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[发明专利]形成金属遮罩的方法与金属遮罩-CN202111305835.4有效
发明人： 杨芸佩;林仁顺;张郁伟 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种形成金属遮罩的方法包括接收金属平面基板以及图案化金属平面基板。金属平面基板包括第一表面以及相对于第一表面的第二表面。图案化金属平面基板包括形成多个条状结构、形成通孔以及形成盲孔。通孔连通第一表面和第二表面，并隔开相邻的条状结构。盲孔自第一表面凹陷并横跨条状结构。
形成金属方法

[发明专利]微针贴片及其制造方法-CN202311008372.4在审
发明人： 杨芸佩;林仁顺 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：一种微针贴片及其制造方法，微针贴片包含微针结构层、黏着层以及载体层。黏着层设置于微针结构层与载体层间，且连接微针结构层与载体层。微针结构层包括基底层及多个微针，其中基底层具有第一面及相对于第一面的第二面，且第一面朝向黏着层。多个微针彼此间隔设置于第二面且包括多个第一微针及至少一第二微针。至少一第二微针位于微针结构层的边缘，且至少一第二微针的高度小于各第一微针的高度。
微针贴片及其制造方法

[发明专利]形成金属掩模的方法与金属掩模-CN202111297972.8有效
发明人： 杨芸佩;林仁顺;张郁伟 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：一种形成金属掩模的方法包括接收导电基材，包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、连接第一表面和第二表面的第三表面、以及相对于第三表面的第四表面，第四表面连接第一表面和第二表面。方法还包括自第一表面向第二表面方向交错形成数个沟槽和数个突出部，并且填入绝缘材料至沟槽中，其中绝缘材料覆盖突出部的一部分。方法还包括形成金属层在导电基材上，其中金属层披覆于突出部未被绝缘材料所覆盖的其他部分。方法还包括移除绝缘材料、以及移除导电基材，而使金属层成为金属掩模，并形成具有数个条状结构的立体态样。
形成金属方法

[发明专利]金属遮罩的检测方法-CN202310696783.0在审
发明人： 杨芸佩;李美伦;林文宜 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种金属遮罩的检测方法。在此检测方法中，在翘曲的一金属遮罩上定义彼此平行且分离的一第一基准直线与一第二基准直线，其中该第一基准直线的长度为L1，该第二基准直线的长度为L2；摊平该金属遮罩，以使该第一基准直线变成一第一形变线，该第二基准直线变成一第二形变线，其中该第一形变线的长度为L3，该第二形变线的长度为L4；以及判断该第一基准直线的长度L1、该第二基准直线的长度L2、该第一形变线的长度L3与该第二形变线的长度L4是否满足以下数学式：│(L3+L4)/2‑(L1+L2)/2│≤20微米；以及当该第一基准直线的长度L1、该第二基准直线的长度L2、该第一形变线的长度L3与该第二形变线的长度L4满足该数学式时，判断该金属遮罩符合检测标准。
金属检测方法

[发明专利]可溶式微针贴片及其制造方法-CN202310696766.7在审
发明人：林仁顺;余俊毅;杨芸佩 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可溶式微针贴片，包括：微针部及贴片部。微针部具有底座以及多根微针，底座具有第一表面及相对的第二表面，微针连接第一表面，而贴片部连接第二表面。其中，微针部由混合物制成，混合物包括赋形剂，赋形剂包括海藻酸钠及糊精，糊精及海藻酸钠的重量比值介于0.2～1。此外，亦提供一种制造前述可溶式微针贴片的制造方法。
可溶式微针贴片及其制造方法

[发明专利]金属遮罩及其检测方法-CN202110985240.1有效
发明人： 杨芸佩;李美伦;林文宜 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种金属遮罩及其检测方法。在此检测方法中，首先，提供金属遮罩，其具有第一长边、第二长边、第一短边、第二短边与多个图案区。接着，根据邻近第一长边与第二长边的这些图案区，定义第一基准直线与第二基准直线，其中第一基准直线邻近第一长边，而第二基准直线邻近第二长边。接着，量测邻近第一长边的这些图案区与第一基准直线之间的第一最大偏移长度。量测邻近第二长边的这些图案区与第二基准直线之间的第二最大偏移长度。当第一最大偏移长度与第二最大偏移长度之间的相差值小于或等于20微米时，判断金属遮罩为符合检测标准。
金属及其检测方法

[发明专利]金属屏蔽-CN202310387358.3在审
发明人： 杨芸佩;林启维 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种金属屏蔽，包含屏蔽本体，具有相对两第一侧边及相对两第二侧边，两第一侧边沿第一方向延伸，两第二侧边沿第二方向延伸，每一第一侧边具有第一长度，屏蔽本体包含开槽区、两第一固定区及两第一夹持区，开槽区、两第一固定区及两第一夹持区在两第一侧边之间沿第二方向排列，其中，两第一固定区分别位于开槽区的相对两侧，每一第一夹持区位于每一第一固定区及每一第一侧边之间；以及形成于每一第一侧边的第一缺口，第一缺口在第一方向上具有最大的第一开口长度，第一开口长度与第一长度的比值介于0.2及0.8之间。此金属屏蔽可改善皱折问题。
金属屏蔽

