“林升炫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于大面积厚膜可控织构光子晶体锂硫电池的制备方法-CN201911250675.0有效
发明人：胡晓斌;林升炫;蔡子贺;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明涉及基于大面积厚膜可控织构光子晶体锂硫电池的制备方法，利用垂直沉降自组装的方法，随着溶剂挥发，使单分散微球在基材的大孔中排列成光子晶体结构，以光子晶体为模板，在模板间隙中合成有序微孔碳，去除光子晶体模板获得三维有序分级多孔结构的碳光子晶体，从而形成大面积厚膜可控的织构光子晶体。将其与单质硫复合得到硫正极，锂金属作为对电极，从而组装成锂硫电池。本发明通过改变基材的厚度和悬浊液的浓度，实现了电极厚度从10‑650um的厚膜可控，同时通过改变基材的面积，实现了电极面积从0.1‑400cm2的大面积制备。此外通过调节硫的有机溶液的浓度，实现了从1‑15mg·cm‑2的硫高负载，从而实现了锂硫电池的高面容量密度和面能量密度。
基于大面积可控光子晶体电池制备方法

[发明专利]具有电极电解质一体化光子晶体结构的固态锂硫电池及其制备方法-CN202310708246.3在审
发明人：胡晓斌;张毓宁;林升炫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电极电解质一体化光子晶体结构的固态锂硫电池及其制备方法，所述的固态锂硫电池的正极通过以下方法制得：在二氧化硅微球表面镀镍，得到镍包覆二氧化硅的核壳结构，将其分散到溶剂中，使其在基底上有序排列成光子晶体结构；刻蚀掉二氧化硅微球，得到镍光子晶体反模板；向反模板纳米孔中填入一定量的硫；所得硫镍光晶复合物浸入含离子液体的前驱体溶液中，1～5h后取出，得到的一体化光晶结构前驱体进行原位固化形成聚离子液体包覆的硫正极。与现有技术相比，本发明通过硫、镍光子晶体、聚离子液体三层结构的一体化制备，实现了导电电极和导离子的电解质之间的紧密结合，界面阻抗小于100Ω，有效解决了固态电解质界面结合的难题。
具有电极电解质一体化光子晶体结构固态电池及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202211565868.7在审
发明人：孙珍景;金承帝;朴志源;林在抱;曹玟锡;林升炫;崔津荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的有源区；元件隔离层，在衬底中与有源区相邻；衬底上的栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；有源区上的多个沟道层，沿垂直于衬底的上表面的第三方向彼此间隔开，并由栅电极围绕；以及源/漏区，设置在有源区的与栅电极相邻的凹陷中，并连接到多个沟道层。在第一方向上，栅电极在有源区上具有第一长度并在元件隔离层上具有第二长度，第二长度大于第一长度。
半导体器件

[发明专利]基于碳光子晶体金属镀膜结构的锂硫电池及其制备方法-CN201910765077.0有效
发明人：胡晓斌;林升炫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及基于碳光子晶体金属镀膜结构的锂硫电池及其制备方法，以二氧化硅蛋白石为模板，在模板间隙中合成有序微孔碳，去除二氧化硅模板获得三维有序分级多孔结构的碳光子晶体，在碳光子晶体表面镀上一层金属薄膜，然后将单质硫和锂金属分别填入金属镀膜的碳光子晶体中，分别获得三维有序分级多孔结构的光子晶体硫正极和光子晶体锂负极，将正负极组装成锂硫电池。与现有技术相比，本发明制得的光子晶体锂硫电池具有更快的离子传导率和离子传输率，同时可以有效抑制中间相聚硫化物的溶解，抑制电极的体积膨胀以及抑制锂枝晶的生长，从而获得高的比容量，快速充放电和良好的循环寿命等性能。
基于光子晶体金属镀膜结构电池及其制备方法

[发明专利]一种流延法制备大面积厚度可控有序多孔电极的方法-CN202210503621.6在审
发明人：胡晓斌;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明涉及一种流延法制备大面积厚度可控有序多孔电极的方法，用多种多孔基材，利用流延法将一定浓度的胶体微球分散液分散至多孔基材的孔洞中，随着溶剂挥发，使单分散微球自然排列成光子晶体结构。随后在胶体微球光子晶体的间隙中填充有机物，经高温碳化和去除胶体微球模板，获得大面积有序多孔薄片。接着将电极活性材料填入有序多孔薄片的纳米孔中，即获得大面积厚度可控有序多孔电极。与现有技术相比，本发明通过改变基材的厚度和面积，实现了厚度从20um‑600um和面积从0.1cm2‑1000cm2的有序多孔电极的制备。
一种法制大面积厚度可控有序多孔电极方法

