧化镓外延层进行刻蚀，第一倾斜角度和第二倾斜角度均小于90°；在氧化镓外延层和介质掩膜层上制备预设形状的聚酰亚胺层；去除介质掩膜层，在氧化镓外延层上与介质掩膜层对应的区域，以及在所述聚酰亚胺层上靠近所述介质掩膜层的区域上表面形成NiO层；在NiO层上形成第一电极层；在氧化镓衬底下表面形成第二电极层。本申请能够较容易实现氧化镓正磨角终端结构，提升器件耐压性。
一种氧化二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法-CN202210470520.3在审
发明人：刘宏宇;吕元杰;王元刚;卜爱民;马春雷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道；鳍式沟道设于漏电极与第一沟道之间；鳍式沟道的横截面为指向源电极方向的梯形；栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域；在n型氧化镓沟道层与栅介质层之间、鳍式沟道的两侧填充有P型氧化物介质层。本发明能够通过鳍式沟道的尺寸减小，P型介质耗尽沟道的载流子，减小了尖峰电场，提升了器件击穿电压。
一种氧化场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]氧化镓场效应晶体管的制备方法-CN202210470521.8在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;付兴昌;方园;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长n型氧化镓沟道层；在n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内制备光刻掩膜图形；对n型氧化镓沟道层进行刻蚀，得到多个不连续的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；利用介质保护，对鳍状台面区域进行热氧退火处理；在鳍状台面的上表面和两个侧壁以及靠近源电极的n型氧化镓沟道层上沉积栅电极。本发明通过制备斜的Fin沟道，使得栅电极具有更高的表面积与体积比，具有更好的栅控能力，从而提高器件的击穿特性。
氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法-CN202210470865.9在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;付兴昌;马春雷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道；第一沟道偏向源电极一侧；鳍式沟道设于漏电极与第一沟道之间；鳍式沟道的横截面呈指向源电极方向的对称阶梯状，阶梯个数大于等于2；栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域。本发明能够通过鳍式沟道结构，使栅电极具有更高的表面积、增加了阈值电压；鳍式沟道的尺寸减小，减小了尖峰电场，提升了器件击穿电压。
一种氧化场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]氧化镓场效应晶体管-CN202210470918.7在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;卜爱民;盛百城;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；其中，栅电极还覆盖所述鳍状台面的上表面和两个侧壁，形成FinFET结构。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以进一步提高器件的击穿特性。
氧化场效应晶体管

[发明专利]氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管-CN202210471151.X在审
发明人：刘宏宇;吕元杰;王元刚;卜爱民;许靖;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上表面生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂，形成源区；其中，离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上生长掩膜层；对氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成多个沟槽；在多个沟槽及多个沟槽之间的凸台上生长P型介质层及栅电极层；去除掩膜层；在凸台上制备源电极；其中，源电极连通各个凸台；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。
氧化垂直场效应晶体管制备方法