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[发明专利]半导体装置和太阳能电池以及半导体装置的制造方法-CN202080050149.4在审
发明人： 松井卓矢;斋均 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明实现兼具空穴选择性和钝化特性的空穴选择性膜。半导体装置的制造方法具备通过热原子层沉积法在结晶硅层上形成氧化钛膜的工序和对氧化钛膜实施氢等离子体处理的工序。
半导体装置太阳能电池以及制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201180035754.5无效
发明人：中野慎也;竹内良昭;近藤道雄;松井卓矢 -专利权人：三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换装置的制造方法，能够提升太阳能电池的发电特性，所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1)，该光电转换装置(100)的制造方法具备：PH3暴露处理工序，使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后，将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中；i层制膜工序，在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12)；n层制膜工序，在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13)；以及电极形成工序，在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。
光电转换装置制造方法

[发明专利]薄膜光电转换装置-CN201080048346.9无效
发明人：水野功一;竹内良昭;坂井智嗣;鹤我薰典;松井卓矢;近藤道雄;H.贾 -专利权人：三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜光电转换装置，其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置，霾度高，并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5)，透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60％以上。
薄膜光电转换装置