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[发明专利]碳纳米管回收装置和碳纳米管制造装置以及碳纳米管的回收方法-CN202280017848.8在审
发明人：长信也;上冈真弥;藤田贵弘;桥本刚;高野庆;香川尚人 -专利权人：同和热处理技术株式会社;株式会社名城毫微碳;株式会社大阪曹达
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种碳纳米管回收装置，其中，该碳纳米管回收装置具有：回收室，其具有与碳纳米管生成装置相通的开口部；卷取构件，其配置在回收室内，该卷取构件卷取从碳纳米管生成装置通过开口部后的碳纳米管而形成碳纳米管卷绕体；以及分离机构，其使碳纳米管卷绕体从卷取构件的基端侧朝向顶端侧移动而使该碳纳米管卷绕体从卷取构件分离。
纳米回收装置制造以及方法

[发明专利]内毒素检测方法和内毒素检测装置、纯化水制造设备和注射用水制造设备以及纯化水制造方法和注射用水制造方法-CN202180044481.4在审
发明人：木本洋;饭山真充;桥本刚;早下隆士 -专利权人：野村微科学股份有限公司;学校法人上智学院
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：本发明为一种内毒素检测方法，该方法使用具有荧光部位与识别部位通过间隔子连接的结构的荧光物质，从受试对象的试样中检测内毒素，该识别部位识别内毒素的分子结构的特定部位。
内毒素检测方法装置纯化制造设备注射以及

[发明专利]电极结构体-CN201780030466.8有效
发明人： 桥本刚;八名拓实 -专利权人：株式会社名城毫微碳
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明的电子设备用电极结构体包含粉末状的电极材料和体积电阻率为2×10－2Ω·cm以下的碳纳米管。
电极结构

[发明专利]碳纳米管的制造装置和制造方法-CN201680058037.7有效
发明人： 桥本刚;高野庆 -专利权人：株式会社名城毫微碳
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：通过本发明提供的CNT制造装置(1)包括筒体的腔室(10)和设置于排气管(50)的控制阀(60)。腔室(10)包括：设置于该腔室(10)的筒轴方向的一部分范围的反应区(20)；设置于比反应区(20)靠下游的位置的沉积区(22)；检测表示沉积区(22)中的碳纳米管的沉积状态的物性值的沉积状态检测部(40)。CNT制造装置(1)构成为如下：在由沉积状态检测部(40)检测的物性值为规定的阈值以下时，关闭控制阀(60)而使碳纳米管沉积在沉积区(22)；在该物性值超过规定的阈值时，打开控制阀(60)而回收沉积在沉积区(22)的碳纳米管。
纳米制造装置方法

[发明专利]碳纳米管的制造方法-CN201980050383.4在审
发明人：岩佐成人;平山大悟;小田实生;三木康史;香川尚人;桥本刚;高野庆 -专利权人：株式会社大阪曹達;株式会社名城毫微碳
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法，其具有：将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90％以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0～2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤；和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触，从而生成碳纳米管的步骤。
纳米制造方法

[发明专利]浮法玻璃制造装置和浮法玻璃制造方法-CN201510075861.0有效
发明人：泷口哲史;镜味督博;桥本刚;西野琢也;壬生周 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C03B18/02 文献下载
摘要：本发明提供浮法玻璃制造装置和浮法玻璃制造方法。该浮法玻璃制造装置具备在成形装置和所述退火装置之间调整所述玻璃带的温度的温度调整装置，其中，所述温度调整装置具有多个加热器组，该加热器组由在所述玻璃带的宽度方向上排列的多个加热器构成，以设置各所述加热器组的区域中的在所述玻璃带的宽度方向上排列的各个区为单位控制各所述加热器组的多个加热器，所述多个加热器组中的两个加热器组以在所述玻璃带的厚度方向上隔着所述玻璃带相对的方式配设，且在所述玻璃带的输送方向上配设在相同的位置，并且该两个加热器组使上侧的所述区彼此的交界和下侧的所述区彼此的交界至少在1处沿所述玻璃带的宽度方向错开地配设。
玻璃制造装置方法

[发明专利]碳纳米管分散液和该分散液的制造方法-CN201280075466.7有效
发明人： 桥本刚 -专利权人：株式会社名城毫微碳
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C01B32/174 文献下载
摘要：这里所公开的制造方法，包含在分散用容器中投入液状介质的步骤；在分散用容器中投入碳纳米管，将该分散用容器的内容物的粘度调整为规定的投入目标值的步骤；使用环形间隙型的珠磨机对分散用容器的内容物进行分散处理，使该内容物的粘度为规定的分散目标值的步骤。并且，该制造方法的特征在于，重复进行碳纳米管的投入和上述分散处理，直至分散用容器的内容物的碳纳米管浓度成为所希望值。根据该制造方法，即使是高浓度的碳纳米管分散液，也能够均质地分散。
纳米分散制造方法

[发明专利]接收装置、接收方法以及计算机程序-CN201180063716.0无效
发明人： 桥本刚 -专利权人：日本电气株式会社;株式会社NTT都科摩
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H04J11/00 文献下载
摘要：在接收包括由N（N为2的乘方）个数据构成的频域信道估计值的信号、并利用对信道估计值进行P（P为log2N）次DFT（DiscreteFourierTransform：离散傅里叶变换）运算处理来求出时域信道估计值的接收装置、接收方法以及计算机程序中，进一步减少运算。从形成由接收到的信号求出的频域信道估计值的N个数据之中的、未用0替换的数据的数量，决定P次DFT运算处理之中的、开始DFT运算处理的第M（M为2以上P以下）次DFT运算处理；生成用于运算向所决定的第M次DFT运算处理输入的数据的旋转因子；从由接收到的信号求出的频域信道估计值以及所生成的旋转因子，计算向第M次DFT运算处理输入的数据；通过进行从第M次到第P次的DFT运算处理，运算时域信道估计值。
接收装置方法以及计算机程序

