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[发明专利]电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法-CN201710338660.4有效
发明人：张传胜;王兵兵;王晓东;陈雨璐;侯丽伟;谢巍;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法，所述探测器包括高导硅衬底，所述高导硅衬底上包括环形凹槽区域、台面结构区域和外围区域，所示台面结构区域设置在环形凹槽区域中间，所示外围区域设置在环形凹槽区域外侧；所述环形凹槽区域内设置有环形负电极，台面结构区域的表面设置有圆形正电极。本发明将圆形正电极制备在台面结构区域，环形负电极制备在环形凹槽区域，降低了光生载流子被高导硅衬底中缺陷俘获的几率，增强了收集效率；采用环形负电极结构，相对于“V”槽负电极收集模式，圆形正电极和环形负电极间距小、结构对称、电场分布均匀，进一步增强了光生载流子的收集能力，提高了探测器的灵敏度。
电场分布均匀硅掺磷阻挡杂质探测器及其制作方法

[发明专利]微孔负电极结构的阻挡杂质带探测器的制备方法及探测器-CN201710495143.8有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括微孔制作步骤、电极制备步骤等。本发明还提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器，是所述微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法制成的太赫兹探测器。本发明的优点在于：通过刻蚀微孔结构，减小了刻蚀面积，从而减小了因刻蚀损伤造成的缺陷，进而降低了探测器的暗电流，提高了探测率；将负电极制备在微孔内的高导砷化镓衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导砷化镓衬底中杂质和缺陷俘获的几率，增强了光生载流子的收集效率，从而进一步提高了探测器的探测率。
微孔电极结构阻挡杂质探测器制备方法

[发明专利]背电极结构的阻挡杂质带探测器的制造方法-CN201710087515.3有效
发明人：陈雨璐;王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;张传胜;周德亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种背电极结构的阻挡杂质带探测器的制造方法，包括如下步骤：步骤1，制备背电极结构的阻挡杂质带探测器；步骤2，封装完成制备的背电极结构的阻挡杂质带探测器。本发明的有益效果如下：利用银胶将负电极和金属基板粘合在一起，通过引线键合工艺分别在正电极和金属基板处引出金线，分别连接至金属基板的邻近针脚上，避免了传统制备方法需深孔刻蚀负电极，解决了传统刻蚀工艺对器件造成损伤的问题。
电极结构阻挡杂质探测器及其制造方法

[发明专利]一种优化氮化镓HEMT器件跨导均匀性的方法-CN201610244081.9有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;关冉;臧元章 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化氮化镓HEMT器件跨导均匀性的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到Al_xGa_1‑xN下势垒层的最佳Al组份x值，该x值能使氮化镓HEMT器件的跨导均匀性达到最佳，即对输入信号具有较大动态范围的同时对输出信号也具有较高的增益线性度，进而根据优化后的结果设计并制作了高稳定性氮化镓HEMT器件。该方法的优点在于，可以针对不同外延工艺条件得到的氮化镓HEMT器件提取出Al_xGa_1‑xN下势垒层的最佳Al组份x值，由此设计的氮化镓HEMT器件的跨导均匀性将具有最优值，从而避免为了提高器件稳定性而进行反复试片，极大地降低了研发成本。
一种优化氮化 hemt 器件均匀方法

[发明专利]优化阻挡杂质带太赫兹探测器响应带宽的方法-CN201710133749.7有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带太赫兹探测器响应带宽的方法，包括：首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器响应带宽关于不同吸收层厚度的函数式，进而根据所述函数式及设计的最优响应带宽提取出最佳吸收层厚度，则按照该厚度制作的阻挡杂质带探测器可使探测器响应带宽达到最优。本发明的优点在于，可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计并制作的探测器响应带宽将具有最优值，从而避免为了优化响应带宽而进行反复试片，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
优化阻挡杂质赫兹探测器响应带宽方法

[发明专利]级联快速旋转延迟扫描装置-CN201510587121.5有效
发明人：臧元章;关冉;邹锶;潘鸣;侯丽伟;俞旭辉;谢巍;周德亮;王晓东;王兵兵;刘素芳;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种级联快速旋转延迟扫描装置，将两个或多个快速旋转延迟扫描器进行级联，各个旋转延迟扫描器台阶的高度差存在类似于进制的关系。两个或多个旋转延迟扫描器同时作用改变光程，当第一级的旋转延迟扫描器旋转一周时，第二级的旋转延迟扫描器旋转一个台阶。通过电学模块保证各个旋转延迟扫描装置旋转的初始位置相同，并且转速保持一定的比例。相比于单一快速旋转延迟扫描装置，本发明可以减小快速延迟扫描器的加工难度，并且在快速扫描的基础上极大的延长信号扫描长度。为时域信号的快速扫描提供了一种新的思路和方法。
级联快速旋转延迟扫描装置

[发明专利]一种太赫兹发生器-CN201410550279.0有效
发明人：俞旭辉;邹锶;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;王晓东;王兵兵;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种太赫兹发生器，包括激光器、两个光纤耦合器、光开关、移频环和带太赫兹辐射天线的光电转换器；激光器输出的光经一个光纤耦合器分为第一路和第二路，第一路输入光开关产生光脉冲，输入移频环后产生一系列在时间上等间隔且在频率上等间隔增加的光脉冲，这些光脉冲通过另一个光纤耦合器与第二路光在带太赫兹辐射天线的光电转换器上混频，辐射出一系列时间上等间隔且在频率上等间隔增加的太赫兹脉冲。本发明所提供的太赫兹发生器，全光纤化、体积小、利于集成，频谱范围宽，频率稳定性高，具有重要的科学意义和应用价值。
一种赫兹发生器

