专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果12个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]基板处理装置、基板处理方法-CN202310268283.7在审
  • 林航之介;樋口晃一 - 芝浦机械电子装置株式会社
  • 2023-03-20 - 2023-09-26 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法,能够抑制因新飞散的处理液碰撞到留在杯体内壁面的处理液所引起的雾的产生,防止所述雾附着于基板。本发明的基板处理装置包括:保持部,保持基板;驱动部,设于保持部,使基板与所述保持部一同旋转;供给部,为了对基板进行处理而对基板的被处理面供给处理液;第一杯体,以包围基板的方式而设;第二杯体,以包围第一杯体的方式而设,且内壁面的性质与第一杯体不同;以及移动控制部,使第一杯体以及第二杯体移动,使第一杯体的内壁面或第二杯体的内壁面的其中一者承接从基板飞散的处理液。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]旋转装置及动力传递装置-CN202110631163.X在审
  • 冈町悠介;樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2021-06-07 - 2022-01-11 - F16F15/14
  • 本发明提供了抑制离心件与引导面的接触音的产生的旋转装置及动力传递装置。旋转装置(10)具备第一旋转体(2)、第二旋转体(3)、离心件(4)及第一滚动部件(5)。第一旋转体具有包括第一及第二引导面(211、212)的收容部(21)。第一及第二引导面朝向周向。第一旋转体以可旋转的方式配置。第二旋转体以能够与第一旋转体一起旋转,并且能够与第一旋转体相对旋转的方式配置。离心件配置在收容部内。离心件以受到由第一旋转体或第二旋转体的旋转产生的离心力而能够径向移动的方式配置。离心件构成为在向径向移动时自转。第一滚动部件配置在第一引导面(211)与离心件之间。第一滚动部件构成为通过离心件的自转而在第一引导面上滚动。
  • 旋转装置动力传递
  • [发明专利]转矩变动抑制装置及动力传递装置-CN202010873833.4在审
  • 樋口晃一;冈町悠介 - 株式会社艾科赛迪
  • 2020-08-26 - 2021-05-11 - F16F15/12
  • 本发明公开了转矩变动抑制装置及动力传递装置,以简单的结构减小伴随离心件的移动的滞后转矩。该转矩变动抑制装置(10)具有轮毂凸缘(2)、惯性环(3)、离心件(4)、滚针(6)和凸轮机构(5)。轮毂凸缘具有收纳部(21)。惯性环能够和轮毂凸缘进行相对旋转。离心件能够沿径向移动地被配置在收纳部内,并接受离心力。滚针引导离心件的径向的移动。滚针被配置在离心件的周向的两端面(4a、4b)和收纳部的壁面(21a、21b)之间,通过转动而能够沿径向在规定的范围内自由移动。凸轮机构接受作用于离心件的离心力,将离心力转换成使轮毂凸缘和惯性环的旋转相位差减小的方向的周向力。
  • 转矩变动抑制装置动力传递
  • [发明专利]转矩变动抑制装置及动力传递装置-CN202010736867.9在审
  • 樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2020-07-28 - 2021-03-16 - F16F15/32
  • 本申请公开了转矩变动抑制装置及动力传递装置,使离心件能够顺畅地沿径向移动,并且形成为更简易的结构。转矩变动抑制装置具有第一旋转体(2)、第二旋转体(3)、离心件(4)和凸轮机构(5)。离心件能够沿径向移动地配置在收纳部内。离心件接受基于第一旋转体或者第二旋转体的旋转的离心力。凸轮机构接受作用于离心件的离心力,将离心力转换成使第一旋转体和第二旋转体的旋转相位差减小的方向的周向力。凸轮机构具有凸轮面(51)和凸轮从动件(52)。凸轮面(51)形成于离心件。凸轮从动件(52)与凸轮面(51)抵接,在离心件与第二旋转体之间传递力。离心件构成为通过在收纳部的内壁面(22)上转动而沿径向移动。
  • 转矩变动抑制装置动力传递
  • [发明专利]转矩变动抑制装置、转矩变换器以及动力传递装置-CN201680046952.4有效
  • 富山直树;萩原祥行;樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2016-07-21 - 2020-02-04 - F16F15/14
  • 在用于抑制旋转部件的转矩变动的装置中,在较广的旋转数范围内抑制转矩变动的峰值。该装置具备惯性环(20)、多个离心部件(21)、禁止工作机构(24)以及凸轮机构(22)。惯性环(20)能够与旋转体(12)一起旋转且相对于旋转体(12)自由地相对旋转。离心部件(21)配置为接受旋转体(12)的旋转带来的离心力,在径向自由移动。禁止工作机构(24)在旋转体(12)达到预定旋转数以上时限制多个离心部件(21)中的至少一个离心部件(21)向径向外侧移动。凸轮机构(22)利用通过离心力向径向移动的离心部件(21)的工作,在旋转体(12)与惯性环(20)之间产生旋转方向上的相对位移时,将离心力转换为缩小相对位移的方向的圆周方向力。
  • 转矩变动抑制装置变换器以及动力传递
  • [发明专利]扭矩变动抑制装置、变矩器以及动力传递装置-CN201680045500.4有效
  • 富山直树;萩原祥行;樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2016-08-24 - 2020-01-17 - F16F15/14
  • 在用于抑制旋转构件的扭矩变动的装置中,在比较大的转速区域中抑制扭矩变动的峰值。该装置具备惯性环(20)、离心件(21)以及凸轮机构(22)。惯性环(20)与输出侧旋转体(12)沿轴向并排配置,能够与输出侧旋转体(12)一并旋转,相对于输出侧旋转体(12)相对旋转自如。离心件(21)受到由输出侧旋转体(12)以及惯性环(20)的旋转引起的离心力。凸轮机构(22)具有凸轮(26)以及凸轮从动件(25),使输出侧旋转体(12)以及惯性环(20)旋转,并且在输出侧旋转体(12)与惯性环(20)之间产生旋转方向上的相对位移时,将作用于离心件(21)的离心力转换为相对位移变小的方向上的圆周方向力。
