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[发明专利]半导体存储装置-CN202010765843.6在审
发明人：山本博昭;麻生真一;川畑健一;宫田晴行;下川隆浩;梅泽多佳子;佐佐木俊介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制芯片面积的增加并且提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置在基板上具备存储区域(600)和形成有MOS晶体管(100)的外围电路区域(500)。MOS晶体管(100)具有沿着与基板表面平行的第一方向配置的漏极区域(120)以及源极区域(130)。在漏极区域(120)的表面，形成有供相对于基板在垂直方向上延伸的接触插塞(122)连接的漏极电极(121)。另外，在源极区域(130)的表面，形成有供相对于基板在垂直方向上延伸的接触插塞(132)连接的源极电极(131)。在从第一方向投影的情况下，漏极电极(121)具有与源极电极(131)不重叠的区域，源极电极(131)具有与漏极电极(121)不重叠的区域。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN201811610343.4在审
发明人： 梅泽多佳子 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制布线的拖尾现象的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1布线W1和第2布线W2。第2布线W2与第1布线W1具有规定的布线间隔地配置。第2布线W2的端部形成1个以上的环。
半导体装置