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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体装置-CN202280016720.X在审
发明人：川口佳伸;神川刚;村川贤太郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开的半导体器件的制造方法具备：准备具有多个半导体层(11、12、13)的层叠体(10)和具有凹部(21)的第一支承体(20)的工序，其中，所述凹部(21)包括上表面(20a)、侧面(20b)、和与上表面(20a)及侧面(20b)相邻的开口；将层叠体(10)接合于第一支承体(20的上表面(20a)并进行配置的工序；在层叠体(10)上形成第一端面(10a)的工序；和在第一端面(10a)形成第一电介质层(17)的工序。
半导体器件制造方法以及半导体装置

[发明专利]半导体元件和半导体元件的制造方法-CN202080074286.1在审
发明人： 村川贤太郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种具有氮化镓的半导体元件，具备具有第1面的半导体层，所述第1面包括第1区域和作为由所述第1区域突出的带状的凸部或由所述第1区域凹陷的带状的凹部的第2区域，所述第1面之中，所述第1区域或所述第2区域的表面的至少一方，具有包含着与(000－1)晶面取向和(1－100)晶面取向不同的晶面取向的晶面。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体元件体-CN202080016757.3在审
发明人：正木克明;村川贤太郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。
半导体元件制造方法以及

[发明专利]电子部件的接合方法以及接合构造体-CN201980086111.X在审
发明人： 村川贤太郎;正木克明 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开涉及电子部件的接合方法以及接合构造体。在发光元件侧形成包含含20质量％以上锡的金‑锡合金的焊料层，在基台侧，作为与焊料层接合的接合层而形成包含金作为主要成分的层。将焊料层和接合层以小于焊料层的金‑锡合金的熔点的温度进行加热，从而将发光元件和基台进行接合。
电子部件接合方法以及构造

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共 4 条

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