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[发明专利]一种多混合结构的软快恢复二极管及其制备方法-CN201610353299.8在审
发明人： 杨忠武 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明的主要目的为提供一种高压软快恢复二极管及其制备方法，此方法采用肖特基混合高低浓度PN结结构，并同步制造变掺杂平面终端（VLD）保护，提高了击穿电压和抗浪涌能力，降低了恢复时间，形成软恢复特性，并可达到良好的低漏电效果。本发明在N‑/N/N+型硅片上间隔地排列制造出高浓度的P+/N‑结、肖特基结、低浓度的P‑/N‑结、肖特基结结构，通过增加P‑/N‑结构，降低空穴注入效率，减小了反向恢复时间，又避免肖特基结势垒高度降低缺点，达到软快恢复和低漏电的综合；和P‑/N‑结同时形成VLD终端结构保证了高电压和高抗浪涌能力，又简化制造流程，降低成本。本发明的多混合结构二极管，与传统的PIN和MPS结构的快恢复二极管相比，恢复时间更快，应用范围更为广泛。
一种混合结构恢复二极管及其制备方法

[实用新型]一种可调节焊接稳固器-CN201620251940.2有效
发明人： 杨忠武 -专利权人： 杨忠武
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节焊接稳固器，包括底座、螺纹套筒、高度调节螺杆、球头、球形套头、联接板和弧形托板，所述螺纹套筒固定设于底座上，且螺纹套筒设有内螺纹结构，高度调节螺杆旋入螺纹套筒内侧，且高度调节螺杆的顶端固定设有球头；所述球形套头活动套于球头上，且球形套头通过联接板固定连接弧形托板；利用球形套头实现弧形托板相对于球头的转动，因此相应的位置可以调节，本实用新型结构简单合理，可以有效的调节高度以及角度，作为手臂支撑时不仅能使得手臂能够相对于弧形托板滑动，同时又避免了手臂无力造成抖动的情况，因此整体提高了工作质量。
一种调节焊接稳固

[实用新型]一种多功能扳手-CN201620251938.5有效
发明人： 杨忠武 -专利权人： 杨忠武
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能扳手，包括扳手主体，所述扳手主体采用圆片状结构，扳手主体采用钢板冲压一体成型；扳手主体的外边沿开设有气瓶帽套孔、二氧焊焊把导电嘴套孔和mig焊焊把导电嘴套孔，利用气瓶帽套孔、二氧焊焊把导电嘴套孔和mig焊焊把导电嘴套孔分别实现对气瓶帽、二氧焊焊把导电嘴和mig焊焊把导电嘴的拧紧和拧开，本实用新型设有焊接过程设备所需要的功能套孔，因此整体可以实现全方位调节，同时由于采用冲压一体成型，因此生产成本低，可以做到人手一个，极大的降低了工作调节时间。
一种多功能扳手

[实用新型]一种间隙调节器-CN201620251939.X有效
发明人： 杨忠武 -专利权人： 杨忠武
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B62D65/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种间隙调节器，包括手柄，所述手柄的顶部安装有夹板，所述夹板采用“U”形结构，且夹板的底边采用焊接的形式与手柄相固定；所述夹板上开设有夹槽，利用夹槽可以将A柱内板夹住；所述夹板的下方还设有一勾板，勾板的右端竖直向上弯折；所述夹板和勾板的内表面均安装有橡胶垫，橡胶垫采用胶黏的方式分别与夹板和勾板相固定，本实用新型结构简单合理，使用操作方便，整体不仅可以有效的实现间隙增大，同时又能够保证A柱内板不受损坏，整体结构能够保证A柱内板不会发生变形，从而使得整体的工作效率更高。
一种间隙调节器