[发明专利]原料供给方法及原料供给装置、以及玻璃板的制造装置及制造方法-CN201080026998.2有效
发明人：平兼慎司;桥本刚 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C03B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原料供给方法，将与玻璃熔融炉相邻设置的原料罐内的玻璃原料向所述玻璃熔融炉的熔融槽投入，其中，将所述原料罐内的温度保持得高于露点温度且低于所述玻璃原料中包含的水合物的脱水开始温度。
原料供给方法装置以及玻璃板制造

[发明专利]快速傅里叶变换电路-CN201180009769.4无效
发明人： 桥本刚 -专利权人：日本电气株式会社;株式会社NTT都科摩
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G06F17/14 文献下载
摘要：公开了一个能够对在快速傅里叶变换计算的各个级中处理的数据进行高速读和写，而无需对存储器分段的快速傅里叶变换电路。该电路设置有：计算单元(1)，执行以数字傅里叶变换作为组元的快速傅里叶计算；存储器(2A、2B)，用于存储计算单元(1)的输入/输出数据；以及装置(7)，用于控制将来自计算单元(1)的计算结果写到存储器(2A、2B)，以使得在对计算单元(1)正在处理的数据执行的多级计算中的每个级，从存储器(2A、2B)读取数据的次序是相同的。
快速傅里叶变换电路

[发明专利]复合材料的制造方法和制造装置-CN201080008255.2无效
发明人：安藤义则;科马尔;桥本刚;仓内纪雄;增冈宏高;笼桥章 -专利权人：学校法人名城大学;株式会社名城毫微碳;增冈窑业原料株式会社;高砂工业株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于CVD法高效地制造在基材的表面具备碳纳米管(CNT)的复合材料的方法。该方法中，在以能够相对于长轴旋转并且长轴的一端侧10a高的方式倾斜设置的筒体10所具备的能够加热的腔室内供给CNT载持用基材P和碳源蒸汽V，在该基材的表面生成CNT。确定CNT载持用基材导入部30和碳源蒸汽供给部40，以使CNT载持用基材和碳源蒸汽的接触在设置于靠近腔室内的上游的至少一部分的反应区域12进行。另外，在腔室的内周壁设置有凸部20。由此，通过使该筒体旋转，CNT载持用基材被该凸部捕获，一边重复提升和落下，一边使其从筒体的上游侧移动到下游侧。
复合材料制造方法装置

[发明专利]电火花成型加工方法以及电火花成型加工装置-CN200880101712.5有效
发明人：柳泽智幸;桥本刚 -专利权人：沙迪克株式会社
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： B23H7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种通过施加具有断开时间的电压，在加工间隙中产生放电而加工工件的电火花成型加工装置，包括：判别装置(20)，产生表示加工间隙的异常状态的第一信号(NGc)、与表示加工间隙的正常状态的第二信号(OKc)；以及脉冲控制装置(30)，被设定第一扩大率以及比第一扩大率小的第二扩大率，并且被设定第一缩小率以及比第一缩小率小的第二缩小率。脉冲控制装置在输入了第一信号时，利用第一或第二扩大率中的某一个扩大断开时间，在输入了第二信号时，利用第一或第二缩小率中的某一个缩小断开时间。
电火花成型加工方法以及装置

[发明专利]玻璃制造方法及减压脱泡装置-CN200880003248.6有效
发明人：广濑元之;高向洋;竹下信治;山崎幸男;市川敦;桥本刚;水野润一 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C03B5/225 文献下载
摘要：本发明提供由过度减压导致的泡层的增厚导致的减压脱泡的效果下降得到防止的玻璃制造方法以及适用于该玻璃制造方法的减压脱泡装置。本发明的玻璃制造方法包括在减压脱泡槽内对熔融玻璃进行减压脱泡的工序，该方法的特征在于，在减压脱泡槽内流通的熔融玻璃的上方形成气流，该气流是选自所述熔融玻璃的流通方向的气流、以及与所述熔融玻璃的流通方向相反的方向的气流的至少1种。
玻璃制造方法减压脱泡装置

[发明专利]解码设备和解码方法-CN200510107074.6有效
发明人： 桥本刚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H04J13/00 文献下载
摘要：提供了一种能够减少接收的数据的解码次数的解码器和解码方法。根据本发明的解码器包括：Viterbi解码器，用于解码接收的数据；解码数据长度存储区，用于存储解码数据长度；解码数据临时存储区，用于将临时存储数据作为解码数据存储直到解码数据长度；最大数据存储器，用于将最大解码数据作为解码数据存储直到最大数据长度；最大似然检测电路，用于根据似然信息选择解码数据长度；以及解码数据重构电路，用于用临时解码数据替换一部分最大解码数据。
解码设备方法

[发明专利]半导体存储装置和刷新周期控制方法-CN200510078378.4有效
发明人：伊藤丰;桥本刚 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2005-06-20 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种半导体存储装置。具有搭载了BIST电路，对监视比特区域按每刷新周期进行读出、写入，从而按该刷新周期来测量错误率(错误计数)的错误率测量电路，具有进行刷新周期的延长、缩短控制，从而获得规定错误率的控制电路。BIST电路给出内部指令、内部地址，是从内部使DRAM动作的电路，进行希望的数据写入·读出、期待值比较(错误判断)、错误计数。
半导体存储装置刷新周期控制方法

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