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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]NAND闪存的字线偏置电压生成电路-CN202010055313.2在审
发明人：金在观;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路，包括：高电压生成部，其用于产生高电压；擦除控制逻辑，其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号；电平转换器，其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压；字线电压控制部，当操作模式未处于擦除模式时，其用于通过第一高电压开关选择所述电平转换器的输出，以作为字线偏置电压进行输出；以及第二高电压开关，其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。
nand 闪存偏置电压生成电路

[发明专利]NAND闪存的位线开关电路-CN202010053803.9在审
发明人：郑然云;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND闪存的位线开关电路，其包括：选择部，其包括低压晶体管，以当读取模式及放电时选择位线；以及切断部，其位于所述选择部和单元阵列之间以选择一对位线中的一个，用于切断在擦除模式下输出端因施加到位线的高电压而受影响。
nand 闪存开关电路

[发明专利]NAND闪存卡-CN201911399419.8在审
发明人：刘基圣;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及NAND闪存卡，所述NAND闪存卡包括：NAND闪存；以及接口部，其与所述NAND闪存可拆卸地联接，且将所述NAND闪存与主机连接，以在主机中使用所述NAND闪存。
nand 闪存卡

[发明专利]复合NAND闪存卡-CN201911400228.9在审
发明人：刘基圣;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合NAND闪存卡，其包括：可分离的NAND闪存；以及接口部，其具备存储有系统数据的SLC(单层单元)类型的系统存储部，以使存储有系统数据以外的数据的所述NAND闪存与主机进行连接而在主机中使用所述NAND闪存。
复合 nand 闪存卡

[发明专利]存储器集成操作装置-CN201911400500.3在审
发明人：刘基圣;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器集成操作装置，该存储器集成操作装置包括用于连接主机的主机端子部；存储器端子部，其包括用于分别连接多个存储器的多个端子部；存储有固件的ROM；及控制器，其可根据所述主机的要求对所述存储部进行选择并使用，且通过对存储于各存储部的系统区域内的固件与所述ROM的固件进行比较，以限制只有两个固件相同时才能使用所述存储部。
存储器集成操作装置

[发明专利]存储部分离型NAND闪存卡-CN201911400322.4在审
发明人：刘基圣;孙成思 -专利权人： 深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储部可分离型NAND闪存卡，其包括：存储部，其为可分离的NAND闪存；以及接口部，其包括与所述存储部联接的第二端子部和用于处理数据的控制器，以使通过第一端子部连接的主机与所述存储部连接而在主机中使用所述存储部。
存储部分 nand 闪存卡

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