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- [发明专利]氧化接合的晶圆堆叠中的管芯封装-CN201780089481.X在审
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约翰·J·德拉布;杰森·G·米尔恩
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雷索恩公司
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2017-11-16
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2019-11-22
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H01L25/065
- 制造半导体晶圆组件(100)的结构和方法,其将至少一个管芯(108,202,402)封装在刻蚀到氧化接合的半导体晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408)中的腔(110,204,404)中。该方法通常包括以下步骤:将管芯(108,202,402)定位在腔(110,204,404)中,将管芯(108,202,402)机械地和电气地安装到晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408),并且通过以多种方式中的一种方式将盖晶圆(106,210,410)接合到晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408)来将管芯(108,202,402)封装在腔(110,204,404)内。应用半导体处理步骤(例如,沉积、退火、化学和机械抛光、刻蚀等)来构造组件并且根据上述实施例连接(例如,凸块接合、线互连、超声波接合、氧化接合等)管芯。腔(110,404)可以被气密密封以封装半导体管芯(108,402)。晶圆组件(100)可以被划片以产生一个或多个半导体芯片,每个半导体芯片包括一个或多个封装的半导体管芯(108,202,402)。热界面(164,170,412)可以被包括在半导体管芯(108,402)和晶圆(102,104,106,406,408,410)中的一个或多个之间。晶圆堆(102+104,406+408)和盖晶圆(106,410)可以被氧化接合在一起。可替选地,晶圆堆叠(206+208)和盖晶圆(210)可以被凸块(214)接合,以便限定提供与腔(204)的热隔离的气隙(224)。晶圆(102,104,106)中的一个可以限定从晶圆组件(100)外部到腔(110)的导管(168)。
- 晶圆接合管芯封装半导体管芯晶圆堆叠半导体芯片晶圆组件刻蚀半导体晶圆组件退火半导体晶圆超声波接合应用半导体构造组件机械抛光气密密封凸块接合电气地热隔离热界面导管堆叠互连划片气隙凸块沉积外部制造
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