“河泰政”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]交叉点阵列器件及其制造方法-CN201811375062.5有效
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种交叉点阵列器件及其制造方法。所述交叉点阵列器件包括：衬底；第一导电线，其设置在所述衬底之上并在第一方向上延伸；多个柱结构，其设置在所述第一导电线上，所述柱结构中的每个柱结构包括存储电极；电阻式存储层，其沿所述柱结构的表面设置；阈值切换层，其设置在所述电阻式存储层上；以及第二导电线，其与所述阈值切换层电连接并在不与所述第一导电线平行的第二方向上延伸。
交叉点阵列器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211226326.7在审
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件可以包括：第一线；第二线，其设置在第一线之上，以与第一线间隔开；可变电阻层，其设置在第一线和第二线之间；选择器层，其插置于可变电阻层和第二线之间；第一电介质层，其包括电介质材料并且设置在第一线上和可变电阻层和选择器层的侧壁上；以及第二电介质层，其设置在第一电介质层上，其中，选择器层包括第一电介质层中所包括的电介质材料和掺杂在电介质材料中的掺杂剂。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211259575.6在审
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一导线；第二导线，其设置在第一导线之上以与第一导线间隔开；以及选择器层，其设置在第一导线与第二导线之间并且包括电介质材料和以均匀的掺杂剂分布掺杂的掺杂剂。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]读取电阻式存储器件的方法-CN201811365709.6有效
发明人：金京完;河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种读取电阻式存储器件的方法。在根据一个实施例的一种读取电阻式存储器件的方法中，准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元。选择元件在针对存储单元的电流‑电压扫描曲线上表现出骤回行为。在选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给存储单元的第一读取电压和第二读取电压。第二读取电压的大小小于第一读取电压的大小，以及第二读取电压在选择元件表现出骤回行为的电压范围内选择。施加第一读取电压给存储单元以测量第一单元电流。施加第二读取电压给存储单元以测量第二单元电流。基于第一单元电流和第二单元电流来确定储存在存储单元中的电阻状态。
读取电阻存储器件方法

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN202110967230.5在审
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其操作方法。半导体器件可以包括字线、与字线交叉的位线、以及耦接到字线和位线以接收用于控制存储单元的电信号并且包括切换材料层和氧化‑还原可逆材料层，所述氧化‑还原可逆材料层与所述切换材料层接触以允许氧化反应或还原反应响应于电信号的不同幅值和不同极性而发生，其中氧化‑还原可逆材料层和切换材料层响应于电信号的第一阈值电压和第一极性以在切换材料层与氧化‑还原可逆材料层之间产生氧化界面，而响应于电信号的第二阈值电压和第二极性以减少氧化界面的产生。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN202110521638.X在审
发明人： 河泰政;宋政桓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种电子设备可以包括被构造成包含多个存储单元的半导体存储器，其中，多个存储单元中的每一个可以包括：第一电极层；第二电极层；以及选择元件层，其设置在第一电极层与第二电极层之间，以基于施加电压或施加电流相对于阈值大小的大小将第一电极层与第二电极层之间的电连接进行电耦接或解耦，其中，选择元件层具有从选择元件层与第一电极层之间的界面向选择元件层与第二电极层之间的界面降低的掺杂剂浓度分布。
电子设备及其制造方法

[发明专利]阻变存储器件及其感测方法-CN201710265883.2有效
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开一种感测阻变存储器件的方法。该方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；通过将第一读取电压施加到存储单元来测量第一单元电流，在存储单元的电流‑电压特性曲线的阈值感测范围内选择第一读取电压；通过将第二读取电压施加到存储单元来测量第二单元电流，在电流‑电压特性曲线的电阻感测范围内选择第二读取电压；以及当第一单元电流和第二单元电流中的至少一个比对应的参考电流大时，输出具有第一逻辑值的数据信号作为储存在存储单元中的数据。
存储器件及其方法

[发明专利]电子设备及其操作方法-CN201510685044.7有效
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：多个第一线，在第一方向上延伸，且被布置为彼此平行；多个第二线，在与所述多个第一线交叉的第二方向上延伸，且被布置为彼此平行；以及多个存储单元，分别安置于所述多个第一线与所述多个第二线的交叉区域中，其中，存储单元中的每个可以包括：选择元件，包括彼此耦接的转换元件和热电元件，转换元件具有非线性电流‑电压特性；可变电阻元件，耦接至选择元件；以及绝热件，围绕至少选择元件的侧壁。
电子设备及其操作方法

[发明专利]电子器件-CN201410841808.2有效
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种电子器件包括晶体管。所述晶体管包括：包括金属氧化物的本体；栅电极；以及栅绝缘层，其插入在所述本体和所述栅电极之间；其中，所述晶体管根据施加至所述栅电极和所述本体的电压，通过所述本体中的氧空位的移动而接通或关断。
电子器件

[发明专利]具有对称的导电互连图案的半导体器件-CN201910385004.9在审
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了具有对称的导电互连图案的半导体器件。半导体器件可以包括：下层间电介质层，在下层间电介质层之上的导电互连图案结构和填充图案，以及在导电互连图案结构和填充图案之上的上层间电介质层。每个导电互连图案结构可以包括在其中部的中间图案、在中间图案的第一侧表面上的第一导电互连图案以及在中间图案的第二侧表面上的第二导电互连图案。第一导电互连图案和第二导电互连图案可以具有彼此对称的结构。
导电互连图案电介质层图案结构半导体器件侧表面填充下层对称上层

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410242414.5有效
发明人： 河泰政 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：沿着第一方向延伸的第一导电层；沿着第二方向延伸且形成在第一导电层之上的第二导电层，第一方向和第二方向彼此大体垂直；以及设置在第一导电层之上的可变电阻层，可变电阻层沿着第二方向延伸。可变电阻层的上部被设置在包括第二导电层的两个相邻的第二导电层的下部之间。
第二导电层第一导电层可变电阻层方向延伸半导体器件垂直制造

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top