[实用新型]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构-CN201420447233.1有效
发明人：鲁艳春;杨忠武;王国峰 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管包括：以N或P型半导体为基片，在上面形成N-或P-外延层，在外延层上形成势垒层，再形成金属阳极，边缘造型设置带有浓度梯度的结扩展终端，有源区内注入小剂量的P或N型杂质来提高表面的电阻率，以达到提高势垒高度的作用，两个结在同一次光刻版上完成。本实用新型应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。本实用新型可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本实用新型二极管的应用范围更为广泛。
一种漏电正向压降肖特基二极管结构

[发明专利]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法-CN201410389537.1在审
发明人：鲁艳春;杨忠武;王国峰 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管及其制备方法，此方法采用结终端扩展技术保护终端，同时对肖特基主结势垒区进行中和调制，并且此两项的注入同时进行，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果，又工艺制程简单。本发明应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。本发明可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。
一种漏电正向压降肖特基二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种毛竹种子增产剂-CN201410004840.5有效
发明人：李晓铁;秦丽凤;杨忠武;刘代汉;杨春生;黄连桂;文清岚;黄东;杜忠;赵斌斌 -专利权人：桂林市林业科学研究所
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C05G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种竹类种子增产剂，尤其涉及一种毛竹种子增产剂，其各组份及各组份的质量体积比为：磷酸二氢钾200000～250000mg/L、硫酸锰20～24mg/L、硫酸锌8～10mg/L、硼酸5～7mg/L、硫酸铜0.025～0.03mg/L、碘化钾0.83～0.93mg/L、钼酸钠0.25～0.3mg/L、氯化钴0.025～0.03mg/L、稻多收4500～40000mg/L、防僵穗粒饱4500～40000mg/L、吡虫啉480～500mg/L、井冈霉素120～140mg/L、毒死蜱1900～20000mg/L。其可为毛竹开花结实提供必需的P、K肥及多种微量元素，并有效防治毛竹开花期的主要病虫危害，从而提高毛竹种子的产量与质量。
一种毛竹种子增产

[发明专利]一种毛竹生态液体药肥-CN201410005154.X有效
发明人：李晓铁;秦丽凤;杨忠武;刘代汉;杨春生;黄连桂;文清岚;黄东;杜忠;赵斌斌 -专利权人：桂林市林业科学研究所
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C05G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种竹类药肥，尤其涉及一种毛竹生态液体药肥。一种毛竹生态液体药肥，其各组份及各组分的质量体积比为：尿素40000～60000mg/L、磷酸二氢钾10000～20000mg/L、硝酸钙380～450mg/L、硫酸镁300～400mg/L、硫酸锰20～24mg/L、硫酸锌8～10mg/L、硼酸5～7mg/L、硫酸铜0.025～0.03mg/L、碘化钾0.83～0.93mg/L、钼酸钠0.25～0.3mg/L、氯化钴0.025～0.03mg/L、氧化乐果6.67～10mg/L。其可以提高毛竹的出笋量，使毛竹胸径增粗，有效地防治竹小蜂、竹冥。
一种毛竹生态液体

[实用新型]一种制程简化的肖特基器件-CN201320162184.2有效
发明人：关世瑛;杨忠武;王金秋 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制程简化的肖特基器件，其特征在于：背面金属层（1），为器件的阴极，用于导电焊接的金属材料；衬底层（2），为高浓度N传导类型半导体材料；外延层（3），为低浓度N传导类型半导体材料；势垒层（4），为由薄膜势垒金属与外延层（3）顶部的N型半导体材料合金形成的肖特基势垒层；正面金属层（5），为器件的阳极，用于导电焊接的金属材料；隔离层（6），为有机绝缘材料；台面腐蚀槽（7），为衬底层（2）、外延层（3）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，被隔离层（6）覆盖的部分；台面腐蚀划片线（8），为衬底层（2）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，无隔离层（6）覆盖的部分。
一种简化肖特基器件