[发明专利]金属掩模的制作方法及金属掩模-CN202111297956.9有效
发明人： 杨芸佩;余俊毅 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种金属掩模的制作方法，包含：提供基材定义有虚置图案区及开口图案区；形成导电图案层于基材表面，导电图案层包含第一导电图案形成于虚置图案区及第二导电图案形成于开口图案区，第一导电图案包含多个第一子图案，相邻两第一子图案之间具有第一间隔空间以暴露部分基材表面，第一间隔空间具有第一间距；进行电铸制程，于基材表面形成电铸膜，电铸膜具有铸膜厚度，其中第一间距小于铸膜厚度的两倍，电铸膜填满第一间隔空间；以及将电铸膜自基材及导电图案层分离，其中，形成于虚置图案区上的电铸膜上具有多个凹槽。一种金属掩模亦被提供。
金属制作方法

[发明专利]微针贴片、其制造模具、以及其制造方法-CN202211554933.6在审
发明人： 杨芸佩 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明提出一种经皮递送微针贴片、其制造模具、以及其制造方法。所述经皮递送微针贴片包含：供贴附于表皮上的基底层、以及设置于基底层上的微针阵列及突块阵列。微针阵列包含多个微针背向基底层突出而延伸。所述微针由预定药剂及第一可溶解型载体成分所制成，且相反于基底层的端部的直径小于50um。突块阵列包含多个突块背向基底层突出而延伸。所述突块相反于基底层的端部的直径大于50um。其中，所述突块沿着微针阵列的外围间隔地布置，且所述突块自基底层突出的高度小于所述微针自基底层突出的高度。
微针贴片制造模具及其方法

[发明专利]金属遮罩的制作方法及电铸母板-CN202111305834.X在审
发明人： 杨芸佩;程维堂 -专利权人：达运精密工业股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：一种金属遮罩的制作方法，包含：提供电铸母板，包含基材及导电图案层形成于基材上，导电图案层上形成有导电图案部、导电框架部，外边界开槽、以及电流汇入点，导电图案部包含多个图案开口以显露基材，导电框架部围设导电图案部，外边界开槽分别形成于每一导电图案部的相对两侧，电流汇入点形成于外边界开槽，以电性连接导电图案部及导电框架部；进行电铸制程，于电铸母板的表面形成电铸膜；以及对应于外边界开槽对电铸膜进行切割，且分离电铸膜及电铸母板，分离的电铸膜构成金属遮罩，且金属遮罩上具有遮罩开口。一种电铸母板亦被提供。
金属制作方法电铸母板

[发明专利]有源式有机发光二极管显示装置及其制造方法-CN200610075835.9有效
发明人：邓德华;陈嘉谦;吕芳毅;吴柄纬;杨芸佩 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有源式有机发光二极管显示装置的制造方法。首先，提供基板。再来，形成元件层于基板上，此元件层具有多个有源元件。接着，在元件层上形成平坦层。继之，在平坦层上形成第一、第二与第三彩色滤光层，其分别定义出第一、第二与第三像素区，并可作为蚀刻平坦层的蚀刻掩膜以暴露出部分有源元件。再来，在第一、第二与第三像素区中分别形成第一、第二与第三像素电极，且其与有源元件电连接。之后，分别在第一、第二与第三像素电极上形成第一、第二与第三有机发光材料层。此制造方法可以简化工艺，并降低制造成本。
有源有机发光二极管显示装置及其制造方法

[发明专利]多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法-CN200610001055.X有效
发明人： 杨芸佩;邓德华;施智仁;吕佳谦 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制造方法，其先提供一基板，此基板具有正面与背面。接着，依序形成缓冲层、非晶硅层与顶盖层于基板的正面上。再来，图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层，其暴露出部分非晶硅层，其中所暴露出的部分非晶硅层的区域是一结晶开始区域。继之，形成金属催化剂层于图形化顶盖层上，且金属催化剂层与结晶开始区域中的非晶硅层接触。之后，对基板的背面进行激光加热制程，使非晶硅层自结晶开始区域结晶并转变成多晶硅层。此多晶硅层的制造方法可解决加热时间过长的问题。
多晶以及薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法-CN200510098484.9无效
发明人：何明彻;杨芸佩;刘博智;吕佳谦 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：首先，于基板上形成非晶硅层。接着，于此非晶硅层上形成第一栅绝缘层。之后，进行退火工艺，以使上述非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层。然后，图案化此第一栅绝缘层与多晶硅层，以定义出岛状图案。之后，再于此岛状图案上形成栅极。最后，于此岛状图案的多晶硅层中形成源极区与漏极区。在进行退火工艺之后，多晶硅层与栅绝缘层之间的间界致密性将会变得更为紧密，此即有助于减少薄膜晶体管元件在工作时产生的漏电流。
薄膜晶体管低温多晶制造方法

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