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法-CN201610125888.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;关冉;臧元章;汪瑞;周德亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到阻挡杂质带探测器的最佳阻挡层厚度，该厚度能使探测器获得高响应率的同时也具有低的噪声，进而根据优化后的结果设计并制作了高性能阻挡杂质带探测器。该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同外延工艺得到的阻挡杂质带探测器提取出相应的最佳阻挡层厚度，由此设计的探测器性能将具有最优值，从而避免为了提高器件性能而进行反复试片，极大地降低了研发成本。
优化阻挡杂质探测器厚度方法

[外观设计]包装袋-CN201630500124.6有效
发明人：潘鸣 -专利权人：潘鸣
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称包装袋。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于包装袋。3．本外观设计产品的设计要点主视图图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。5.因其他视图没有设计要点，故省略。
装袋

[发明专利]基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法-CN201410853962.1有效
发明人：王兵兵;王晓东;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;关冉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法，包括下述步骤：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋氧层；通过离子注入工艺及快速热退火工艺在所述SOI材料的顶硅层上形成电极过渡区；再通过深硅刻蚀工艺形成微台面，并沉积氮化硅钝化层；在所述氮化硅钝化层上腐蚀开孔，并通过电子束蒸发工艺形成正电极和负电极；再通过退火工艺形成电极欧姆接触；通过电子束蒸发工艺加厚所述正电极和所述负电极。本发明的技术方案提高了阻挡杂质带探测器的量子效率和响应率。
基于 soi 阻挡杂质探测器制备方法

[发明专利]补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法-CN201510268107.9有效
发明人：王兵兵;王晓东;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;关冉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/117 文献下载
摘要：本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法，包括在高导Si衬底上，采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层，掺杂磷离子；在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层，补偿掺杂硼离子；再通过光刻、离子注入、快速热退火、钝化、湿法腐蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极。本发明的优点在于：采用补偿掺杂工艺，在外延生长阻挡层时，引入补偿离子硼，提高了阻挡层电阻率，同时又易于控制阻挡层厚度，从而能有效降低暗电流，抑制噪声，提高灵敏度；硼离子的引入可通过气源开关得到很好的控制，该方法可很好地与传统外延工艺兼容，具有简单可行、操作方便等优点。
补偿掺杂阻挡杂质赫兹探测器芯片及其制备方法

[发明专利]窄线宽太赫兹发生器-CN201410550278.6在审
发明人：俞旭辉;邹锶;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;王晓东;王兵兵;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄线宽的太赫兹发生器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和第一带太赫兹辐射天线；其中，所述第一激光器(1)连接所述第一光纤耦合器(2)；所述第一光纤耦合器(2)一方面通过第三光纤耦合器(6)连接所述第一带太赫兹辐射天线；所述第一光纤耦合器(2)另一方面依次通过第一移频环(4)、第二关开关(5)或第二滤波器、第三光纤耦合器(6)连接所述第一带太赫兹辐射天线。在本发明中，器件之间都是通过光纤连接，便于集成。
窄线宽太赫兹发生器

[发明专利]一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器-CN201410525599.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;俞旭辉;邹锶;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器，该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下，其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层厚度的经验公式，进而根据拟合结果设计并制作铟镓砷红外探测器。该方法的优点在于，可以针对不同工艺条件生长的铟镓砷材料提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计的探测器件响应率将具有最大值，从而避免为了提高器件响应率而进行反复试片。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
一种提高铟镓砷红外探测器响应方法相应探测器

[发明专利]窄线宽的太赫兹探测器-CN201410550230.5有效
发明人：邹锶;俞旭辉;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;王晓东;王兵兵;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄线宽的太赫兹探测器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和太赫兹探测部；其中，所述第一激光器(1)连接所述第一光纤耦合器(2)；所述第一光纤耦合器(2)一方面通过所述第三光纤耦合器(6)连接所述太赫兹探测部，另一方面依次通过第一移频环(4)、第二关开关(5)或第二滤波器、所述第三光纤耦合器(6)连接所述太赫兹探测部。本发明探测灵敏度高，由于采用相干探测，灵敏度较高；本发明结构简单，所用器件成熟、性能稳定、体积小，经组装后，整个装置体积小，重量轻。
窄线宽赫兹探测器

[发明专利]一种太赫兹频谱分析仪-CN201410549087.8有效
发明人：俞旭辉;邹锶;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;王晓东;王兵兵;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：一种太赫兹频谱分析仪，包括激光器、三个光纤耦合器，分别为第一光纤耦合器、第三光纤耦合器、第四光纤耦合器，光开关、移频环、三个光学延迟线，分别为第二光学延迟线、第三光学延迟线、第四光学延迟线、光电探测器、两个带太赫兹探测天线的光电转换器、两个太赫兹聚焦元件、太赫兹分光器；在太赫兹电场的加速下，光生载流子加速运动产生电流，此电流正比于太赫兹波的电场幅值；分别测得电流，然后平方后求和，记为太赫兹波的辐射功率，从电流的时序中获得太赫兹波的频率，即可获得太赫兹波的频谱。本发明所述太赫兹频谱分析仪探测频谱范围宽、频谱分辨率高、室温工作，具有重要的科学意义和应用价值。
一种赫兹频谱分析