[实用新型]一种结型场效应管输入级的有源电极缓冲放大器-CN201320327796.2有效
发明人：黄赛琴;黄福仁;陈轮兴;杨忠武 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结型场效应管输入级的有源电极缓冲放大器，所述的结型场效应管输入级的有源电极缓冲放大器设有结型场效应管Q1、三极晶体管Q2、电阻R1、电容C1，电阻R1与电容C1并联后一端接入结型场效应晶体管Q1的漏极及三极晶体管Q2的基极，电阻R1与电容C1并联后另一端与三极晶体管Q2的发射极一并接入工作电压正极，结型场效应晶体管Q1的输入端栅极接电极，结型场效应晶体管Q1的源极及三极晶体管Q2的集电极并联后接入本有源电极缓冲放大器输出端。
一种场效应输入有源电极缓冲放大器

[实用新型]一种台平面肖特基势垒二极管-CN201320206424.4有效
发明人： 杨忠武 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种台平面肖特基势垒二极管，采用台平面结构保护终端，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果。本实用新型采用台平面终端保护，用聚酰亚胺来保护台面，即达到高压效果，又保证ESD等反向击穿特性，并提高低漏电效果。本实用新型可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本实用新型二极管的应用范围更为广泛。
一种平面肖特基势垒二极管

[实用新型]一种智能光刻版-CN201320162219.2有效
发明人：关世瑛;杨忠武;王金秋 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能光刻版；该光刻版（0）在不占用主管芯（10）面积的划片线（1）内设有能够读特征尺寸的标识（2），具有不使用专用测量设备，使用显微镜就能够快速读出特征尺寸的实际尺寸，提高工作效率，可节省购买专用设备及其设备维护的资金。
一种智能光刻

[实用新型]一种用于半导体器件中钝化膜工艺的设备-CN201320231791.X有效
发明人：黄赛琴;黄福仁;林吉申;林志雄;杨忠武;陈轮兴 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于半导体器件中钝化膜工艺的设备。所述的设备的高温反应室前端设有自动启闭装置；高温反应室前端与气体分配控制阀相连通，气体分配控制阀与气体源及程序控制器相连接，高温反应室的前部设有压力计、高温反应室外为设有三区温度控制器的高温加热炉，高温反应室的后部设有压力传感开关，高温反应室的后部与排气管道前部相连通，管道中设有排气管道阱，管道后部与阀相连，阀后部管道与机械泵相连，机械泵出口设有油过滤器，在阀与机械泵之间装一个变速马达带动的增压泵，变速马达与压力传感开关相连接，由压力传感开关控制。
一种用于半导体器件钝化工艺设备

[实用新型]一种用于双极型集成电路工艺线的设备-CN201320231784.X有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;杨忠武;陈轮兴 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于双极型集成电路工艺线的设备，所述的设备设有扩散高温炉、石英扩散管、排气口、进气口、均流石英装置；石英扩散管设置在扩散高温炉中，石英扩散管的前部设有进气口，进气口与均流石英装置相连，石英扩散管的后部设排气口，扩散高温炉分为为三区，炉外设有三区温控装置。本实用新型也可以推广应用到其它如双极型分立器件埋层扩散，也可以应用在双极型工艺为主的BiCMOS集成电路生产线上。
一种用于双极型集成电路工艺设备

[实用新型]一种半导体硅片导片器-CN201320128835.6有效
发明人：黄福仁;杨忠武 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体硅片导片器，包括两个对称设置的第一限位块体和第二限位块体，所述第一限位块体上垂直设置有一导片板；所述第一限位块体和第二限位块体之间架设有至少两个导向杆，所述两个导向杆上套设有至少两个滑动片，且滑动片纵向套设于导向杆上，所述两滑动片的左、右两侧壁均垂直架设有一支撑板，且两滑动片上架设有一底板，该底板与所述支撑板固定连接；所述底板的端部垂直向上延伸有一第一限位座，该第一限位座上开设有一用于穿过所述导片板的开口。本实用新型可以将一硅片花篮上的多个硅片一次性地转移到另一个硅片花篮上，从而提高了工作效率，而且在转移硅片的过程中，不会造成硅片的损坏。
一种半导体硅片导片器