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[实用新型]一种晶体加工快速定向装置-CN201721434391.3有效
发明人：陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;林飞;孙卫权;林永活 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体加工快速定向装置，包括滑台，所述滑台的正面设置有安装台，所述安装台的正面设置有定位板。本实用新型通过设置滑台、安装台、定位板、支撑板、支架、基准块、晶体、滑轨、滑块、承载板、拉簧、连接杆、固定板和限位弧的相互配合，解决了现有的定向装置实用性低的问题，通过先对钽酸锂(LiTaO3；LT)/铌酸锂(Li NbO3；LN)晶体进行基准面定向，使用开发的定向治具的基准块作为定位基准，利用该治具基准面与晶体的基准面贴合固定，则完成晶体Y轴向的定位作业，将已完成基准面定位的晶体与治具，利用一定角度范围的微调式滑台设计，利用滑台微调与平滑的机构特性，可以快速完成X轴向的定向作业。
一种晶体加工快速定向装置

[发明专利]一种单面抛光超薄晶圆加工方法-CN201711055335.3在审
发明人：陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;李源萍;林永活;王海呈 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除。本发明可以完全免除传统工艺需要再透过单面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水准，以达到高产出、工艺简化、成本降低的目的，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求，且加工效率低，工艺复杂，生产成本高的问题。
一种单面抛光超薄加工方法

[发明专利]一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法-CN201711054667.X在审
发明人：陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;李源萍;林永活;郑贤良 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B24B13/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。本发明较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到＜200um的工艺水准，本发明可以将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm2＜0.5um，PLTV＞95％的水准，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求的问题。
一种超薄平坦加工夹持方法

[发明专利]一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法-CN201711055317.5在审
发明人：陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;李源萍;林永活;赵斌 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B24C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，包括如下步骤首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。本发明通过磨砂机构对晶片的表面进行打磨，直到晶片的表面均匀完整的粗化，通过减震平台避免砂粒喷射在晶片表面上瞬间力量过大导致晶片破碎，用以实现厚度＜350um以下的超薄超平坦单面抛光基板备置，解决了传统的单面抛光工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)/铌酸锂(LiNBO3；LN)的平坦度要求，即使习知的双抛工艺具备较好的平坦化制程能力，但也受限晶体本身为透明的特性，而无法直接将抛光后的晶片应用于后段制程上的问题。
一种单面抛光超薄平坦加工方法