  • 扭矩变动抑制装置变矩器以及动力传递
  • [发明专利]扭矩变动抑制装置、扭矩转换器及动力传递装置-CN201680047359.1有效
  • 富山直树;萩原祥行;樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2016-07-22 - 2019-08-16 - F16F15/14
  • 在较宽的转数区域内抑制旋转构件的扭矩变动的峰值。该装置具备质量体(20)、第一离心件和第二离心件(21)以及第一凸轮机构和第二凸轮机构(221、222)。质量体(20)能够与旋转体(12)一起旋转,且相对于旋转体(12)相对旋转自如。各离心件(21)承受由旋转体(12)和质量体(20)的旋转而产生的离心力。第一凸轮机构(221)承受作用于第一离心件(21)的离心力,当在旋转体(12)和质量体(20)之间产生了旋转方向上的相对位移时,第一凸轮机构(221)将离心力转换成相对位移变小的方向上的第一圆周方向力。第二凸轮机构(222)承受作用于第二离心件(21)的离心力,当在旋转体(12)和质量体(20)之间产生了旋转方向上的相对位移时,第二凸轮机构(222)将离心力转换成相对位移变小的方向上的第二圆周方向力。
  • 扭矩变动抑制装置转换器动力传递
  • [发明专利]扭矩变动抑制装置、扭矩转换器及动力传递装置-CN201680047456.0有效
  • 富山直树;萩原祥行;樋口晃一 - 株式会社艾科赛迪
  • 2016-07-22 - 2019-05-28 - F16F15/14
  • 在比较宽的转数区域内抑制旋转体的扭矩变动的峰值。该装置具备惯性环(20)、离心件(21)以及凸轮机构(22)。惯性环(20)能够与输出侧旋转体(12)一起旋转,配置为相对于输出侧旋转体(12)相对旋转自如。离心件(21)配置为承受由输出侧旋转体(12)的旋转而产生的离心力。凸轮机构(22)承受作用于离心件(21)的离心力,当在输出侧旋转体(12)和惯性环(20)之间产生了旋转方向上的相对位移时,凸轮机构(22)将离心力转换成相对位移变小的方向上的圆周方向力,并且当规定大小以上的扭矩变动输入至输出侧旋转体(12)时,凸轮机构(22)使惯性环(20)相对于输出侧旋转体(12)自由旋转。
  • 扭矩变动抑制装置转换器动力传递
  • [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201710903098.5在审
  • 屉平幸之介;菊池勉;樋口晃一;林俊秀 - 芝浦机械电子株式会社
  • 2017-09-29 - 2018-04-06 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能够使将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高的基板处理装置及基板处理方法。有关实施方式的基板处理装置(10)具备第1喷嘴(61),向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)供给处理液;第2喷嘴(71),向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给挥发性溶媒;第1喷嘴移动机构(62),作为位置移动部发挥功能,在处理液被从第1喷嘴(61)供给到基板(W)的被处理面(Wa)的中心的状态下,使基板(W)的被处理面(Wa)上的处理液供给位置从基板(W)的被处理面(Wa的中心向中心附近的位置移动,在处理液被从第1喷嘴(61)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心附近的位置供给、挥发性溶媒被从第2喷嘴(71)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给的状态下,使上述处理液供给位置沿着从基板(W)的被处理面(Wa)的中心朝外的方向移动。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置-CN200680003521.6无效
  • 黑川祯明;樋口晃一 - 芝浦机械电子株式会社
  • 2006-11-30 - 2008-01-23 - H01L21/304
  • 本发明的基板处理装置,利用施加了超声波振动的处理液处理基板,具备:振荡体(32),是直方体状并具有处理液的供给通路(35),该供给通路(35)在该振荡体的长度方向的一端部的底面开口、并且向该振荡体的长度方向的另一端部倾斜;振子(34),设在振荡体的上表面,使振荡体进行超声波振动;及热交换器(42),冷却向供给通路供给的处理液。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN200710002077.2无效
  • 小林信雄;樋口晃一;黑川祯明;荒井隆史 - 芝浦机械电子株式会社
  • 2007-01-18 - 2007-08-01 - H01L21/00
  • 本发明提供一种基板处理装置,能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备:保持半导体晶片的旋转台(3);以及喷嘴体(33),与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置,混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板;喷嘴体具备:较长的本体部(34),沿基板的半径方向;第一供液管及第二供液管(37、38),向本体部供给硫酸和过氧化氢水;第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39),混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水,从本体部向半导体晶片的几乎整个半径方向供给。
  • 处理装置方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top