[发明专利]一种原位制备金属衍生碳基光子晶体的方法-CN201910571972.9有效
发明人：胡晓斌;蔡子贺;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位制备金属衍生碳基光子晶体的方法，采用重力沉降自组装法在带有气体扩散层的碳纤维纸基底上沉积有序性良好的光子晶体正模板，以正模板为阴极，在电解液中还原金属阳离子填充到光子晶体正模板的空隙中，再将其与碳的前驱物置于管式炉中热处理，通过酸刻蚀除去光子晶体正模板，制备得到具有反蛋白石结构的碳基光子晶体。本发明通过改变正模板的粒径大小实现了孔径从100nm至1μm的碳基光子晶体的制备。本发明还通过改变热处理条件，实现了不同氮掺杂比例的碳基光子晶体的可控制备。
一种原位制备金属衍生光子晶体方法

[发明专利]一种基于三维有序多孔碳光晶的富硒锂硒电池及其制备方法-CN202210012314.8在审
发明人：胡晓斌;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于三维有序多孔碳光晶的富硒锂硒电池及其制备方法，一方面在硒单质中掺入微量的硫，合成富硒的硫硒化物作为电池活性材料；另一方面，用真空抽滤的方法合成二氧化硅胶晶模板，在模板间隙中合成金属有机框架化合物，经过高温碳化形成二氧化硅和有序多孔碳复合物，去除二氧化硅蛋白石模板后获得三维有序分级多孔的氮掺杂碳光子晶体。将富硒的硫硒化物与氮掺杂碳光子晶体复合作为锂硒电池正极材料，以锂金属作对电极，制备锂硒电池。与现有技术相比，通过本发明，获得了高比容量、高倍率性能和长循环寿命的锂硒电池。
一种基于三维有序多孔碳光晶富硒锂硒电池及其制备方法

[发明专利]基于化学镀镍核壳结构电极材料及其制备方法和锂硫电池-CN202210012333.0在审
发明人：胡晓斌;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于化学镀镍核壳结构电极材料及其制备方法和锂硫电池，利用化学镀的方法在活性材料硫单质颗粒的表面均匀包覆一层高导电的金属镍，获得镍‑硫核壳结构的电极活性材料，进而获得具有高负载和高面容量的锂硫电池。与现有技术相比，本发明的制备方法步骤简单，效率高且成本低，解决了单质硫的不导电性、穿梭效应以及充放电过程中的体积膨胀等问题。更重要的是，本发明制备的锂硫电池具有极高的活性材料负载和面容量，具有非常广阔的实际应用前景。
基于化学镀镍核壳结构电极材料及其制备方法电池

[发明专利]一种纳米硅碳负极材料制备方法-CN202210012318.6在审
发明人：胡晓斌;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米硅碳负极材料制备方法，由正硅酸乙酯制备纳米SiO2微球，纳米SiO2微球表面均匀包覆聚合物或有机物层，形成纳米硅碳前驱体；在氩气保护下，纳米硅碳前驱体与镁粉，进行热解，纳米硅碳前驱体表面的聚合物碳化形成包覆在SiO2表面的碳壳，同时镁粉挥发成镁蒸汽，镁蒸汽渗透碳壳进入内部与纳米SiO2反应，制得纳米硅碳负极材料。与现有技术相比，本发明所制得纳米硅碳负极材料为核壳结构，纳米硅碳负极材料中硅为核，其粒径全部为纳米级别，硅的尺寸均匀，含量为5wt％‑60wt％；纳米Si外表包裹碳层，利用碳层保护纳米硅，提高锂离子电池容量，提升锂离子电池的容量和循环寿命。
一种纳米负极材料制备方法

[发明专利]一种在多孔基材上制备大面积无裂纹厚膜光子晶体的方法-CN201911135116.5有效
发明人：胡晓斌;蔡子贺;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种在多孔基材上制备大面积无裂纹厚膜光子晶体的方法，采用多种多孔基材，置于由单分散微球配成的悬浊液中，利用垂直沉降自组装的方法，随着溶剂挥发，使单分散微球在基材的孔洞中排列成光子晶体结构。与现有技术相比，本发明通过改变基材的厚度和悬浊液的浓度，实现了厚度从20μm‑650μm的光子晶体的制备，还通过调整基材的面积，实现了面积从0.1cm2‑100cm2光子晶体的制备，且该光子晶体表面无明显裂纹。
一种多孔基材制备大面积裂纹光子晶体方法

[发明专利]具有电荷存储层的竖直存储器装置及其制造方法-CN201610073151.9有效
发明人：李铉旭;姜大雄;金大新;薛光洙;孙镐玟;林升炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。
具有电荷存储竖直存储器装置及其制造方法

[发明专利]基于金属有序多孔结构的光子晶体锂硫电池的制备方法-CN201810162055.0有效
发明人：胡晓斌;林升炫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明涉及基于金属有序多孔结构的光子晶体锂硫电池的制备方法，以聚苯乙烯蛋白石为模板，沉积金属后去除其中的聚苯乙烯获得有序多孔结构的金属光子晶体，然后将单质硫和锂金属分别填入有序多孔结构的金属光子晶体中，分别获得三维有序多孔结构的光子晶体硫正极和光子晶体锂负极，再将正负极组装成锂硫电池即可。与现有技术相比，本发明制得的光子晶体锂硫电池具有更快的离子传导率和离子传输率，同时可以有效抑制中间相聚硫化物的溶解，抑制电极的体积膨胀以及抑制锂枝晶的生长，从而获得高的比容量，快速充放电和良好的循环寿命等性能。
基于金属有序多孔结构光子晶体电池制备方法

[发明专利]利用金属有机框架制备三维有序分级多孔碳光子晶体方法-CN201910765058.8在审
发明人：胡晓斌;林升炫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及利用金属有机框架制备三维有序分级多孔碳光子晶体方法，以二氧化硅蛋白石为模板，在模板间隙中合成金属有机框架化合物，经过高温碳化形成二氧化硅和有序多孔碳复合物，去除二氧化硅蛋白石模板后获得三维有序分级多孔的碳光子晶体。与现有技术相比，本发明结合光子晶体、金属有机框架和多孔碳材料三者的技术和特点，制备出三维有序、分级多孔和孔径均匀的碳光子晶体，它完美解决了传统多孔碳材料存在的问题，为多孔碳材料的提供了更多的选择。
光子晶体三维有序金属有机框架多孔碳材料二氧化硅制备分级多孔碳蛋白石分级高温碳化合成金属模板间隙有机框架多孔碳复合物去除

[发明专利]一种真空抽滤制备光子晶体厚膜的方法-CN201910571987.5在审
发明人：胡晓斌;蔡子贺;林升炫;肖佳佳 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空抽滤制备光子晶体厚膜的方法，包括：将单分散微球分散在溶剂中得到分散液；将洁净平整的多孔基底置于过滤器上；将分散液倒入多孔基底，进行真空抽滤至溶剂被抽干；取下基底进行烘干处理；重复抽滤，烘干数次，得到一定厚度的光子晶体厚膜。与现有技术相比，本发明通过改变单分散微球的粒径实现了周期从100nm‑1μm的光子晶体厚膜的制备，通过调节单分散微球的浓度，用量，抽滤速度，实现了厚度1μm‑1cm的光子晶体厚膜的制备。
厚膜单分散微球光子晶体真空抽滤制备光子晶体多孔基底分散液溶剂抽滤制备过滤器烘干处理烘干抽干基底粒径取下平整洁净重复

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN201610065378.9有效
发明人：金载镐;杨尚烈;李雄;林升炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括以交替和重复方式堆叠在衬底上的栅电极和绝缘层。单元沟道结构穿过堆叠件。单元沟道结构包括接触衬底的第一半导体图案和在第一半导体图案上的第一沟道图案。第一半导体图案延伸至从衬底的表面至第一半导体图案的顶表面的第一高度。伪沟道结构位于衬底上并且与堆叠件间隔开。伪沟道结构包括接触衬底的第二半导体图案和在第二半导体图案上的第二沟道图案。第二半导体图案延伸至从衬底的表面至第二半导体图案的顶表面的第二高度。第一高度大于第二高度。
半导体存储器装置及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条